也許你都忘了，IBM曾是一家大牌的芯片制造商。

但它今天給我們提了個(gè)醒兒：全球第一個(gè) 2 納米芯片制造技術(shù)，誕生在了紐約州奧爾巴尼的IBM研究院。

每十年都是考驗(yàn)?zāi)柖蓸O限的期限，以2021為開端的十年也不例外。

隨著極紫外（EUV）技術(shù)的到來(lái)，加上其他更多的技術(shù)改進(jìn)，晶體管尺寸得以減少。但目前看來(lái)，這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)趨于瓶頸。

據(jù)IBM稱，其新推出技術(shù)這種架構(gòu)可以平衡性能與能源效率——比目前主流的7納米芯片快 45%，功耗減少 75%。

這個(gè)消息，就像一個(gè)重磅炸彈，在臺(tái)積電、三星、英特爾盤踞太久的芯片行業(yè)，讓IBM狠狠地刷了波存在感。

但必須澄清的是，雖然該工藝節(jié)點(diǎn)被稱為「2納米」，這個(gè)2nm跟傳統(tǒng)談?wù)摰木€寬不一樣。

全球首個(gè)2納米芯片制造技術(shù)，但2納米的標(biāo)簽你搞清了嗎

在過(guò)去，這個(gè)尺寸曾經(jīng)是芯片上二維特征尺寸的等效度量，如90納米、65納米和40納米。

然而，隨著FinFET和其他3D晶體管設(shè)計(jì)的出現(xiàn)，現(xiàn)在的工藝節(jié)點(diǎn)名稱是對(duì)「等效2D晶體管」設(shè)計(jì)的解釋。一般用晶體管密度可以更準(zhǔn)確的衡量，如同英特爾倡導(dǎo)的那樣。

例如，英特爾的7納米工藝將與臺(tái)積電的5納米工藝大致相同；臺(tái)積電的5納米工藝也甚至沒(méi)有50%的改進(jìn)（它比7納米工藝只提供15%的改進(jìn)），所以稱其為5納米工藝本身就有點(diǎn)牽強(qiáng)。根據(jù)IBM的說(shuō)法，他們的「2納米」技術(shù)比臺(tái)積電的7納米工藝有大約50%的改進(jìn)，這樣以來(lái)——即使按照當(dāng)今最寬松的標(biāo)準(zhǔn)，也頂多是3.5納米技術(shù)。

但這不代表IBM的新消息沒(méi)有技術(shù)含量。

IBM表示，新芯片將在「手指甲大小」的芯片中配備多達(dá)500億個(gè)晶體管，這使得IBM的晶體管密度為每平方毫米3.33億個(gè)晶體管（MTr / mm 2）。

通過(guò)下表可以獲得更好的比較：

不同的代工廠有不同的官方名稱，有各種密度。值得注意的是，這些密度數(shù)字通常被列為峰值密度，用于晶體管庫(kù)，其中芯片面積是峰值關(guān)注點(diǎn)，而不是頻率擴(kuò)展--由于功率和熱方面的考慮，通常處理器最快的部分的密度是這些數(shù)字的一半

關(guān)于向全方位門/納米片晶體管的發(fā)展，雖然IBM沒(méi)有明確表示，但圖片顯示，這種新的2納米處理器采用了三層GAA設(shè)計(jì)。

IBM 2納米硅制造工藝的剖面圖：疊加式GAA（Stacked GAA ，其中GAA是「切入環(huán)繞式柵極技術(shù)」的簡(jiǎn)稱)

此前，三星在3納米時(shí)引入GAA，而臺(tái)積電則要等到2納米。相比之下，英特爾將在其5納米工藝中引入某種形式的GAA。

該工藝包括每個(gè)鰭片中的三個(gè)門-周圍（GAA）納米片通道。極端紫外線（EUV）處理對(duì)于定義工藝中的小尺寸是必要的，但它允許納米片的寬度在15納米到70納米之間。為了呼應(yīng)IBM早期在絕緣體上的硅（SOI）工作，該工藝包括一個(gè)底部電介質(zhì)隔離，以實(shí)現(xiàn)12納米的門長(zhǎng)。IBM已經(jīng)開發(fā)了一種內(nèi)隔板干式工藝，以提供精確的柵極尺寸控制。該工藝支持多種閾值電壓，用于SoC和高性能計(jì)算應(yīng)用。這是首次在工藝的FEOL部分使用EUV圖案，使關(guān)鍵層的設(shè)計(jì)的所有階段都能使用EUV

