Q1

現(xiàn)在bga值球客戶退回來的，大家都是自己做的，還是交給封裝廠或客戶做的？

A

少量的樣品，可以手動單個球補的。較多的樣品，建議用植球工具加鋼網(wǎng)的方式植球。或者委案到季豐做。

植球一般是BGA RMA回來，除了登記拍照外，F(xiàn)A步驟的第二步。不然I/V，ATE，都沒法復(fù)測。如果要solder到system bench上，reball更加需要。（不然打磨平也許ATE也可以用）。

關(guān)于植球，有兩個建議：一、植球或去除原來的solder ball之前一定要bake，建議bake 8小時125℃。bake，防止pop-corn效應(yīng)，造成分層。很多本來沒有分層（delamination）的，由于熱操作造成二次損傷，樣品原本的失效模式就容易誤判；二、一定要用stencil，刮錫膏加熱風(fēng)槍，詳細(xì)方法可參考手機維修時的植球，抖音上很多。

Q2

先進(jìn)封裝產(chǎn)品可能由ESD造成的測試Fail？當(dāng)時送樣不規(guī)范，未做靜電防護。HTST168有1顆VOUT 失效，Precon有3顆失效，1顆IQ ，ISD失效，2顆 VOUT失效。應(yīng)該做怎樣的分析流程？我們這邊做了X RAY和SAT，表面觀察沒發(fā)現(xiàn)啥異常。

A

首先失效的樣品，要先確定失效樣品的顆數(shù)和封裝類型等，然后測下全pin腳的IV找到失效的管腳，可以再去倒推看下失效pin腳的x-ray 重點看下，也可以直接繼續(xù)分析die定位問題。TE測試結(jié)果看一下，明顯short，也可以快速的直接開蓋看下是否有燒傷。若是送樣不規(guī)范，造成樣品fail，建議重新做可靠性測試。

Q3

現(xiàn)場回來的電路板，上電后PA沒有功率輸出，用溫槍烘了一下又好了，可能是潮氣的原因也可能是焊接原因，如果是潮氣的原因怎么查能分析出芯片內(nèi)部有水？

A

可以先用SAT看看是不是分層，或者用x ray 看看有沒有虛焊。但是，SAT是不能驗證潮氣，因為超聲波是能穿過水的，但超聲波不能穿過空氣，只能看分層，不能看有沒有水。

檢查濕氣的方法：可以找個洗凈，烘干的透明玻璃杯子，一定要有密封的玻璃蓋子。把芯片放進(jìn)去，高溫下看看玻璃壁上有沒有水汽。或者用軍工上檢查水汽的檢漏儀，看看有沒有水汽?；蛘吣愕碾娐钒逶?20度環(huán)境下烘烤，如果烘烤前是壞的，烘烤后是好的，說明里面有水。因為120度，錫不會融化，錫要260度才可能融化。

如果是水汽引起的，是否想出辦法從測試廠，攔截出這部分芯片，從封裝廠或者晶圓廠找到原因。畢竟這種芯片多了，引起客訴挺嚴(yán)重。

Q4

熱風(fēng)槍的溫度是400度，烘了幾秒鐘后好了。如果是水汽的話，400度芯片會不會爆掉？X-ray +紅墨水是破壞性的么？

A

一般不會的，芯片本身分層嚴(yán)重的，有可能會加劇分層，個人感覺是SMT的焊接溫度不夠虛焊導(dǎo)致的。如果擔(dān)心芯片有問題，可以用SAT、X-ray看看芯片有沒有分層。

X-ray不是破壞性的，紅墨水是破壞性的。

Q5

解釋一下這個測試的參數(shù)都是什么含義嗎？

A

condition看起來是電壓溫度條件，LVHT=low voltage high temperature。sample列應(yīng)該是說的芯片對應(yīng)corner。

