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探究晶體管發(fā)展歷程

OpenFPGA ? 來(lái)源:OpenFPGA ? 作者: 碎碎思 ? 2021-10-11 11:30 ? 次閱讀

晶體管之路

可以夸張地說,沒有他們的發(fā)明就沒有現(xiàn)在計(jì)算機(jī)的科學(xué),所以我們非常有必要去了解這些東西(晶體管)的歷史。

晶體管于 1947 年在貝爾實(shí)驗(yàn)室(美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室是晶體管、激光器、太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管、數(shù)字交換機(jī)、通信衛(wèi)星、電子數(shù)字計(jì)算機(jī)、C語(yǔ)言、UNIX操作系統(tǒng)、蜂窩移動(dòng)通信設(shè)備、長(zhǎng)途電視傳送、仿真語(yǔ)言、有聲電影、立體聲錄音,以及通信網(wǎng)等許多重大發(fā)明的誕生地。

自1925年以來(lái),貝爾實(shí)驗(yàn)室共獲得兩萬(wàn)五千多項(xiàng)專利,現(xiàn)在,平均每個(gè)工作日獲得三項(xiàng)多專利。貝爾實(shí)驗(yàn)室的使命是為客戶創(chuàng)造、生產(chǎn)和提供富有創(chuàng)新性的技術(shù),這些技術(shù)使朗訊科技(Lucent Technologies)公司在通信系統(tǒng)、產(chǎn)品、元件和網(wǎng)絡(luò)軟件方面處于全球領(lǐng)先地位。

一共獲得8項(xiàng)(13人)諾貝爾獎(jiǎng)(其中7項(xiàng)物理學(xué)獎(jiǎng),1項(xiàng)化學(xué)獎(jiǎng))-來(lái)源于百度百科(貝爾實(shí)驗(yàn)室))由 John Bardeen、Walter Brattain 和 William Shockley 的團(tuán)隊(duì)發(fā)明,他們后來(lái)因此獲得了諾貝爾獎(jiǎng)。第一個(gè)晶體管是鍺點(diǎn)接觸晶體管,由兩個(gè)與鍺片表面點(diǎn)接觸的薄電極組成,第三根導(dǎo)線連接到基極。

許多早期的實(shí)驗(yàn)包括斷開點(diǎn)接觸鍺二極管,并通過反復(fù)試驗(yàn),找到可以連接第三根導(dǎo)線的位置,使設(shè)備的增益大于 1[http://www.jmargolin.com/history/ibm.htm]。1947 年,鍺和硅點(diǎn)接觸二極管已經(jīng)問世了好幾年了,其中有下面有趣的故事。

它始于 1906 年。

1906 年是影響未來(lái)幾年世界的年份之一,盡管當(dāng)時(shí)很少有人意識(shí)到這一點(diǎn)。1906 年 10 月,格林利夫·惠蒂爾·皮卡德(詩(shī)人約翰·格林利夫·惠蒂爾的外甥)獲得了一項(xiàng)關(guān)于接收無(wú)線電信號(hào)的方法的專利,其中包括一個(gè)硅點(diǎn)接觸二極管。{美國(guó)專利 836-531于 1906 年 8 月 30 日提交并于 1906 年 11 月 20 日頒發(fā)} 不久之后,Henry Dunwoody 獲得了一項(xiàng)關(guān)于使用由碳化硅(silicon carbide)制成的點(diǎn)接觸式探測(cè)器的系統(tǒng)的專利。{美國(guó)專利 837-616于 1906 年 3 月 23 日提交并于 1906 年 12 月 4 日頒發(fā)}。

這些探測(cè)器遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于當(dāng)時(shí)正在使用的探測(cè)器。1906 年之前,無(wú)線電系統(tǒng)(或稱為無(wú)線電報(bào))有一個(gè)由電感器組成的發(fā)射器,該電感器充有電流,然后通過間隙(火花隙)放電。火花隙的一側(cè)接地,另一側(cè)連接到盡可能長(zhǎng)且盡可能高的天線接收器同樣使用了一個(gè)天線(盡可能長(zhǎng)和高),該天線連接到一個(gè)稱為相干器的設(shè)備。

