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IGBT7與IGBT4兩種典型工況對比方案

QjeK_yflgybdt ? 來源:英飛凌工業(yè)半導體 ? 作者:英飛凌工業(yè)半導體 ? 2021-10-26 15:41 ? 次閱讀

IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術(shù)平臺,它與IGBT4的性能對比一直是工程師關(guān)心的問題。本文通過FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺伺服驅(qū)動中的測試,得到了相同工況下IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對比。實驗結(jié)果表明,在連續(xù)大功率負載工況與慣量盤負載工況的對比測試中,IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。

伺服驅(qū)動系統(tǒng)響應(yīng)速度快,過載倍數(shù)高,小型化和高功率密度的趨勢更是對功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產(chǎn)品IGBT7憑借超低導通壓降、dv/dt可控、175℃過載結(jié)溫、完美契合伺服驅(qū)動器的所有需求。英飛凌—晶川—邁信聯(lián)合研發(fā)基于IGBT7的伺服驅(qū)動完整解決方案,可顯著提高功率密度。驅(qū)動芯片采用英飛凌無磁芯變壓器1EDI20I12MH。因為IGBT7獨特的電容結(jié)構(gòu),不易寄生導通,因此可以使用單電源設(shè)計,最大程度上簡化了驅(qū)動設(shè)計。主控MCU采用XMC4700/4800,電機位置檢測采用TLE5109,實現(xiàn)轉(zhuǎn)速與位置的精準控制。

為了對比IGBT4與IGBT7在伺服驅(qū)動中的表現(xiàn),我們使用了同一平臺的兩臺伺服驅(qū)動,分別搭載PIN腳布局相同的FP35R12W2T4與FP35R12W2T7,在相同dv/dt條件下(dv/dt=5600V/us),進行測試。

我們設(shè)計了兩種典型工況對比方案,來對比IGBT4與IGBT7在相同的工況下的結(jié)溫,分別是連續(xù)大負載對比測試與慣量負載對比測試。待測IGBT模塊內(nèi)的IGBT芯片上預(yù)埋熱電偶,通過將熱電偶連接數(shù)據(jù)采集儀,可以直接讀出IGBT芯片結(jié)溫。

連續(xù)大負載對比測試

加載采用兩臺電機對拖,被測電機系統(tǒng)工作于電動狀態(tài),負載電機系統(tǒng)工作于發(fā)電狀態(tài);

分別采用基于IGBT4和IGBT7的驅(qū)動器驅(qū)動被測電機,兩臺驅(qū)動器每次加載的開關(guān)頻率、輸出電流/功率一樣;

采用功率分析儀測試驅(qū)動器的輸入功率、輸出功率,計算驅(qū)動器的損耗和效率。

下圖是連續(xù)大負載工況下的IGBT4與IGBT7結(jié)溫對比。

5baec54c-3629-11ec-82a8-dac502259ad0.png

從中可以看出,在8K開關(guān)頻率下加載13分鐘,IGBT7和IGBT4的結(jié)溫差17℃。隨著加載時間的延長,結(jié)溫差還處于上升趨勢。

我們還對比了不同開關(guān)頻率、同樣輸出功率(5.8KVA)情況下,IGBT7和IGBT4的溫升對比,如下圖所錄。橫軸是IGBT的開關(guān)頻率;左邊的縱軸是NTC溫度與初始溫度相比的溫升。右邊的縱軸是IGBT4和IGBT7的溫升差。隨著開關(guān)頻率的提高,IGBT7和IGBT4的NTC溫升變大;10K開關(guān)頻率下,IGBT7的NTC溫升比IGBT4降低19℃。可以看到。由于IGBT7可以工作更高的結(jié)溫,因此可以實現(xiàn)更大輸出功率,實現(xiàn)功率跳檔。

慣量負載對比測試

兩臺分別裝載IGBT4與IGBT7,電機帶相同的慣量盤負載,轉(zhuǎn)速從1500轉(zhuǎn)/分鐘到-1500轉(zhuǎn)/分鐘的時間為250毫秒,穩(wěn)速運行時間1.2s。穩(wěn)速運行工況下,相輸出電流小于0.5A;因此此測試工況的平均功率比較小。

電機散熱條件相同,開關(guān)頻率8kHz。

可以看出,在帶慣量盤加減速運行工況下,IGBT7的結(jié)溫低于IGBT4。運行13分鐘后驅(qū)動器溫升還沒有達到平衡狀態(tài),此時結(jié)溫相差約7℃。

最后我們對這部分測試做一個總結(jié):

輸出同樣的功率,采用IGBT7的驅(qū)動器結(jié)溫明顯降低,允許縮小散熱器的體積,從而驅(qū)動器尺寸可以縮??;

如果同樣的散熱條件,采用IGBT7則可以輸出更大的功率,實現(xiàn)功率跳檔;

再加上IGBT7可以工作在更高的結(jié)溫,因此可以輸出更大的功率。

責任編輯:haq

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原文標題:IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動器中的對比測試

文章出處:【微信號:yflgybdt,微信公眾號:英飛凌工業(yè)半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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