HG5511D參數特性 60V低壓MOS 40A結電容低 手機快充專用MOS管
MOS管型號：HG5511D
參數：60V 40A
封裝：DFN3333
內阻：11mR(Vgs=10V)
14mR(Vgs=4.5V)
結電容：550pF
開啟電壓：1.8V
應用領域：車燈照明、車載電子、電動車應用、LED去頻閃、LED升降壓照明、太陽能源、舞臺燈照明、加濕器、美容儀等電壓開關應用。
【高頻率 大電流 SGT工藝 開關損耗小】
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產品類型：Super Junction
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