相干器由Edouard Branly于 1890 年開發(fā),是一個(gè)松散填充金屬屑的玻璃管,兩端的觸點(diǎn)與電池和某種信號(hào)或記錄儀器串聯(lián)。通常,金屬屑太松散而無(wú)法傳導(dǎo)電流,但是當(dāng)電磁信號(hào)到達(dá)凝聚器時(shí),金屬屑會(huì)聚結(jié)(凝聚)并且電流將流過電路以啟動(dòng)信號(hào)或記錄儀器。

不幸的是,當(dāng)信號(hào)停止時(shí),金屬屑并沒有恢復(fù)到不導(dǎo)電狀態(tài),因此必須輕敲管子,為下一個(gè)信號(hào)做好準(zhǔn)備。先進(jìn)的 coherers 使用記錄設(shè)備驅(qū)動(dòng)小錘子進(jìn)行敲擊。

雖然相干器不是很敏感,但是令人驚訝的是,這樣一個(gè)奇怪的設(shè)備竟然能工作,當(dāng)馬可尼在 1901 年跨越大西洋時(shí),正是這個(gè)設(shè)備被用作探測(cè)器。(當(dāng)然,他的天線在風(fēng)箏末端有 400 英尺長(zhǎng)。)你可以在 Marconi 的美國(guó)專利{ 1896 年 12 月 7 日提交并于 1897 年 7 月 13 日頒發(fā)的美國(guó)專利 586-193 中看到這一點(diǎn)。這是他著名的英國(guó)專利號(hào) 7,777 的美國(guó)版本。}查看這一天才發(fā)明。

那么,硅點(diǎn)接觸二極管是在 1906 年就被發(fā)明了,為什么要添加另一條導(dǎo)線來(lái)制作晶體管需要這么長(zhǎng)時(shí)間?有幾個(gè)原因。

追根溯源-1883 年

第一個(gè)原因是 1906 年發(fā)明的其他東西是 1883 年發(fā)生的事情的結(jié)果。

1883 年,托馬斯·愛迪生注意到,如果將電線插入燈泡并連接到正電壓,電流就會(huì)流動(dòng)(愛迪生效應(yīng))。因?yàn)樗τ诮ㄔO(shè)世界上第一個(gè)商業(yè)發(fā)電站盡管愛迪生效應(yīng)對(duì)他來(lái)說很不尋常,但是愛迪生并沒有跟進(jìn)。具有諷刺意味的是,愛迪生發(fā)現(xiàn)了將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的方法,因?yàn)樗浅7磳?duì)交流電。他的所有發(fā)電系統(tǒng)都是直流電,其中一些系統(tǒng)直到 1940 年代仍在紐約市的部分地區(qū)使用。

1904 年,約翰·安布羅斯·弗萊明爵士 (Sir John Ambrose Fleming) 獲得了雙電極真空管的專利(即真空管二極管)。他曾為愛迪生工作,知道愛迪生效應(yīng){弗萊明的美國(guó)專利 803-684于 1905 年 4 月 19 日提交并于 1905 年 11 月 7 日頒發(fā)。}。

1906年二極管檢測(cè)

1906 年,Lee de Forest 發(fā)明了三極管真空管。{美國(guó)專利 879-532于1907 年 1 月 29 日提交并于 1908 年 2 月 18 日頒發(fā)} 三極管真空管是第一個(gè)可以放大模擬信號(hào)功率的設(shè)備。(1943年的莫爾斯電碼振蕩器和再生式接收機(jī)電可被視為數(shù)字信號(hào)放大器。)

專利內(nèi)容:

“我的發(fā)明的目的是通過下文更全面描述的結(jié)構(gòu)特征和電路布置來(lái)提高在其結(jié)構(gòu)中包括氣態(tài)介質(zhì)的振蕩檢測(cè)器的靈敏度。”

