存儲(chǔ)廠商證實(shí)利基型DRAM與NOR Flash均已漲價(jià)
存儲(chǔ)器 IC 設(shè)計(jì)廠晶豪科技 （ESMT）昨日公開(kāi)表示，利基型 DRAM 與 NOR Flash 均已漲價(jià)。
晶豪科技指出，利基型 DRAM 部分價(jià)格已開(kāi)始調(diào)高，合約價(jià)方面則將從明年第一季起開(kāi)始調(diào)漲，上半年價(jià)格有望一路走漲；NOR Flash 市場(chǎng)情況相同，同樣已漲價(jià)，明年有望進(jìn)一步調(diào)漲。
IT之家查詢(xún)發(fā)現(xiàn)，包括三星、SK 海力士、美光、南亞等各大廠商 DRAM 出貨價(jià)均有不同程度上漲，而閃存 Flash 市場(chǎng)基本無(wú)波瀾。
對(duì)于漲價(jià)的 問(wèn)題，晶豪科技稱(chēng)晶圓代工自 9 月下旬起，產(chǎn)能就處于供不應(yīng)求的狀態(tài)，而且近期晶圓代工與封測(cè)成本有所上漲，價(jià)格也需要相對(duì)應(yīng)調(diào)整。此外，若產(chǎn)能持續(xù)緊張的話，明年第一、二季價(jià)格將持續(xù)走高。
晶豪科技還表示，除利基型 DRAM 產(chǎn)品外，受藍(lán)牙耳機(jī)等產(chǎn)品的帶動(dòng)，NOR Flash 近期市場(chǎng)狀況同樣不錯(cuò)，明年有望進(jìn)一步漲價(jià)。
責(zé)任編輯：haq
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
IC
+關(guān)注
關(guān)注
36文章
6095瀏覽量
178404 -
存儲(chǔ)器
+關(guān)注
關(guān)注
38文章
7635瀏覽量
166407 -
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
3108瀏覽量
74987
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
生成式AI帶飛，三大存儲(chǔ)產(chǎn)品齊漲價(jià)
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）生成式AI對(duì)存儲(chǔ)芯片拉動(dòng)最顯著的莫過(guò)于HBM，由于GPU搭配HBM可用于AI訓(xùn)練，三大存儲(chǔ)芯片廠商積極投入HBM的生產(chǎn)。在此策略下，原本供過(guò)于求的DRAM
2025存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速：存儲(chǔ)芯片主要廠商介紹
在全球供應(yīng)鏈緊張和國(guó)產(chǎn)替代需求推動(dòng)下，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，形成設(shè)計(jì)到封測(cè)一體化的完整生態(tài)。北京君正、兆易創(chuàng)新、紫光國(guó)芯、東芯股份、普冉股份和佰維存儲(chǔ)等六大上市公司在NOR/NANDFlash
MCU片上Flash
保留能力，支持多次擦寫(xiě)操作，是MCU程序存儲(chǔ)的核心介質(zhì)。 主要類(lèi)型? NOR Flash?：支持隨機(jī)訪問(wèn)，可直接運(yùn)行代碼，適用于實(shí)時(shí)性要求高的場(chǎng)景。 NAND Flash?：需通過(guò)RA
兆易創(chuàng)新專(zhuān)訪：SPI NOR Flash全面賦能AI與汽車(chē)電子創(chuàng)新?
在2025慕尼黑上海電子展上，兆易創(chuàng)新（GigaDevice）展示了其在存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)與市場(chǎng)布局。作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片龍頭企業(yè)，兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于AI
存儲(chǔ)技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash：藏在芯片里的"門(mén)道之爭(zhēng)"
門(mén)電路玄機(jī) NOR Flash：Intel 1988 年革命性突破，終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時(shí)代 NAND Flash：東芝 1989 年發(fā)布，開(kāi)創(chuàng) "低成本比特" 存儲(chǔ)新
羅徹斯特電子為傳統(tǒng)應(yīng)用提供卓越的內(nèi)存支持 為并行NOR Flash提供持續(xù)供貨支持
，得以繼續(xù)生產(chǎn)4Mb和8Mb 5V的NOR Flash產(chǎn)品。 閃存帶給電子行業(yè)的影響是巨大的，基于并行NOR Flash技術(shù)的初始設(shè)備成為板載代碼存
發(fā)表于 12-17 10:33
?264次閱讀
基于NXP MCXA153 MCU實(shí)現(xiàn)RT-Thread的MTD NOR Flash驅(qū)動(dòng)
在嵌入式系統(tǒng)中，片上Flash存儲(chǔ)器是一個(gè)關(guān)鍵組件，用于存儲(chǔ)程序代碼和關(guān)鍵數(shù)據(jù)。本文將詳細(xì)介紹如何在NXPMCXA153 MCU上實(shí)現(xiàn)RT-Thread的MTD (Memory Technology Device)
DRAM存儲(chǔ)器的特性有哪些
DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)。它由許多存
物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)存儲(chǔ)方案詳解_SPI NOR Flash
SPI NOR FLASH存儲(chǔ)器在初始響應(yīng)和啟動(dòng)時(shí)提供高可靠性，并具有低時(shí)延。這一特性對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備至關(guān)重要，因?yàn)槲锫?lián)網(wǎng)設(shè)備通常需要快速啟動(dòng)并穩(wěn)定運(yùn)行，以確保數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)傳輸和處理。 2、直接執(zhí)行代碼的能力 SPI
DRAM存儲(chǔ)器的基本單元
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔而高效，主要由一個(gè)晶體管（MOSFET）和一個(gè)電容組成，這一組合使得DRAM能
飛凌嵌入式-ELFBOARD 硬件分享之-存儲(chǔ)器及其分類(lèi)
只讀存儲(chǔ)器？——這些存儲(chǔ)器都是在ROM的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，名稱(chēng)屬于歷史遺留問(wèn)題。
1980年，Flash Memory被發(fā)明出來(lái)，也就是我們說(shuō)的閃存，1980年又一個(gè)日本科學(xué)家發(fā)明了Nor
發(fā)表于 07-30 10:06
NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好
在討論NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好時(shí)，我們需要從多個(gè)維度進(jìn)行深入分析，包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場(chǎng)景、成本效益以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)等。
NAND Flash與NOR Flash：壞塊管理需求的差異解析
NOR Flash和NAND Flash是兩種不同類(lèi)型的閃存技術(shù)，它們?cè)?b class='flag-5'>存儲(chǔ)單元的連接方式、耐用性、壞塊管理等方面存在差異。
今日看點(diǎn)丨曝三星計(jì)劃Q3對(duì)DRAM、NAND漲價(jià)15%~20%；傳蘋(píng)果將大砍一半產(chǎn)線員工
1. 傳三星計(jì)劃Q3 對(duì)DRAM 、NAND 漲價(jià)15%~20% ，現(xiàn)已通報(bào)客戶(hù) ? 6月26日，多家媒體報(bào)道稱(chēng)，三星計(jì)劃于第三季度把動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）、NAND的價(jià)格上調(diào)15
發(fā)表于 06-27 11:02
?556次閱讀
貼片式tf卡 Nand flash芯片試用體驗(yàn)
、主要區(qū)別
NOR與NAND的區(qū)別
性能比較
flash閃存是非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)稱(chēng)為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。任何flash
發(fā)表于 06-05 17:57
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論