在人腦中，海馬體負責記憶相關的重要功能。類似的，在電子系統(tǒng)中，扮演“海馬體”角色的則是存儲器。作為半導體元器件中不可或缺的組成部分，存儲器與數(shù)據(jù)相伴而生，是應用面最廣、市場比例最高的集成電路基礎性產(chǎn)品。數(shù)據(jù)顯示，2020年全球存儲器收入增加135億美元，占2020年整個半導體市場收入增長的44%。

近年來，AI、IoT等技術推動消費電子和大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展，市場對存儲的需求呈現(xiàn)白熱化的趨勢。尤其在IoT領域，產(chǎn)品的功耗和尺寸一直是行業(yè)不斷尋求突破的方向。對于存儲器而言，低功耗、小體積、高運行速度等關鍵特性也逐漸成為打入IoT應用的必要條件。

AIoT多元新需求和端側(cè)算力，推動各類存儲器市場增長和技術演進

萬物互聯(lián)時代，數(shù)據(jù)流源源不斷；同時，算力的提升推動了計算結構的變化——從過去的端到云，變成了現(xiàn)在的云到端。這一過程中，不僅要求物聯(lián)網(wǎng)設備擁有網(wǎng)絡連接能力，還需要一些基礎的計算能力、即主芯片的算力，這也意味著端側(cè)的算法更龐大、更復雜，存儲算法代碼的存儲器容量也隨之增加。

“NOR Flash具備隨機存儲、可靠性強、讀取速度快、可執(zhí)行代碼等優(yōu)異的特性，有望在IoT設備中替代NAND Flash與DRAM。處理器/主芯片可直接從NOR Flash里調(diào)用系統(tǒng)代碼并運行，可同時滿足存儲與運行內(nèi)存的要求，這使得NOR Flash的市場需求逐年增加，預計每年的增長率將超過10%。”兆易創(chuàng)新存儲事業(yè)部資深產(chǎn)品市場總監(jiān)陳暉表示。”

顯然，物聯(lián)網(wǎng)及相關AIoT產(chǎn)品（TWS、可穿戴）的爆發(fā)式增長，已成為NOR Flash存儲器需求增長的主要驅(qū)動力。相關數(shù)據(jù)顯示，2020年全球NOR Flash市場規(guī)模在30.6億美元左右，到2022年將進一步增長到37.2億美元。

據(jù)陳暉介紹，作為存儲領域的主力產(chǎn)品，兆易創(chuàng)新SPI NOR Flash已經(jīng)擁有26個產(chǎn)品線系列、16種產(chǎn)品容量、7種溫度規(guī)格、4個電壓范圍以及25種封裝方式。數(shù)據(jù)表明，自2008年推出中國首顆SPI NOR Flash以來，兆易創(chuàng)新已成為全球排名第三、中國排名第一的NOR Flash供應商，F(xiàn)lash產(chǎn)品累計出貨量更是超過160億顆！

在耀眼成績的背后，是兆易創(chuàng)新不斷尋求自身突破的決心。陳暉表示：“兆易創(chuàng)新的策略一直緊密結合市場的動態(tài)，依靠產(chǎn)品定義與特點推出不同性能的產(chǎn)品，滿足客戶多樣化的需求，逐漸覆蓋工業(yè)、消費，甚至汽車等領域。”目前，兆易創(chuàng)新55nm先進制程工藝的SPI NOR Flash已進入全線量產(chǎn)階段，相較前一代產(chǎn)品性能更高、容量更豐富、功耗也更低。針對車用市場也推出了車規(guī)級3.0v 、1.8v SPI NOR Flash產(chǎn)品，容量涵蓋2Mb-2Gb，滿足不同的車載應用需求。

除了NOR Flash之外，SLC NAND Flash、DRAM亦是兆易創(chuàng)新側(cè)重的存儲產(chǎn)品方向，并持續(xù)加大投入。2020年10月，兆易創(chuàng)新正式推出全國產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點的4Gb SPI NAND Flash產(chǎn)品——GD5F4GM5系列。該系列實現(xiàn)了從設計研發(fā)、生產(chǎn)制造到封裝測試所有環(huán)節(jié)的純國產(chǎn)化和自主化，并已成功量產(chǎn)。另外在DRAM內(nèi)存芯片布局方面，2021年6月兆易創(chuàng)新宣布首款自有品牌4Gb DDR4產(chǎn)品GDQ2BFAA系列量產(chǎn)，該產(chǎn)品實現(xiàn)了從設計、流片，到封測、驗證的全國產(chǎn)化，標志著兆易創(chuàng)新成功將業(yè)務觸角拓展到了DRAM主流存儲市場。