Lee de Forest 認(rèn)為他的三極管只是一種更靈敏的二極管檢測(cè)器。1911 年,埃德溫·阿姆斯特朗 (Edwin Armstrong) 第一個(gè)認(rèn)識(shí)到三極管可以用作放大器。

三極管真空管并沒有立即流行起來(lái),因?yàn)樗鼈儍r(jià)格昂貴,壽命短,而且放大率也不高。1914 年,AT&T 購(gòu)買了用于無(wú)線電接收器的三極管的使用權(quán),并開始對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)。第一次世界大戰(zhàn)的到來(lái),進(jìn)一步刺激了發(fā)展。

因此,當(dāng)點(diǎn)接觸二極管在 1906 年發(fā)明時(shí),放大是一個(gè)新概念,人們對(duì)研究已經(jīng)更好的東西更感興趣-真空三極管。

技術(shù)和設(shè)備

另一個(gè)原因是半導(dǎo)體需要高純度以及受控量的雜質(zhì)來(lái)創(chuàng)建 p 型和 n 型材料的技術(shù)和設(shè)備不存在;此外,人們不知道他們需要這個(gè)。他們不知道的原因是沒有人知道點(diǎn)接觸二極管是如何工作的。

直到 1930 年代后期,德國(guó)的 Walter Schottky、英國(guó)的 Nevill F. Mott 和蘇聯(lián)的 Alexander Davydov 才提出金屬-半導(dǎo)體結(jié)的理論:半導(dǎo)體材料在結(jié)處耗盡載流子,這對(duì)通過結(jié)的平衡電子流形成有效屏障。施加降低勢(shì)壘的電場(chǎng)(半導(dǎo)體側(cè)的更高電位)允許電子流動(dòng),而該電場(chǎng)的反轉(zhuǎn)進(jìn)一步耗盡半導(dǎo)體的載流子,從而提高電子流動(dòng)的勢(shì)壘。我們有一個(gè)二極管整流器。

盡管人們不知道點(diǎn)接觸二極管的工作原理,但這并沒有阻止他們制造和使用它們。直到 1920 年代,無(wú)線電都是摩爾斯電碼,大多數(shù)無(wú)線電由業(yè)余無(wú)線電愛好者(業(yè)余愛好者)、從事發(fā)送信息業(yè)務(wù)的商業(yè)電臺(tái)或海軍操作電臺(tái)。

真空三極管對(duì)于大多數(shù)DIYer來(lái)說太貴了,所以他們的大部分收音機(jī)都使用晶體探測(cè)器。有些人買不起市售的晶體探測(cè)器,于是用一塊方鉛礦晶體和貓須自制了探測(cè)器。方鉛礦是硫化鉛的名稱,硫化鉛是鉛的主要礦石。貓的胡須其實(shí)是一根很細(xì)的線。該裝置是為一個(gè)終端與方鉛礦建立良好的連接,并用貓須四處探查,為另一個(gè)終端尋找“最佳位置”。

第一個(gè)真空管不能產(chǎn)生很大的功率,所以只能傳輸文字信息。當(dāng)真空管發(fā)展到可以產(chǎn)生大量功率的程度,語(yǔ)音和音樂的傳輸就成為可能,廣播就誕生了。真空管制造商將其視為為其產(chǎn)品創(chuàng)造需求的一種方式,因此,許多早期的廣播電臺(tái)都是由真空管制造商創(chuàng)辦的。像美國(guó)廣播公司這樣的公司。

盡管真空管占據(jù)了中心位置,但對(duì)半導(dǎo)體的一些研究仍在繼續(xù)。

1926 年,鍺被添加到半導(dǎo)體列表中。這是一個(gè)由硅、硒和碲組成的半導(dǎo)體。

氧化銅整流器(美國(guó)專利 1,640,335于 1927 年 8 月 23 日授予 Grondahl。)是由 LO Grondahl 和 PH Geiger (蓋革)(蓋革(Geiger,Hans Wilhelm)德國(guó)物理學(xué)家,著有蓋革-米勒計(jì)數(shù)器)于 1927 年發(fā)明的。氧化銅整流器具有良好的正向電流傳導(dǎo),但額定反向電壓較差,約為 6 伏。然而,因?yàn)樗鼈兛梢越⒃诎迳隙皇屈c(diǎn)接觸,更大的表面積意味著它們可以處理大電流(大約 7 安培),并在電池充電器中使用了一段時(shí)間。出于某種原因,蓋革的名字不在專利上。(感謝 Reader Dave 找到該專利并注意到 Geiger 的名字不在上面。)。

