SK海力士今天宣布,已經(jīng)開始量產(chǎn)18GB LPDDR5移動版內(nèi)存,存儲密度、容量都是世界第一。
這種內(nèi)存初期主要面向高端智能手機(jī),適合高分辨率、高畫質(zhì)、高刷新率游戲場景,未來也會拓展到超高性能監(jiān)控、AI等領(lǐng)域。
規(guī)格方面,傳輸數(shù)據(jù)率達(dá)到6400Mbps,相比于此前頂級的LPDDR5-5500快了足有20%,可以在1秒鐘時間內(nèi)搞定十部5GB全高清規(guī)格的電影。
SK海力士同時確認(rèn),華碩的ROG游戲手機(jī)5將會首發(fā)搭載其18GB LPDDR5內(nèi)存——該機(jī)將于3月10日晚正式發(fā)布,這已經(jīng)比很多人的PC電腦的內(nèi)存還要大了。
市調(diào)機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,LPDDR5目前占移動內(nèi)存市場的大約10%,預(yù)計到2023年可突破50%。
責(zé)編AJX
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
近日,SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動,為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模
發(fā)表于 12-26 14:46
?288次閱讀
DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5
發(fā)表于 11-29 14:58
?830次閱讀
DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5(Double Data Rate 5
發(fā)表于 11-22 15:38
?2385次閱讀
SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力
發(fā)表于 08-29 16:39
?731次閱讀
近日,DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)市場傳來重磅消息,由于服務(wù)器需求持續(xù)強(qiáng)勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著,多家大廠決定在第三季度對DDR5內(nèi)存價格進(jìn)行新一輪調(diào)整。據(jù)供應(yīng)鏈最新消息,三星電子與SK海力士
發(fā)表于 08-21 15:40
?670次閱讀
近日,存儲芯片市場傳來重大消息,SK海力士正式通知市場,其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價15%至20%,這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于,
發(fā)表于 08-15 10:19
?852次閱讀
近日,據(jù)外媒報道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調(diào)15%至20%,這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露,此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張,對DD
發(fā)表于 08-14 15:40
?757次閱讀
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)最近,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)即將推出。在標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布之前,SK海力士、三星、美光等廠商已經(jīng)著手DDR
發(fā)表于 07-31 18:26
?5451次閱讀
DDR5標(biāo)準(zhǔn)JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時代基本內(nèi)存條上時鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對而言比較細(xì)。不知道你
發(fā)表于 07-16 17:47
?2214次閱讀
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌的當(dāng)下,SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露,該公司正積極擴(kuò)大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模,以應(yīng)對當(dāng)前市場對HBM(高帶寬內(nèi)存)及
發(fā)表于 06-17 16:30
?653次閱讀
近日,SK海力士與臺積電宣布達(dá)成合作,計劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項合作中,臺積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確保基礎(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。
發(fā)表于 05-20 09:18
?601次閱讀
近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和H
發(fā)表于 05-17 10:12
?769次閱讀
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進(jìn)展。SK海力士計劃從2026年
發(fā)表于 05-15 11:32
?897次閱讀
業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起將停止供應(yīng)
發(fā)表于 05-14 10:31
?448次閱讀
來源:集成電路前沿,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 3月25日消息,據(jù)報道,由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題,英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存,將由三星獨(dú)家供貨,SK
發(fā)表于 03-27 09:12
?677次閱讀
評論