據(jù)IBM稱，這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)的潛在好處可能包括：

手機(jī)電池壽命翻兩番，只要求用戶每四天給他們的設(shè)備充電一次。

減少數(shù)據(jù)中心的碳足跡，這些中心占全球能源使用量的1%，即5.8億兆焦耳。將他們所有的服務(wù)器改為基于2納米的處理器，有可能大大減少這一數(shù)字。

大大加快筆記本電腦的功能，從快速處理應(yīng)用程序，到更容易地協(xié)助語(yǔ)言翻譯，到更快的互聯(lián)網(wǎng)訪問(wèn)。

有助于加快自動(dòng)駕駛汽車等自主車輛的物體檢測(cè)和反應(yīng)時(shí)間。

另外，這項(xiàng)技術(shù)將使數(shù)據(jù)中心的電源效率、太空探索、人工智能、5G和6G以及量子計(jì)算等領(lǐng)域受益。 全球芯片巨頭進(jìn)程概覽，IBM有可能挑戰(zhàn)臺(tái)積電地位嗎？ 好漢不復(fù)當(dāng)年勇。藍(lán)色巨人IBM早就沒(méi)有芯片巨頭這一形象了。 想當(dāng)年美國(guó)存儲(chǔ)器憑著Sematech聯(lián)盟崛起，也是靠IBM慷慨捐贈(zèng)的一條晶圓線。

的確，IBM現(xiàn)已將其大量芯片生產(chǎn)外包給三星電子。在紐約州奧爾巴尼（Albany）仍保留著一個(gè)芯片制造研究中心。該中心負(fù)責(zé)對(duì)芯片進(jìn)行試運(yùn)行，并與三星和英特爾簽署了聯(lián)合技術(shù)開發(fā)協(xié)議，以使用IBM的芯片制造技術(shù)。

紐約州Albany附近有很多比較出名的大學(xué)和研究中心：例如GE的全球研發(fā)中心、IBM、和相關(guān)的幾家晶圓廠 也就是在這里，IBM悶聲搞大事，加入了本屬于臺(tái)積電和三星的爭(zhēng)奪戰(zhàn)。 去年秋天，蘋果的M1和A14與華為的麒麟9000一起到來(lái)，成為首批基于臺(tái)積電5納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)工藝的處理器。 另一邊，三星正在奮力追趕遲遲落后的五納米制程。 其他制造商，如AMD和高通，現(xiàn)在通常使用臺(tái)積電的7納米芯片（盡管高通的驍龍 888是在三星的5納米技術(shù)上制造的）。

而至于英特爾，這家芯片巨頭計(jì)劃在2025年和2027年分別完成3納米和2納米節(jié)點(diǎn)。在2023年之前該公司不太可能發(fā)布7納米處理器——它目前正在使用10納米和14納米芯片。但是必須承認(rèn)，英特爾的芯片在相同的納米數(shù)字上往往比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手有更大的晶體管密度。

與此同時(shí)，臺(tái)積電也在研究2納米工藝，其4納米芯片工藝有望在2021年底實(shí)現(xiàn)風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，3納米處理器預(yù)計(jì)將在2022年下半年推出，2納米版本也于2019年開始研究，目前正在開發(fā)中。

但雄心歸雄心，鎧甲還是很重要的。 先進(jìn)納米制程所必須的極紫光刻機(jī)EUV，ASML在全球生產(chǎn)了100臺(tái)，其中70臺(tái)都?xì)w臺(tái)積電。

IBM這項(xiàng)2納米芯片制造技術(shù)，還需要幾年時(shí)間才能推向市場(chǎng)。而屆時(shí)臺(tái)積電的3納米或早已稱新王了。 芯片上更多的晶體管也意味著處理器設(shè)計(jì)人員擁有更多的選擇。IBM已經(jīng)在最新一代的IBM硬件中實(shí)現(xiàn)了其他創(chuàng)新的核心級(jí)增強(qiáng)功能，例如IBM POWER10和IBM z15。 但更強(qiáng)大、更高效的CPU正奔赴而來(lái)，這不值得興奮嗎？

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