為什么 Geiger 的名字不在專利上?因?yàn)?Geiger 的參考文獻(xiàn)是:LO Grondahl,PH Geiger,“一種新型電子整流器”,Proc。AIEE 冬季大會(huì),第 357 頁(yè),紐約 1927 年。[美國(guó)電氣工程師協(xié)會(huì) (AIEE) 于 1963 年與無(wú)線電工程師協(xié)會(huì) (IRE) 合并,組成了電氣和電子工程師協(xié)會(huì) (IEEE)。] 主要原因是該專利已轉(zhuǎn)讓給 Union Switch & Signal Company。George Westinghouse 公司。

氧化銅整流器的最大和最長(zhǎng)用途是在萬(wàn)用表中,因此可以使用直流電表讀取交流電壓和電流。辛普森電器有限公司,仍然在其非電子萬(wàn)用表中使用氧化銅整流器。

唯一一家仍在生產(chǎn)氧化銅整流器的公司是位于康涅狄格州東黑文的Edal Industries。整流器的最佳銅材來(lái)自智利。試過很多其他地方的銅材,但沒有生產(chǎn)出很好的整流器。這表明銅中含有一種使器件工作的未知雜質(zhì)。

硒整流器是由 CE Fitts 于 1933 年發(fā)明的。盡管硒具有比氧化銅更高的正向電流電阻,但它具有更高的反向電壓額定值,通常為 20 到 30 伏,當(dāng)時(shí)的處理方式是將其中幾個(gè)堆疊在一起以獲得更高的電壓,板結(jié)構(gòu)很容易用于堆疊。

硒整流器在 1950 年代的電視機(jī)中達(dá)到了頂峰。Edal Industries(氧化銅整流器的最后一個(gè)現(xiàn)有來(lái)源)也仍然銷售硒整流器,主要用于工業(yè)靜電空氣凈化器的高壓電源。當(dāng)硒整流器超過額定值并燃燒時(shí),它們會(huì)散發(fā)出相當(dāng)難聞的氣味。如今,由于硒的毒性,它們?cè)谙M(fèi)品中的使用受到限制。

1930 年 1 月 28 日,美國(guó)專利 1,745,175被授予 JE Lilienfeld,用于“控制電流的方法和裝置”。該專利展示了一種絕緣材料,例如玻璃,上面涂有具有“單向?qū)щ娦浴钡?a target="_blank">金屬膜。那時(shí)還不存在實(shí)際制造晶體管的材料,沒有實(shí)驗(yàn)表明該設(shè)備有效,但這是一種絕妙的實(shí)驗(yàn)預(yù)案。

1939 年,威廉·肖克利 (William Shockley) 和沃爾特·布拉頓 (Walter Brattain) 嘗試通過將一個(gè)微小的控制網(wǎng)格插入氧化銅層中來(lái)構(gòu)建半導(dǎo)體放大器,但未成功。第二次世界大戰(zhàn)結(jié)束了他們的實(shí)驗(yàn)。

但是第二次世界大戰(zhàn)在技術(shù)上產(chǎn)生了巨大的進(jìn)步。

其中之一是雷達(dá)的發(fā)展。第一個(gè)實(shí)用的雷達(dá)在 300 MHz 左右的相對(duì)較低的頻率上運(yùn)行。更高的頻率更好,因?yàn)樗鼈兲峁└叩哪繕?biāo)分辨率。隨著 1940 年磁控管的發(fā)明,微波發(fā)射器 (3,000 MHz) 成為現(xiàn)實(shí)。

