電子發燒友網報道（文/黃晶晶）Power-SOI主要構造為單晶頂層硅片（mono-crystal top material），中間氧化埋層（buried oxide）及底層的硅基底（silicon base）。由于Power-SOI晶圓加厚Buried Oxide結構，能夠有效克服高電壓可能穿透元件的問題，實現功率元件使用上的穩定性。因此，Power-SOI主要應用于BCD（BIPOLAR-CMOS-DMOS）功率集成電路制造技術中的高壓元件集成。據法國半導體材料供應商Soitec的內部估算，在Power-SOI汽車領域，2021年大概每臺車里面有200mm2面積的用量。預計三到五年內該用量將從200mm2提高到300mm2。

Power-SOI的結構示意圖

Power-SOI的主要市場

智能駕駛、ADAS系統促使Power-SOI器件需求的增加，之所以Power-SOI受到青睞一個關鍵因素是Power-SOI能夠滿足功能安全（FuSa）的嚴苛要求，賦能關鍵汽車應用。在最近對Soitec公司Specialty-SOI事業部業務發展經理林展鵬的采訪中，他詳細分析了Power-SOI的技術優勢與市場機會。



當前Power-SOI主要應用于汽車、工業、醫療市場。其中最大的市場來自于汽車，其次是工業，再是醫療。Soitec的Power-SOI已經在車載網絡IVN、柵極驅動器、電源管理系統BMS方面占有較大市場份額，新應用主要聚焦在智能電機控制和智能電源管理領域。工業類的Power-SOI也基本上與汽車類的相同，不同是工業類應用還有以太網供電PoE等。醫療類的Power-SOI集中應用在PMIC、柵極驅動器、超聲脈沖發生器IC和專用標準產品電機控制器等。

車載和工業用 Power-SOI的趨勢

在汽車和工業領域有四大趨勢推動Power-SOI市場的不斷增長。

第一是48V電氣系統的應用。隨著混動汽車的流行，48V的電氣系統也愈發受到關注。48V的電氣系統主要是代替以前12V電氣系統。林展鵬分析，當電氣系統電壓提高到48V時，對于用BCD制程做高集度的IC，它的工作電壓需求從60V提高到200V。200V正在成為新的BCD制程工藝的主流。在這一趨勢下，Power-SOI的使用率會越來越高，BCD工作電壓提高到120V以上時，Power-SOI 能夠讓晶圓片的面積顯著減小，最多可以節省接近40倍。



另外，“傳統48V轉12V，它的效率大概在95%。當它從12V轉3.3V或者1.05V的時候，大概是90%的效率。綜合來看，它的效率大概最多只能達到80%。如果把它直接從48V轉1.05V，它的效率可以輕而易舉達到88%以上。”林展鵬說道，48V的電氣系統有效地提升了能效的轉換和利用。

第二是FuSa（Functional Safety，功能安全）。它的應用范圍主要是汽車和工業，包括汽車的自動導航系統、先進駕駛輔助系統（ADAS）和工業4.0等。其中，汽車應用標準為ISO26262，工業標準為IEC61508。

要達到FuSa認證，那么IC內部對數字電路和NVM（非易失性存儲器）有明顯增加。對低 FIT （故障率）有更高的集成需求，要實現低FIT，最好的方法是將整個系統的IC數量減少，實現更高的集成度。此外，FuSa有著更嚴格的制程和更強的穩定性的要求。



第三是純電動車和混動車對汽車規格的認證比如AEC-Q100C的需求很高。尤其是純電動車適用的AEC-Q100C Grade 0認證，對IC結溫（junctiontemperature）的要求是必須大于175攝氏度。這對傳統體硅（bulk silicon）是一個很大的挑戰，而Power-SOI可以輕松實現這一點。

另一方面，隨著汽車排放標準要求的不斷提升，模組需要更高的功率密度和更優性能，那么整個模組變輕變小后，車輛可以行駛更長的路程，實現更優化的排放。

第四是工業4.0和狀態監測系統新需求。對工業規格的智能功率集成IC和附有狀態監測系統功能的IC而言，它們對于可編程功能、診斷性功能、智能功率管理功能的需求也日益提高。這些應用也會像FuSa一樣，需要大量數字電路和存儲器以實現相應的功能。同時智能功率IC也對集成度有更高要求，例如把小型MCU加入在同一個功率IC上面。

基于這四大趨勢，Power-SOI以良好的性能表現將成為越來越多功率半導體的選擇。

Power-SOI的特性

具體來看，Power-SOI襯底有哪些特性和優勢，來滿足汽車和工業等領域的需求。

林展鵬分析，首先是高溫環境下，例如AEC-Q100C Grade 0的規格認證達到了175攝氏度的要求，Power-SOI由于漏電流很低，能夠在高溫環境下操作。漏電流低，則不需要外接的溫度補償電路，可以讓IC設計更簡化，從而加速上市時間。

其次，對于高可靠性和高耐抗性的需求。由于Power-SOI主要強調無閂鎖效應（latch-up free），SOI本身不會有傳統體硅制程產生的附生晶體管和附生二極管。如果制程沒有閂鎖，更容易達到ASIL認證的C和D級別。此外在一些新應用上它的開關頻率變高，需要支持超過或低于的電壓需求，Power-SOI可以不用外加任何電路實現。Power-SOI還有很高的抗噪能力，減少串擾，以及加強EMC/EMI和ESD。

再者，在高性能方面，Power-SOI具有更低的功耗和更高的效率；更小的功率晶體管、導通電阻和溫度依賴性；更高的開關頻率和更快的反向恢復；以及更高的功率密度等特性。

此外，Power-SOI利用DTI做到電氣隔離，支持高達 1,200V 的工作電壓。可以把極高和極低的電壓整合在同一塊晶圓片上，從而實現更小的芯片尺寸。

FuSa認證要求 助推功率器件從8寸向12寸擴展

雖然當前功率器件仍然以8寸晶圓為主流，不過對于新開的產能，很多IDM或晶圓代工廠都會有意轉向12寸。

林展鵬認為原因主要是兩方面，一是現在基本買不到8寸的設備，即便是二手設備，價格也非常高；二是近幾年功率器件在高端應用上的普及化，令12寸變得不那么難生產。當然，現在市場的缺貨也是轉向12寸產線的原因。

但更多的因素還是在于未來趨勢。因為功能安全、智能電源、數字電路和存儲器增加等因素，使得晶圓面積在大于50%的時候，很多廠商會考慮使用更先進的制程。例如從傳統的180nm轉成90nm及以下。同時對于90nm以下的制程，如果使用8寸晶圓會非常昂貴且不合理，因此，大部分12寸的應用都會是針對FuSa要求比較高的應用。例如，電源管理IC、系統基礎IC、SBC等要求比較多的數字電路，那么很多廠商會考慮用65nm，此時12寸就是一個很好的選擇。一些客戶在做未來產品規劃時，希望同時有12寸跟8寸兩個平臺，且制程逐漸同步化。

小結：

綜合來看，隨著智能駕駛、ADAS以及工業4.0的發展，在應對48伏電氣系統、FuSa功能安全認證等新需求方面，具有優勢的Power-SOI無論是從技術還是供應方面都在不斷提升與之相適應。

Soitec公司在SOI市場擁有豐富的技術積累和完善的供應體系，在國內與上海新傲科技合作向中國客戶穩定供貨，并持續投資提升產能。作為晶圓襯底供應商，Soitec專業的FAE和產品團隊為客戶新產品的集成和優化提供支持，縮短測試時間，賦能更快的上市時間。

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