射頻作為模擬芯片“皇冠上的明珠”，門檻最高。雖然近兩年國(guó)產(chǎn)射頻芯片廠商逐步起量，但距離進(jìn)口替代仍有較大缺口。

5G 新頻譜對(duì)射頻前端的影響：

①更多更高的頻段：

更多的頻段帶來射頻元件的同步增加。

濾波器：BAW／FBAR 用量的增加。

由于 SAW 只支持 2G 以內(nèi)的頻段，因此 5G－sub 6G 將帶來適合 2G以上高頻段的 BAW／FBAR 用量的增加；

②更大的帶寬：最大單通道帶寬由 4G 的 20 MHz 變?yōu)?5G sub6 的 100MHz。

在一定情況下需要使用適合大帶寬的 LTCC（低溫共燒陶瓷，Low Temperatrue Co－fired Ceramic）陶瓷濾波器。帶寬變得越寬，濾波器的一致性難度提升，溫漂問題難度增大，在一定情況下需要使用適合大帶寬的 LTCC 陶瓷濾波器。

PA性能提升，需要覆蓋更大的帶寬。

③更高階 的 QAM 調(diào)制：射頻前端性能提升

QAM 調(diào)制又叫正交幅度調(diào)制，把多進(jìn)位與正交載波技術(shù)結(jié)合起來，進(jìn)一步提高頻帶利用率。更高階的 QAM 調(diào)制可以提升傳輸速率，256QAM 調(diào)制的速度是 64QAM 調(diào)制的 1．3 倍。5G 將會(huì)使用更高階的 QAM 調(diào)制。

從IDM到制造代工，國(guó)產(chǎn)射頻廠商在崛起

整個(gè)射頻產(chǎn)業(yè)鏈主要包括IDM和制造代工廠。所謂IDM（Integrated Device Manufacturer）就是整合元件制造商，從設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試到銷售都自己來做，目前射頻領(lǐng)域的IDM廠商基本都被海外公司壟斷，包括美系廠商Qorvo、skyworks、Broadcom，以及日系廠商Sumitomo Electric和Murata；制造代工廠是專門幫別人生產(chǎn)晶圓的廠商，我們比較熟悉的公司有臺(tái)積電、格芯、中芯國(guó)際、聯(lián)電，射頻領(lǐng)域的代工廠以中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的穩(wěn)懋、環(huán)宇、漢磊等為主。

隨著國(guó)內(nèi)對(duì)射頻芯片需求的增加，越來越多國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)公司、代工廠開始加入射頻產(chǎn)業(yè)鏈，自行搭建射頻芯片制造體系。

國(guó)內(nèi)射頻產(chǎn)業(yè)鏈搭建完成，需緊跟大廠步伐

總體來看，國(guó)內(nèi)射頻產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)搭建完成，從射頻芯片設(shè)計(jì)，到封測(cè)、制造三個(gè)環(huán)節(jié)均有公司可以支撐，其中IDM公司、Fabless公司和代工廠齊頭并進(jìn)，并且在新材料的研發(fā)上也取得了不錯(cuò)的成績(jī)。

從全球市場(chǎng)來看，Qorvo、skyworks、Broadcom等三大公司仍然會(huì)占據(jù)主流；從國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來看，射頻芯片的設(shè)計(jì)門檻較高，國(guó)內(nèi)射頻廠商無論是IDM廠商，還是制造代工廠的制程技術(shù)仍屬于弱勢(shì)，所推出產(chǎn)品主要針對(duì)中低市場(chǎng)。未來隨著技術(shù)積累和人力投入加大，國(guó)內(nèi)射頻廠商可有機(jī)會(huì)追趕國(guó)際主流射頻大廠的步伐。

5G時(shí)代的新需求給國(guó)內(nèi)射頻產(chǎn)業(yè)鏈帶來快速的發(fā)展機(jī)會(huì)，但是也對(duì)傳輸速率、時(shí)延、流量密度、移動(dòng)性等提出更高要求，國(guó)內(nèi)射頻廠商要在新產(chǎn)品、新工藝、新材料方面齊下手，緊跟國(guó)際大廠前進(jìn)步伐，才能享受5G帶來的高速增長(zhǎng)紅利。