接收則具有另一種難度,由于電極之間存在各種寄生電容,因此無(wú)法在這些頻率下使用真空管。猜猜是什么來(lái)拯救?我們的老朋友-點(diǎn)接觸二極管。因?yàn)樗屈c(diǎn)接觸設(shè)備,所以“結(jié)”電容極低。它們的使用方式是信號(hào)將進(jìn)入并直接進(jìn)入二極管,二極管作為混頻器運(yùn)行,將信號(hào)外差降低到電子管可以工作的較低頻率。

雖然沒有什么收獲,但也沒有辦法。事實(shí)上,直到 1980 年代初,當(dāng)砷化鎵晶體管得到完善時(shí),除了必須用液氮冷卻的昂貴參數(shù)放大器之外,才有了直二極管混頻器的替代品。

在第二次世界大戰(zhàn)開始時(shí),可用的點(diǎn)接觸二極管不是很可靠,也不是很好。這就是為什么美國(guó)政府設(shè)立了一個(gè)緊急計(jì)劃來(lái)改進(jìn)它們。到戰(zhàn)爭(zhēng)結(jié)束時(shí),在生產(chǎn)非常高純度的硅和鍺方面取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,這使得為雷達(dá)接收器生產(chǎn)非常好的、可靠的、低噪聲的點(diǎn)接觸二極管成功。

Russel Ohl 提出了生產(chǎn)高純度硅的方法{美國(guó)專利 2,402,661于 1941 年 3 月 1 日提交并于 1046 年 6 月 25 日發(fā)布;美國(guó)專利 2,402,839于 1941 年 3 月 27 日提交并于 1946 年 6 月 25 日頒發(fā)}請(qǐng)注意,這兩項(xiàng)專利均在美國(guó)進(jìn)入第二次世界大戰(zhàn)之前提交并在二戰(zhàn)結(jié)束后頒發(fā)。

另一種純化硅的方法是由 Gordon Teal 和 Keith Storks 開發(fā)的。{美國(guó)專利 2,441,603 于 1943 年 7 月 28 日提交并于 1948 年 5 月 18 日頒發(fā)。}

正是因?yàn)橄?Ohl、Teal 和 Storks 這樣的人,在 1947 年才有了高純度的鍺和硅。

點(diǎn)接觸晶體管由約翰·巴丁 (John Bardeen) 和沃爾特·布拉頓 (Walter Brattain) 于 1947 年發(fā)明。威廉·肖克利(團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人)當(dāng)時(shí)不在場(chǎng),也沒有因?yàn)檫@項(xiàng)發(fā)明而獲得榮譽(yù),這讓他非常生氣。但是。點(diǎn)接觸晶體管難以制造并且不是很可靠。這也不是肖克利想要的晶體管,所以他繼續(xù)按照自己的想法工作,這導(dǎo)致結(jié)型晶體管更容易制造并且工作得更好。這些事件的歷史可以在改變世界的發(fā)明中找到(改變世界的發(fā)明是雷達(dá)。)

肖克利開發(fā)的晶體管是結(jié)型晶體管,它是通過將各種化學(xué)物質(zhì)擴(kuò)散到鍺中而制成的。當(dāng)這個(gè)過程完成時(shí),最終得到了一些相當(dāng)不錯(cuò)的晶體管。

這一時(shí)期(我能找到的)最早的專利是美國(guó)專利 2,524,035 ,該專利于 1948 年 6 月 17 日提交并于 1950 年 10 月 3 日頒發(fā)。請(qǐng)注意,該專利僅將 Bardeen 和 Brattain 列為發(fā)明人,而忽略了 Shockley。另請(qǐng)注意,該申請(qǐng)是 1948 年 2 月 26 日提交(并被放棄)的先前申請(qǐng)的部分繼續(xù)申請(qǐng)。在專利中,部分延續(xù)意味著您在原始專利申請(qǐng)未決期間以某種實(shí)質(zhì)性方式改進(jìn)了基本發(fā)明,并且希望對(duì)特定改進(jìn)提出要求。這并不意味著必須放棄原來(lái)的申請(qǐng)。

