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臺(tái)積電2nm工藝重大突破:朝著1nm挺進(jìn)

5qYo_ameya360 ? 來源:中關(guān)村在線 ? 作者:中關(guān)村在線 ? 2020-11-26 10:48 ? 次閱讀

如今5nm才剛剛起步,臺(tái)積電的技術(shù)儲(chǔ)備就已經(jīng)緊張到了2nm,并朝著1nm邁進(jìn)。根據(jù)最新報(bào)道,臺(tái)積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破,雖未披露細(xì)節(jié),但是據(jù)此樂觀預(yù)計(jì),2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),2024年就能步入量產(chǎn)階段。

臺(tái)積電2nm工藝重大突破

臺(tái)積電還表示,2nm的突破將再次拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距,同時(shí)延續(xù)摩爾定律,繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。預(yù)計(jì),蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝,此前關(guān)于摩爾定律已經(jīng)失效的結(jié)論或許就要被臺(tái)積電再次打破了。

臺(tái)積電2nm工藝重大突破

2nm工藝上,臺(tái)積電將放棄延續(xù)多年的FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管),甚至不使用三星規(guī)劃在3nm工藝上使用的GAAFET(環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管),也就是納米線(nanowire),而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管),也就是納米片(nanosheet)。

從GAAFET到MBCFET,從納米線到納米片,可以視為從二維到三維的躍進(jìn),能夠大大改進(jìn)電路控制,降低漏電率。新工藝的成本越發(fā)會(huì)成為天文數(shù)字,三星已經(jīng)在5nm工藝研發(fā)上已經(jīng)投入了大約4.8億美元,3nm GAAFET上會(huì)大大超過5億美元。

原文標(biāo)題:不可阻擋!臺(tái)積電2nm工藝重大突破:延續(xù)摩爾定律 朝著1nm挺進(jìn)

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原文標(biāo)題:不可阻擋!臺(tái)積電2nm工藝重大突破:延續(xù)摩爾定律 朝著1nm挺進(jìn)

文章出處:【微信號(hào):ameya360,微信公眾號(hào):皇華電子元器件IC供應(yīng)商】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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