2020半導體行業經歷了全球疫情和國際形勢的復雜化和不確定性，而2021年行業會如何發展，廣東芯聚能半導體有限公司（以下簡稱“芯聚能”）給出了答案。

產能短缺會貫穿2021

芯聚能認為，由于新能源汽車的快速發展及綠色能源產業的快速發展，加上數據中心的快速發展，功率半導體的總體需求進一步快速增加，為整個功率半導體產業帶來發展機遇。中國大陸的功率半導體一定會有更好的發展，搶占更大的市場份額。

芯聚能是面向新能源汽車及一般工業產品功率芯片設計，功率模塊開發制造的高科技技術企業，專注于IGBT/SiC功率模塊及功率器件研發、設計、封裝、測試及營銷業務，為客戶提供完整的解決方案。

面對2020年整個集成電路晶圓制造產能的緊缺，芯聚能表示該情況可能會貫穿2021年，這與某些產品的產能緊張和下游恐慌性囤貨都有一定的關系。此外由于晶圓廠產能緊張，很多小型設計公司都需要預付全款產能預定產能，也加劇了小型設計公司的資金緊張狀況，加上晶圓廠產能向大公司的進一步傾斜，小的設計公司在2021年一定會更加艱辛。

SiC會迎來爆發的時機

隨著我國新能源汽車的利好政策越來越多，而市場也將越來越開放，均有利于整個車用功率半導體的發展。

自特斯拉在引入SiC MOSFET到主驅上并迅速量產后，國內新能源汽車也開始跟進，且得到了市場的廣泛接受。為此，SiC器件的“殺手級應用”誕生并且確認為新能源汽車。

作為關鍵的第三代半導體材料，SiC在過去兩年發展迅速，起初SiC襯底供應不足，為了解決這個問題，Cree和數個關鍵公司簽署了長期供貨協議，并在2019年5月宣布未來五年投資10億美元，擴展襯底生產線。此外英飛凌收購了具有襯底制造技術的Siltectra，ST收購了Norstel55%的股權等。

“隨著襯底產能的進一步擴大，缺陷密度進一步降低，生產效率進一步提高，第三代半導體，特別是SiC一定會在2021年有個非常好的爆發?！毙揪勰苷J為。

相信隨著SiC晶圓廠的產量進一步提高，將會吸引國際頭部大公司加入競爭。對于SiC器件，特別是MOSFET價格會進一步降低，這也為SiC器件拿下更多的市場份額創造了條件。芯聚能總裁周曉陽表示，目前車用SiC器件領域會有越來越多玩家進入，同時隨著行業快速發展，整個市場布局也是瞬息萬變。

周曉陽認為，相比硅材料，SiC可實現更高結溫，更高頻率，更高耐壓，這樣就給電動汽車更有效的電驅控制，提高續航里程，減少電池消耗，也可減少整個電驅系統的體積與重量；可用于速度更快、容量更高的的車載充電方案；由于碳化硅優異的性能表現及本身成本的不斷降低（材料工藝更加成熟），將帶來系統級成本優勢以及加速其在純電動市場上的應用，基于此，SiC未來存在巨大的增長機會。

盡管未來前景很好，但SiC芯片本身具有場強、能隙、熱導率、熔點、電子遷移率等方面的新特性，對封裝提出了新要求和挑戰，要想從設計到產品量產，其中的工藝實現要經歷諸多嚴苛的挑戰。

據了解，芯聚能半導體主要聚焦于車規級及工業級的功率器件及模塊的封裝測試及應用，其工業級產品已經在一些行業頭部企業企業進入量產狀態，當中包括了車規級硅基IGBT和SiC主驅驅動模塊在頭部車企的驗證工作進展順利，產品性能及可靠性達到國際大廠同等水品且價格更低，將于今年下半年進入量產狀態。

產業鏈通力合作，縮小與國際先進水平差距

第三代半導體的概念在2020年非?；馃?，隨著各類投資的進行，芯聚能認為中國大陸的第三代半導體公司（包括襯底，外延，芯片制造，封裝測試，應用）都已經有一個長足的進步，發展非常迅速，其與國際水平的差距進一步縮小。

不過同時也看到，國內在第三代半導體上的投資也出現一窩蜂的狀況，能實現有效的商業化產能的就會不多。芯聚能坦言，雖然中國大陸的第三代半導體和國際先進水品的的差距比中國大陸硅基集成電路先進工藝和國際先進水平的差距小的多，但是差距也是全方位的，主要表現在材料，設備，檢驗檢測能力等。

“只有整個產業鏈加大合作力度，在每個細分環節都有幾個關鍵企業協同攻關，才有可能盡快縮小和國際先進水平的差距。同時，互惠的國際合作是必不可少的?！毙揪勰苎a充。

最后在談及企業人才方面，芯聚能表示作為一家初創企業，其已經連續三年招聘超過兩位數的應屆生，同時也制定了非常詳細的培養計劃，目前已經有一批獨當一面的新人。

“立足于自我培養人才，從招收應屆生培養應屆生做起，為產業培養更多的有生力量。”這是芯聚能人才培養的基礎所在。

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