2020年12月29日，韓國(guó)科學(xué)和信息通信技術(shù)部（MSIT）發(fā)布下一代智能半導(dǎo)體（器件）研發(fā)計(jì)劃2021年項(xiàng)目實(shí)施計(jì)劃。該研發(fā)計(jì)劃旨在克服現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)局限，致力于下一代超低功耗、高性能半導(dǎo)體器件核心技術(shù)的創(chuàng)新開(kāi)發(fā)，為期10年（2020-2029年），金額達(dá)2405億韓元。

一、實(shí)施策略及內(nèi)容

避免論文式研究，促進(jìn)早期成果商業(yè)化和IP核應(yīng)用，具體包括：（1）引入競(jìng)爭(zhēng)性研發(fā)模式，評(píng)估每個(gè)步驟，并確定持續(xù)支持的項(xiàng)目；（2）支持晶圓級(jí)集成和驗(yàn)證（與下述研發(fā)協(xié)同進(jìn)行）。

三類(lèi)研發(fā)包括：（1）新概念型基礎(chǔ)技術(shù)（自由競(jìng)爭(zhēng)模式）：該類(lèi)研發(fā)旨在顛覆性創(chuàng)新，促進(jìn)半導(dǎo)體范式改變。該類(lèi)項(xiàng)目每年資助金額不超過(guò)2億韓元，3年后進(jìn)行評(píng)估以確定后續(xù)支持。（2）新器件技術(shù)（目標(biāo)型競(jìng)爭(zhēng)模式）：該類(lèi)研發(fā)旨在開(kāi)發(fā)CMOS工藝兼容的各種新器件技術(shù)（如超低壓、3D集成、內(nèi)存計(jì)算、器件系統(tǒng)架構(gòu)、布線融合、大腦模擬等），以實(shí)現(xiàn)超低功耗、高性能的目標(biāo)。該類(lèi)項(xiàng)目每年資助金額約10億韓元。（3）新器件集成和驗(yàn)證技術(shù)（內(nèi)容明確型競(jìng)爭(zhēng)模式）：該類(lèi)研發(fā)旨在支持晶圓級(jí)集成和驗(yàn)證（集成工藝和基于設(shè)計(jì)的技術(shù)開(kāi)發(fā)等），以促進(jìn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)的元器件商業(yè)化。該類(lèi)項(xiàng)目每年資助金額約30億韓元。

二、2020年資助情況

2020年，下一代智能半導(dǎo)體（器件）研發(fā)計(jì)劃選擇并支持了24個(gè)新項(xiàng)目，總金額達(dá)120億韓元。

其中新概念型基礎(chǔ)技術(shù)類(lèi)項(xiàng)目7個(gè)，總金額為7億韓元；新器件技術(shù)類(lèi)項(xiàng)目15個(gè)，總金額為77.5億韓元；新器件集成和驗(yàn)證技術(shù)類(lèi)項(xiàng)目2個(gè)，總金額為30億韓元。

三、2021年資助計(jì)劃

2021年，韓國(guó)將加大對(duì)下一代智能半導(dǎo)體器件研發(fā)計(jì)劃的投資力度，加強(qiáng)項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)及機(jī)構(gòu)間的協(xié)作，加快創(chuàng)新步伐。

2021年的總預(yù)算為339.77億韓元，其中229億韓元用于繼續(xù)支持2020年選擇的項(xiàng)目，103.18億韓元用于支持19個(gè)新項(xiàng)目，7.59億億韓元用于項(xiàng)目運(yùn)營(yíng)管理。

2021年的19個(gè)新項(xiàng)目中，其中新概念型基礎(chǔ)技術(shù)類(lèi)項(xiàng)目10個(gè)，總金額為20億韓元；新器件技術(shù)類(lèi)項(xiàng)目8個(gè)，總金額為60.68億韓元；新器件集成和驗(yàn)證技術(shù)類(lèi)項(xiàng)目1個(gè)，總金額為22.5億韓元。2021韓國(guó)加大新器件技術(shù)的投資力度以盡早確保其在人工智能半導(dǎo)體器件的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)（例如，人腦模擬器件研究）。2021年新項(xiàng)目將于本年度4月開(kāi)始執(zhí)行，目前尚未公布。

表1 2021年持續(xù)支持2020年選擇的項(xiàng)目（24）

原文標(biāo)題：【政策規(guī)劃?微】韓國(guó)發(fā)布2021年度下一代智能半導(dǎo)體(器件)研發(fā)計(jì)劃

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