氮化鎵（GaN）是一種無機物，是氮和鎵的化合物，主要應用于射頻器件和電力電子器件的制造。受電信業和國防應用的推動，全球氮化鎵的市場規模不斷增長，2020年預計突破10億美元，其中，射頻器件是最大的應用領域。在競爭格局方面，行業龍頭企業多以IDM模式為主，且國外公司在技術實力和產能方面具有明顯優勢。

1、氮化鎵：第三代半導體材料的典型代表

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物。以GaN與SiC為代表的第三代半導體材料最大的優點在于能夠適應高壓，高頻和高溫的極端環境，性能大幅提升，氮化鎵的主要性能指標如下：

2、上游原料金屬鎵：中國是全球最大的市場

在半導體材料領域，金屬鎵是砷化鎵、氮化鎵的重要原料之一。目前，我國是全球最大的金屬鎵生產、消費和出口國。2019年，我國原生鎵產量356.6噸，同比降低11.7%;消費量262噸，基本與2018年持平。同時，我國原生鎵產量和消費量分別占全球的95.2%和48.9%。

3、下游射頻器件應用規模占比達91%

2018-2019年，受電信業和國防應用的推動，全球第三代半導體材料-氮化鎵（GaN）的市場規模由7億美元增長至8.2億美元，其中射頻器件市場規模約7.4億美元，電力電子市場規模約0.76億美元。2020年隨著5G的應用和推廣，市場規模將突破10億美元。

在應用領域方面，目前氮化鎵（GaN）主要應用于射頻器件和電力電子器件的制造。2019年，射頻氮化鎵的市場規模占氮化鎵整體規模的比重達91%。

4、國外公司的技術實力和產能優勢明顯

從氮化鎵產業鏈公司來看，國外公司在技術實力以及產能上保持較大的領先。其中，行業龍頭企業以IDM模式為主，其中，美國Qorvo擁有自身的晶圓代工廠以及封測廠，在國防以及5G射頻芯片領域具備較大優勢;而德國Infineon是專注于功率半導體領域，主要產品集中在6英寸GaN產線上，8英寸產線也在發展中。國內廠商包括蘇州能華、華功半導體以及英諾賽科等。

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