肖克利還是設(shè)法得到了一些自己的專利,如 美國(guó)專利2569347 提交于1948年6月26日和9月25日頒布,1951年,和美國(guó)專利2502488提交于1948年9月24日和1950年4月4日發(fā)行。 美國(guó)專利2623105提交于1951年9月21日和12月23日頒布,1952年似乎涉及一個(gè)結(jié)型晶體管。

雖然,晶體管有很長(zhǎng)的書面記錄,第一個(gè)晶體管是由鍺制成的,但是仍然可以購(gòu)買到鍺點(diǎn)接觸二極管。

新增故事線

在Semiconductor Devices: Pioneering Papers 中重印的項(xiàng)目之一是一封寫給 1907 年名為《電氣世界》雜志編輯的信。其作者HJ Round 報(bào)道:

“在碳化硅晶體上的兩點(diǎn)之間施加 10 伏的電勢(shì)時(shí),晶體發(fā)出淡黃色的光。只能找到一兩個(gè)樣本在如此低的電壓下發(fā)出明亮的光,但在 110 伏的情況下,晶體會(huì)發(fā)出黃色的光。在一些晶體中,只有邊緣發(fā)出光,而其他晶體發(fā)出光,不是黃色的而是淺綠色、橙色或藍(lán)色。在所有測(cè)試的情況下,發(fā)光似乎來(lái)自負(fù)極,出現(xiàn)明亮的藍(lán)綠色火花在正極。在單晶中,如果在中心附近與負(fù)極接觸,而正極在任何其他地方接觸,則只有一部分晶體會(huì)發(fā)光,而同一部分無(wú)論在哪里正極已放置。”

碳化硅與 Dunwoody 在 1906 年用來(lái)制造第一個(gè)硅點(diǎn)接觸二極管的材料相同。

HJ Round船長(zhǎng)是一位獲得117項(xiàng)專利的電子先驅(qū),是馬可尼的私人助理。

朗的孫子在他的網(wǎng)站(http://www.captainround.pwp.blueyonder.co.uk/)上記錄了他的生平。

看來(lái) Round 發(fā)現(xiàn)了 LED。他甚至有一個(gè)藍(lán)色 LED,比 Cree Research 使用碳化硅制造他們的 LED 早 80 年。當(dāng)然,他們的藍(lán)色 LED 更容易制造且更可靠。

朗德的信全文在這里(http://www.jmargolin.com/history/leds.pdf)。

編輯:jq

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原文標(biāo)題:古老CPU啟示錄-晶體管之路

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    晶體管作為電子電路中的核心元件,其基本工作模式對(duì)于理解其工作原理和應(yīng)用至關(guān)重要。晶體管的工作模式主要可以分為兩大類:放大模式和開關(guān)模式。這兩種模式基于晶體管內(nèi)部PN結(jié)的特性,通過控制輸入電壓或電流來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電流的控制。下面將詳
    的頭像 發(fā)表于 09-13 16:40 ?1149次閱讀

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?4895次閱讀

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區(qū)別

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:09 ?2218次閱讀

    晶體管處于放大狀態(tài)的條件是什么

    晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。它具有三個(gè)主要的引腳:基極(B)、發(fā)射極(E)和集電極(C)。晶體管的工作原理是通過控制基極和發(fā)射極之間的電流,來(lái)控制集電極和發(fā)射極之間的電流。晶體管
    的頭像 發(fā)表于 07-18 18:15 ?1823次閱讀

    芯片晶體管的深度和寬度有關(guān)系嗎

    一、引言 有關(guān)系。隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片晶體管作為電子設(shè)備的核心元件,其性能的優(yōu)化和制造技術(shù)的提升成為了行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。在晶體管的眾多設(shè)計(jì)參數(shù)中,深度和寬度是兩個(gè)至關(guān)重要的因素。它們不僅
    的頭像 發(fā)表于 07-18 17:23 ?826次閱讀

