納維科技將在蘇州建設氮化鎵(GaN)單晶襯底研發基地
據蘇州工業園區發布消息，1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡稱“蘇州納維科技”）在園區舉行總部大樓奠基儀式。
該項目位于蘇州納米城，總用地面積14000平方米，總建筑面積約34000平方米，將建設氮化鎵（GaN）單晶襯底研發基地與高端產品生產基地，預計年產氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。
資料顯示，蘇州納維科技成立于2007年5月，致力于第三代半導體產業核心關鍵材料氮化鎵（GaN）單晶襯底的產業化開發。
據介紹，蘇州納維科技完成了從材料生長設備的自主研發到氮化鎵單晶襯底的開發和產業化，率先實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發、突破了6英寸產品的關鍵核心技術，能夠同時批量提供2英寸高導電、半絕緣氮化鎵單晶。
蘇州納維科技董事長徐科表示，此次奠基的總部大樓將重點承擔蘇州納維科技在生產、研發等方面的需求，標志著公司在市場、生產、研發等方面全面發力。
責任編輯:tzh
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
335文章
28669瀏覽量
233453 -
氮化鎵
+關注
關注
61文章
1768瀏覽量
117544 -
GaN
+關注
關注
19文章
2184瀏覽量
76267
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產生的，以及對于氮化鎵襯底厚度測量的影響
在半導體產業這片高精尖的領域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅動著光電器件、功率器件等諸多領域邁向新的高峰。然而，氮化
測量探頭的 “溫漂” 問題，對于氮化鎵襯底厚度測量的實際影響
在半導體制造這一微觀且精密的領域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應用蓬勃發展。然而，氮化
不同的氮化鎵襯底的吸附方案，對測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響
在當今高速發展的半導體產業浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學與光學性能，在眾多高端芯片制造領域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應用天地。然而
氮化鎵襯底的環吸方案相比其他吸附方案，對于測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響
在半導體領域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應用場景中嶄露頭角，成為推動行業發展的關鍵力量。而對于
氮化鎵充電器和普通充電器有啥區別？
相信最近關心手機行業的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現比較頻繁。特別是隨著小米發布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后
發表于 01-15 16:41
日本開發出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓
工藝的橫向晶體管相比，采用氮化鎵單晶構建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN
碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應用 | 氮化硼高導熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG設備顯示出以下優點：1.寬帶隙半導體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場方面相對相似。
氮化鎵和砷化鎵哪個先進
氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導體材料領域的重要成員，它們在各自的應用領域中都展現出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進，并不是一個簡單的二元對立問題，因為它們的先進性取決
氮化鎵（GaN）技術的迅猛發展與市場潛力
近年來，氮化鎵(GaN)技術以其在高功率、高效率和高頻率應用中的顯著優勢，迅速成為半導體行業的焦點。尤其是在人工智能(AI)、智能汽車和新能源等新興領域的推動下，氮化
氮化鎵（GaN）的最新技術進展
本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。氮化
工商網監
評論