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關于光刻的原理、光刻設備等知識點集合

芯片工藝技術 ? 來源:芯片工藝技術 ? 作者:芯片工藝技術 ? 2021-10-13 10:59 ? 次閱讀

最近光博會上看到一本關于光刻的小冊子,里面有一點內容,分享給大家。

關于光刻的原理、光刻設備、光刻膠的種類和選擇等。

開篇 光刻的原理

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表面處理:一般的晶圓光刻前都需要清潔干凈,特別是有有機物的、顆粒的、會影響光刻膠的厚度。

涂膠:根據工藝要求,目前常用的兩種涂膠工藝,一個就是旋轉涂覆、一個就是噴涂。根據工藝要求和光刻膠的性能、可以有不同厚度的光刻膠。

前烘:就比較講究了,因為這東西肉眼看不見變化。只有最后出來光刻了才知道好壞,有時候還不明顯。

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上圖是曝光機的汞燈光源光譜圖。

關于曝光劑量的問題:

通常我們監控曝光機的光強,主要針對單一波長測量。比如常用的UV探測器測試的波段一般是365nm和436nm,有的光刻機帶有濾波片,可以選擇其中一個波段使用。比如有的光刻膠給的曝光量是針對365nm的,也有光刻膠給的是436nm的,因此再沒有加濾光片的前提下,計算曝光時間時是不能直接用曝光劑量除以光強的,但是也不是上文中的再除以2.5~3的樣子,在2~3的樣子,還要看具體的設備和汞燈的壽命使用情況。

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其他的曝光機根據曝光波段不同,分了很多種類型的曝光。

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常用工藝和光刻膠選擇

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編輯:jq

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原文標題:光刻知識點集合

文章出處:【微信號:dingg6602,微信公眾號:芯片工藝技術】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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