Q6

CP或FT是否有專門針對芯片接口的功能測試pattern呢？比如驗證芯片里的一個I2C接口或SGMII接口等。

A

對于ATE測試接口，這與芯片相關(guān)。I2C這種數(shù)字總線，可以通過pattern都寄存器來判斷。sgmii這種差分總線一般是通過prbs來判斷。也可以通過接口配置芯片，控制內(nèi)部寄存器，讀取寄存器，來驗證接口。同時還可以測試芯片在不同配置下的各種功能和性能，就有覆蓋率了。

Q7

這種樣品怎么開封？一直用laser看到wire bonding ，然后再用酸？用什么酸好？

A

laser 太淺了，需要繼續(xù)腐蝕。本身塑封體很厚，所以需要盡可能的靠近die表面的，至少需要source的那根打線漏出來，再配合酸腐就可以了。像這種封裝的芯片die 是一般是低于2焊點的。

可以用x-ray 看下，Al不清楚的情況下側(cè)面去拍下，具體打線位置有個了解，用發(fā)煙硝酸來腐蝕。laser打到Al線脖頸處才停，再去滴酸。或者找季豐開封，即省事又有保證。

Q8

有誰知道在裸芯片上激光打標(biāo)用什么設(shè)備？有型號推薦嗎？

A

Si上要用綠色激光打標(biāo)機。設(shè)備：大族、德龍激光。

Q9

FCLAG產(chǎn)品SAT發(fā)現(xiàn)有異常，切片后發(fā)現(xiàn)有異物，成分分析主要為C、O、N（Al可能是制樣時帶入），大家?guī)兔Ψ治鱿庐愇锟赡苁鞘裁?，怎么產(chǎn)生的？

A

含N很有可能是CPD管道劃到的塑膠，或者晶背的Tape residual。UV的藍(lán)膜好像是含N的。

Q10

QFN封裝做完預(yù)處理后epad上錫發(fā)生移動，有部分聚集現(xiàn)象，表面高低不平，這是怎么會事情？會不會影響后面的環(huán)境實驗和ATE？那高高低低的ATE測試會否影響？

A

若是QFN背面少量的錫因為回流高溫融化了，不影響后續(xù)的實驗，融錫是正常的。但是芯片的表面高低不平，會導(dǎo)致pad和socket的pogopin出現(xiàn)接觸問題，進(jìn)而影響后續(xù)的實驗。

Q11

芯片pad之間的間距有沒有要求？

A

對邊間距10um以上。

Q12

汽車級芯片一般FT要幾個溫度？-40 機臺可以加么？CP作了數(shù)字掃描鏈檢測，F(xiàn)T還是需要再做一遍么？CP和FT的測試項有哪些異同？

A

汽車級芯片一般FT要3個溫度，handler一般可以到-55℃。

CP作了數(shù)字掃描鏈檢測，F(xiàn)T可以不做，如果出于成本考量，CP側(cè)重功能，F(xiàn)T側(cè)重連接性。還有一些是CP不方便測，看具體device，比如SiP的肯定要CP測試。具體的可以參考DFT覆蓋率和ATE覆蓋率，里面內(nèi)容都有定義的。

Q13

不做BTE了，直接就ATE有什么問題？

A

不能用ATE證明ATE。

Q14

如果測試覆蓋率不夠?qū)е率酆髥栴}，是否就意味著推倒重來?；蛘咝麻_發(fā)一款代替舊款？

A

那就想辦法加test coverage。這個得自上而下理念。如果發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品有某些缺陷前期各種測試沒有覆蓋到，后面處理起來就辛苦了。如果能及時找到規(guī)避方案還好。

在我看來，TEST coverage對于模擬就是把所有的block根據(jù)邏輯的依賴關(guān)系全拉出來測一遍，數(shù)字做掃描鏈，IO全測，加OS，還有就是加一些過壓來看前后對比滅掉一些early failure。

還有，test case也要做全，考慮到各種應(yīng)用環(huán)境。測試時長要夠，抽樣量要夠。ATE和功能測試要匹配，測試指標(biāo)要驗證充分。

Q15

汽車級要求多少個ppm失效？

A

目標(biāo)0，現(xiàn)在NXP 的標(biāo)準(zhǔn)是100PPB，100 PPB＝ 0.1PPM。

編輯：jq