最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調 20%，DDR5 上調約 5%。

除了三星，SK海力士、美光此前也傳出漲價的消息。據(jù)供應鏈人士透露，海力士DRAM（消費級）顆粒（Memory Chip/Die）價格已上漲約12%。

而美光率先于2025年第二季度對DRAM內存合約價上調10-12%，并已通知對部分存儲產(chǎn)品（如DRAM內存和SSSD固態(tài)硬盤等）征收與關稅相關的附加費。

最近諸多信息顯示，存儲器價格跌勢結束，在2025年一季度和第二季度，價格開始企穩(wěn)反彈。NAND閃存原廠閃迪在3月6日也向渠道發(fā)布了閃存價格上調通知，該公司從4月1日開始實施價格上漲，這些漲幅將超過10%，并適用于所有面向渠道和消費者客戶的產(chǎn)品。

閃迪官方在文件中稱，存儲行業(yè)的供需關系即將過渡到供不應求的狀態(tài)，這與關稅變動一同影響了閃迪的供應能力并增加了該企業(yè)的運營成本，因此作出了價格調漲的決定。閃迪還提到該企業(yè)將繼續(xù)頻繁進行定價審查，且認為在接下來的幾個季度中還會有更多的漲價。

另外，國內廠商長江存儲旗下零售品牌致態(tài)此前也透露，或從2025年4月起上調渠道提貨價格，漲幅可能超10%。國內多家存儲芯片原廠的價格也在上漲，包括兆易創(chuàng)新、東芯股份、江波龍等廠商的部分產(chǎn)品。其中，小容量NAND是這一輪漲價里最先有反應的品類。

這一輪價格上漲首先源于供需關系的變化，近期，由于全球IT設備制造商庫存緊張，以及AI、云計算、5G等技術的快速發(fā)展，對高性能存儲芯片的需求激增。存儲芯片制造商為應對市場需求，紛紛進行產(chǎn)能結構性調整，減少對傳統(tǒng)制程產(chǎn)品的生產(chǎn)，增加對先進制程產(chǎn)品（如DDR5、HBM等）的投入，導致部分存儲芯片供應緊張。

其次源于技術升級需求，隨著AI技術的不斷迭代升級，對存儲芯片的性能要求也越來越高。高帶寬存儲器（HBM）等高端存儲芯片的需求迅速增長，推動了存儲芯片市場的整體價格上漲。存儲芯片制造商為保持市場競爭力，不斷加大研發(fā)投入，推動技術升級和產(chǎn)品迭代，這也增加了生產(chǎn)成本，進而傳導至產(chǎn)品價格。

還有就是源于地緣政治因素，美國對華半導體出口限制及關稅政策的影響，導致全球供應鏈緊張局勢持續(xù)。為規(guī)避供應鏈風險，部分企業(yè)提前鎖定存儲芯片訂單，進一步加劇了市場供需失衡。