追逐尺寸、功耗、安全、性能 “全優(yōu)”？高超的產(chǎn)品定義是一門藝術

蓬勃發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)為NOR Flash市場注入了一劑強心針，但物聯(lián)網(wǎng)應用場景的多樣性、復雜性，也給NOR Flash帶來了全新的挑戰(zhàn)。比如，盡管封裝體積小、信號引線少是SPI NOR Flash的主要優(yōu)點，但在IoT設備日趨小型化的要求下、進一步縮小產(chǎn)品封裝體積勢在必行；多數(shù)物聯(lián)網(wǎng)應用由于地理位置或成本原因，某些場合甚至需要10年以上，因此功耗也是物聯(lián)網(wǎng)終端或模塊最重要的指標之一。此外，諸如容量、安全等方面也是廠商不得不面臨的挑戰(zhàn)課題。

以近年來愈發(fā)火熱的可穿戴設備來看，此類設備一方面需要采集用戶的數(shù)據(jù)信息提供智能化的建議，例如位置信息、心率信息等，另一方面也需要把外界數(shù)據(jù)傳輸給用戶，如音樂、視頻與通話等，這些過程都離不開NOR Flash的支持。在內(nèi)部空間“寸土寸金”的情況下，其電子元器件需要滿足體積小、低功耗的要求。

譬如，隨著TWS耳機邁入2.0時代，包括OTA升級、骨傳導、語音識別、降噪、觸控等多種功能的出現(xiàn)，為了存儲更多固件和代碼程序，往往需要外擴一顆32Mbit甚至更大容量的SPI NOR Flash，同時也要求小體積和低功耗。

作為應對之道，兆易創(chuàng)新今年初宣布將WLCSP封裝方式引入自家存儲器件。跟其它封裝相比，在同等容量下兆易創(chuàng)新存儲器件的尺寸最小能做到長寬均不足1mm、最薄0.25mm，約是USON8 （3mm x 2mm）封裝體積的1/10。針對TWS耳機產(chǎn)品，兆易創(chuàng)新還可以根據(jù)客戶需求，將Flash與主芯片采用疊封的形式，不用單獨再為Flash開一塊空間，對整個系統(tǒng)PCB的面積縮減有極大幫助。

此外，兆易創(chuàng)新還推出了業(yè)界讀功耗最低的LE系列SPI NOR Flash，其工作電壓為1.65~2.0V，產(chǎn)品容量涵蓋2Mb~512Mb，可滿足不同應用需求。在功耗方面，該LE系列的睡眠電流低至0.1uA，四通道133Hz的情況下讀取功耗低至5mA，比行業(yè)平均水平低40%左右。

安全性則是存儲器設計和應用的另一大考量。在IoT應用中，F(xiàn)lash由于存儲了眾多關鍵的系統(tǒng)代碼，相較SoC更容易被作為攻擊的對象，提升安全性顯得尤為重要。

“提升系統(tǒng)安全性不能只是從Flash安全規(guī)格或加密技術入手，更多需要將Flash與主芯片，如MCU、SoC等進行整體考慮。雖然安全級別一般而言是越高越好，但我們考慮Flash的安全功能，應該與終端產(chǎn)品定位、主芯片定位相互匹配，這樣才能做出符合市場需求的均衡產(chǎn)品。”陳暉表示，“當然，兆易創(chuàng)新Flash正在結合自身的MCU產(chǎn)品，或與更多SoC廠商進行緊密合作，致力于提升對IoT設備及系統(tǒng)的安全性能。”

存算感一體，兆易創(chuàng)新產(chǎn)品生態(tài)協(xié)同效應初現(xiàn)

事實上，不只是物聯(lián)網(wǎng)，在包括汽車電子、5G、智能手機，以及TDDI將觸控功能整合進入驅(qū)動IC等需求的推動下，NOR Flash市場潛能已經(jīng)被完全激活。

“目前，兆易創(chuàng)新已經(jīng)與領先的通信設備廠商達成了合作，同時針對車規(guī)市場更大容量的512Mb-2Gb產(chǎn)品也通過了AEC-Q100的認證。”陳暉表示，“隨著用戶需求增加、系統(tǒng)功能更新、代碼復雜度提升，未來兆易創(chuàng)新的Flash產(chǎn)品將繼續(xù)向大容量、高性能、高可靠性、低功耗、小封裝的方向演進。”

除了Flash和MCU業(yè)務，聯(lián)動基于觸控和指紋識別的傳感器業(yè)務，兆易創(chuàng)新正積極推進產(chǎn)業(yè)整合、拓展戰(zhàn)略布局，打造存儲、控制、傳感、互聯(lián)、以及邊緣計算的一體化解決方案滿足客戶的不同需求。萬物互聯(lián)時代，兆易創(chuàng)新全面布局“ 存儲+MCU+傳感器”的強強組合形成了獨特的生態(tài)協(xié)同效應，即使在產(chǎn)能緊張的背景下，仍然通過供應鏈多元化管理的布局優(yōu)勢，成為率先恢復產(chǎn)能有序供應的半導體企業(yè)，從而應對不斷變化的行業(yè)發(fā)展挑戰(zhàn)。

原文標題：AIoT碎片應用和算力撬動新機遇，兆易創(chuàng)新多元化存儲布局背后邏輯揭秘

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