在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁陶瓷

博世資訊小助手 ? 來源:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 作者:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2021-08-24 09:31 ? 次閱讀

9月9-11日,英飛凌將隆重亮相PCIM Asia深圳展會(huì),通過四大展示空間“工業(yè)與能源”、“電動(dòng)車輛”、“高能效智能家居”和“數(shù)字島”向來訪者展示了英飛凌在技術(shù)和產(chǎn)品上的成果,用全新的形式與業(yè)內(nèi)人士交流互動(dòng)產(chǎn)品和應(yīng)用技術(shù)。

借英飛凌碳化硅20周年之際,9月10日,我們?cè)谡箷?huì)會(huì)場(chǎng),隆重舉辦第三屆碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇,敬請(qǐng)蒞臨。

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置, EasyDUAL 1B版本的導(dǎo)通電阻(RDS(on))為11 mΩ,EasyDUAL 2B版本的導(dǎo)通電阻(RDS(on))為6mΩ。升級(jí)為高性能AIN后,該1200 V器件適合用于高功率密度應(yīng)用,包括太陽(yáng)能系統(tǒng)、不間斷電源、輔助逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、大功率DCDC變換器、高速電機(jī)和電動(dòng)汽車充電樁等。

EasyDUAL模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有優(yōu)良的柵極氧化層可靠性最新CoolSiC MOSFET技術(shù)。由于DCB材料的熱導(dǎo)率更高,結(jié)到散熱器的熱阻(RthJH)最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模塊中,該新型AIN陶瓷可幫助提高輸出功率或降低結(jié)溫,進(jìn)而可以延長(zhǎng)系統(tǒng)壽命。

供貨情況

EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70現(xiàn)在即可訂購(gòu)。點(diǎn)擊文末“閱讀原文”,了解更多產(chǎn)品信息

英飛凌設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造并銷售各種半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。其業(yè)務(wù)重點(diǎn)包括汽車電子、工業(yè)電子、射頻應(yīng)用、移動(dòng)終端和基于硬件的安全解決方案等。

英飛凌將業(yè)務(wù)成功與社會(huì)責(zé)任結(jié)合在一起,致力于讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。半導(dǎo)體雖幾乎看不到,但它已經(jīng)成為了我們?nèi)粘I钪胁豢苫蛉钡囊徊糠帧2徽撛陔娏ιa(chǎn)、傳輸還是利用等方面,英飛凌芯片始終發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外,它們?cè)诒Wo(hù)數(shù)據(jù)通信,提高道路交通安全性,降低車輛的二氧化碳排放等領(lǐng)域同樣功不可沒。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    2288

    瀏覽量

    139940
  • 模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    2769

    瀏覽量

    48936
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28309

    瀏覽量

    229778

原文標(biāo)題:PCIM展臺(tái)預(yù)覽 | 采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET功率模塊

文章出處:【微信號(hào):bsmtxzs,微信公眾號(hào):博世資訊小助手】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    氮化鋁陶瓷基板:高性能電子封裝材料解析

    氮化鋁陶瓷基板是以氮化鋁(AIN)為主要成分的陶瓷材料,具有高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)、優(yōu)良電性能和機(jī)械性能等特點(diǎn)。它廣泛應(yīng)用于高效散熱(如高功率LED和IGBT
    的頭像 發(fā)表于 03-04 18:06 ?275次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化鋁</b><b class='flag-5'>陶瓷</b>基板:高性能電子封裝材料解析

    英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

    公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC
    的頭像 發(fā)表于 02-21 16:38 ?290次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)<b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 650 V G2

    揭示電子行業(yè)中氮化鋁的3個(gè)常見誤區(qū)

    雖然早在1862年就首次開發(fā)了氮化鋁(AIN),但直到20世紀(jì)80年代,其在電子行業(yè)中的潛力才被真正認(rèn)識(shí)到。經(jīng)過幾年的發(fā)展,氮化鋁憑借其獨(dú)特的特性,成為下一代電力電子設(shè)備(如可再生能源系統(tǒng)和電動(dòng)汽車
    的頭像 發(fā)表于 01-22 11:02 ?382次閱讀
    揭示電子行業(yè)中<b class='flag-5'>氮化鋁</b>的3個(gè)常見誤區(qū)

    化鋁隔斷粉在氧化鋁陶瓷基板的應(yīng)用

    高純度:氧化鋁隔斷粉通常具有非常高的純度,雜質(zhì)含量極低,這有助于確保陶瓷基板的性能穩(wěn)定性和可靠性。 細(xì)小粒度:氧化鋁隔斷粉的粒度通常在微米級(jí)別,這使得它在陶瓷基板中能夠均
    的頭像 發(fā)表于 11-06 15:45 ?410次閱讀
    氧<b class='flag-5'>化鋁</b>隔斷粉在氧<b class='flag-5'>化鋁</b><b class='flag-5'>陶瓷</b>基板的應(yīng)用

    英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2,提高系統(tǒng)功率密度

    程度地利用PCB主板和子卡,同時(shí)兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前, 英飛凌正在通過采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列,擴(kuò)展其 CoolSiC MOSFET分立式
    的頭像 發(fā)表于 09-07 10:02 ?1458次閱讀

    英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

    英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價(jià)比,在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌
    的頭像 發(fā)表于 09-03 14:50 ?723次閱讀