    晶體管電流的關(guān)系有哪些類型 晶體管的類型

    晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電特性,通過控制基極電流來(lái)調(diào)節(jié)集電極電流,從而實(shí)現(xiàn)放大、開關(guān)等功能。晶體管的電流關(guān)系是其核心特性之一,對(duì)于理解
    的頭像 發(fā)表于 07-09 18:22 ?1930次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>電流的關(guān)系有哪些類型 <b class='flag-5'>晶體管</b>的類型

    什么是NPN晶體管?NPN晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

    NPN晶體管是最常用的雙極結(jié)型晶體管,通過將P型半導(dǎo)體夾在兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間而構(gòu)成。 NPN 晶體管具有三個(gè)端子:集電極、發(fā)射極和基極。 NPN晶體管的行為類似于兩個(gè)背對(duì)背連接的PN
    的頭像 發(fā)表于 07-01 18:02 ?5834次閱讀
    什么是NPN<b class='flag-5'>晶體管</b>?NPN<b class='flag-5'>晶體管</b>的工作原理和結(jié)構(gòu)

    PNP晶體管符號(hào)和結(jié)構(gòu) 晶體管測(cè)試儀電路圖

    PNP晶體管是一種雙極性晶體管,用于電子電路中放大、開關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對(duì)應(yīng),PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于其三個(gè)不同的半導(dǎo)體區(qū)域:正極(P型)、負(fù)極(N型)、正極(P型
    的頭像 發(fā)表于 07-01 17:45 ?3073次閱讀
    PNP<b class='flag-5'>晶體管</b>符號(hào)和結(jié)構(gòu) <b class='flag-5'>晶體管</b>測(cè)試儀電路圖

    晶體管功率繼電器的基本介紹

    晶體管功率繼電器是一種利用晶體管作為開關(guān)元件的功率繼電器。它具有體積小、重量輕、響應(yīng)速度快、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。 工作原理 晶體管功率繼電器的工作原理是利用晶體管
    的頭像 發(fā)表于 06-28 09:13 ?757次閱讀

    晶體管的分類與作用

    堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),更為后來(lái)的集成電路、大規(guī)模集成電路乃至超大規(guī)模集成電路的誕生和發(fā)展提供了可能。本文將詳細(xì)探討晶體管的分類及其作用,以期為讀者提供一個(gè)全面且深入的理解。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:17 ?1187次閱讀

    如何提高晶體管的開關(guān)速度,讓晶體管快如閃電

    咱們今天講講電子世界的跑步選手——晶體管。這小東西在電子產(chǎn)品里就像是繼電賽跑的選手,開關(guān)的速度決定了電子設(shè)備的快慢。那么,如何才能提高晶體管的開關(guān)速度呢?來(lái)一探究竟。如果把晶體管比作一
    的頭像 發(fā)表于 04-03 11:54 ?789次閱讀
    如何提高<b class='flag-5'>晶體管</b>的開關(guān)速度,讓<b class='flag-5'>晶體管</b>快如閃電

    晶體管放大時(shí),各級(jí)電位狀態(tài)是什么

    晶體管放大時(shí),各級(jí)電位狀態(tài)是指在放大電路中,不同級(jí)別的晶體管的電位狀態(tài)。晶體管放大電路由多級(jí)晶體管組成,每個(gè)晶體管負(fù)責(zé)一個(gè)級(jí)別的放大,以增強(qiáng)
    的頭像 發(fā)表于 02-27 16:51 ?1316次閱讀

    什么是達(dá)林頓晶體管?達(dá)林頓晶體管的基本電路

    達(dá)林頓晶體管(Darlington Transistor)也稱為達(dá)林頓對(duì)(Darlington Pair),是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管(或其他類似的集成電路或分立元件)組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過這種結(jié)構(gòu),第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流
    的頭像 發(fā)表于 02-27 15:50 ?6021次閱讀
    什么是達(dá)林頓<b class='flag-5'>晶體管</b>?達(dá)林頓<b class='flag-5'>晶體管</b>的基本電路
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