    氮化鋁封裝材料:讓電子設(shè)備更穩(wěn)定、更可靠

    氮化鋁,化學(xué)式AlN,是一種具有優(yōu)異性能的陶瓷材料。近年來,隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,電子封裝材料的需求也日益增長(zhǎng)。在眾多材料中,氮化鋁憑借其出色的物理和化學(xué)性質(zhì),逐漸成為理想的電子封
    的頭像 發(fā)表于 08-06 10:10 ?1207次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化鋁</b>封裝材料:讓電子設(shè)備更穩(wěn)定、更可靠

    貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

    應(yīng)用。 ? 貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2 MOSFET可在所有常見電源方案組合(AC-DC、DC-DC和DC-AC)中樹立高質(zhì)量標(biāo)桿,并進(jìn)一步利用英飛凌獨(dú)特的
    發(fā)表于 07-25 16:14 ?737次閱讀

    CoolSiC? MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場(chǎng)

    全球能源轉(zhuǎn)型相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域,例如,光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。英飛凌CoolSiC產(chǎn)品系列在這些領(lǐng)域大有可為。掃碼下載英飛凌碳化硅白皮書QCoolSi
    的頭像 發(fā)表于 07-12 08:14 ?643次閱讀
    <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b>  G2助力<b class='flag-5'>英飛凌</b>革新碳化硅市場(chǎng)

    氮化鋁AlN電阻器-厚膜AlN電阻

    氮化鋁的功能來自其 熱、電和機(jī)械性能的組合。氮化鋁是一種高性能材料,具有優(yōu)異的熱傳導(dǎo),機(jī)械強(qiáng)度和耐腐蝕性能。其電阻率也是其重要的物理性質(zhì)之一,對(duì)于在電子器件中的應(yīng)用具有重要意義。氮化鋁的電阻率與其
    的頭像 發(fā)表于 07-04 07:37 ?825次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化鋁</b>AlN電阻器-厚膜AlN電阻

    用于射頻功率應(yīng)用的氮化鋁電阻元件

    EAK推出了新的厚膜氮化鋁 (AlN) 電阻器和端接系列,以補(bǔ)充公司現(xiàn)有的產(chǎn)品。傳統(tǒng)上,射頻功率電阻元件采用氧化鈹(BeO)陶瓷材料作為陶瓷基板;然而,由于國(guó)際上要求從產(chǎn)品中去除BeO的壓力,AlN
    的頭像 發(fā)表于 06-24 07:35 ?622次閱讀
    用于射頻功率應(yīng)用的<b class='flag-5'>氮化鋁</b>電阻元件

    氮化鋁與氧化鈹用于大功率電阻器產(chǎn)品

    炎癥。由于全球新興的健康和安全法規(guī),各行各業(yè)都在限制使用BeO作為陶瓷基板材料。因此,電子行業(yè)正在尋找環(huán)保的基板材料來替代BeO。氮化鋁 (AlN) 的早期開發(fā)發(fā)生在 1960 年代,用于陶瓷封裝。AlN的導(dǎo)熱系數(shù)遠(yuǎn)優(yōu)于氧
    的頭像 發(fā)表于 06-19 07:23 ?1048次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化鋁</b>與氧化鈹用于大功率電阻器產(chǎn)品

    英飛凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V

    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求,而且即使面對(duì)嚴(yán)格
    的頭像 發(fā)表于 05-24 10:13 ?1396次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新<b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 2000V

    英飛凌CoolSiC? MOSFET G2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)

    靠性。在碳化硅材料中,垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優(yōu)化潛力。 安富利合作伙伴英飛凌推出的CoolSiC MOSFET G2溝槽技術(shù)繼承了G1的高可靠性。 基于所有已售出的
    發(fā)表于 05-16 09:54 ?904次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> G2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)

    英飛凌小米新款SU7智能電動(dòng)汽車提供碳化硅 (SiC) 功率模塊

    近日,我們注意到在電動(dòng)車行業(yè)中,小米電動(dòng)汽車的新款SU7將由英飛凌科技提供具備碳化硅(SiC)元素的功率模塊CoolSiC以及裸芯片產(chǎn)品。英飛凌的這款
    的頭像 發(fā)表于 05-07 11:30 ?608次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>為</b>小米新款SU7智能電動(dòng)汽車提供碳化硅 (SiC) 功率<b class='flag-5'>模塊</b>
    主站蜘蛛池模板: 日本大片免费观看视频 | 婷婷色婷婷 | 男女一进一出抽搐免费视频 | 国产成人永久免费视频 | 免费看黄色毛片 | 嫩草黄色影院 | 久久青草18免费观看网站 | 欧美一级片在线免费观看 | 亚洲一卡2卡4卡5卡6卡在线99 | 美女视频一区二区三区在线 | 亚州国产精品精华液 | 国产午夜大片 | 四虎最新地址 | 欧美视频精品一区二区三区 | 亚洲www网站 | 国产在线永久视频 | 日本大黄在线观看 | 欧美一欧美一区二三区性 | 欧美色炮 | 亚洲男女免费视频 | 人人公开免费超级碰碰碰视频 | 国产综合视频在线观看 | 日韩一级在线播放免费观看 | 色综合久久久久综合99 | 男人不识本网站上遍色站也枉然 | 亚洲黄色天堂 | 久久15 | 在线一区二区观看 | 欧美ol丝袜高跟秘书在线播放 | 国产精品久久久久久久久免费观看 | 国产美女视频黄a视频全免费网站 | 久久好色 | 四虎在线最新地址4hu | 美日毛片 | 国产哺乳期奶水avav | 中文字幕有码在线视频 | 夜夜欢视频 | 欧美最猛黑人xxxx黑人猛交黄 | 午夜日本一区二区三区 | 欧美xxxx性特级高清 | 国产成人精品一区二区三区 |