校準(zhǔn)后,記憶示波器(或現(xiàn)代數(shù)字示波器)的頻率和幅度顯示準(zhǔn)確性取決于校準(zhǔn)質(zhì)量、設(shè)備狀態(tài)及使用環(huán)境。以下是詳細(xì)分析:一、校準(zhǔn)后頻率和幅度顯示是否準(zhǔn)確?答案是:在理想條件下,校準(zhǔn)后應(yīng)準(zhǔn)確,但需滿足以下前提
發(fā)表于 04-16 14:56
在記憶示波器校準(zhǔn)過程中,需特別注意以下關(guān)鍵點(diǎn),以確保校準(zhǔn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性:一、環(huán)境控制
[td]因素影響措施
溫度元件特性變化,導(dǎo)致測(cè)量誤差保持(23±5)℃,變化率≤1℃/h
濕度漏電流增加
發(fā)表于 04-15 14:15
記憶示波器(數(shù)字存儲(chǔ)示波器,DSO)的設(shè)置錯(cuò)誤可能導(dǎo)致波形失真、測(cè)量不準(zhǔn)確或捕獲關(guān)鍵信號(hào)失敗。以下是常見設(shè)置錯(cuò)誤及解決方案:一、垂直設(shè)置錯(cuò)誤
垂直檔位(Volts/div)選擇不當(dāng)
錯(cuò)誤:信號(hào)幅值
發(fā)表于 04-14 15:29
記憶示波器校準(zhǔn)儀是一種綜合性電子計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)儀器,能夠校準(zhǔn)記憶示波器的多項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù),主要包括以下方面:1. 垂直系統(tǒng)參數(shù)
幅度校準(zhǔn):通過標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)源輸出精確電壓,校準(zhǔn)示波器的垂直靈敏度,確保幅度測(cè)量準(zhǔn)確
發(fā)表于 04-11 14:05
。隨著數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的急劇增長,這種方法變得不可持續(xù)。來自約翰霍普金斯大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了一種新型記憶電阻器(memristor),能夠擁有更豐富的記憶,提升其效率。該研究
發(fā)表于 03-11 11:34
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在比亞迪近期舉辦的智能化戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上,比亞迪汽車新技術(shù)研究院院長楊冬生在精彩的彩蛋環(huán)節(jié)中透露了一項(xiàng)重要信息。他表示,比亞迪的天神之眼C系統(tǒng),在已經(jīng)支持高快領(lǐng)航功能的基礎(chǔ)上,未來還將新增城市記憶領(lǐng)航
發(fā)表于 02-11 09:24
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上圖NVIDIA公司創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛(JensenHuang)這些年被大家熟知的賽博朋克風(fēng)格一直都是未來的代言詞,可以承載人類記憶的芯片,甚至能獨(dú)立思考的仿生人,現(xiàn)在,隨著NVIDIA
發(fā)表于 01-16 11:52
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記憶示波器是一種基于數(shù)字處理原理的測(cè)量儀器,其原理和應(yīng)用可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹:一、記憶示波器的原理
核心組件:記憶示波器的核心是記憶示波管,但不同于傳統(tǒng)的示波管,它采用數(shù)字化
發(fā)表于 01-06 15:50
導(dǎo)語 在植保無人機(jī)的日常使用中,電池作為無人機(jī)的核心動(dòng)力源,其性能直接影響到無人機(jī)的作業(yè)效率和飛行時(shí)間。然而,隨著時(shí)間的推移,不少植保無人機(jī)電池開始出現(xiàn)記憶效應(yīng),導(dǎo)致電池容量下降,充電效率降低
發(fā)表于 12-20 14:10
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9月,高工智能汽車研究院發(fā)布座椅記憶功能行業(yè)榜單,經(jīng)緯恒潤憑借卓越的技術(shù)實(shí)力,在2024年1-7月中國乘用車座椅記憶功能前裝標(biāo)配車型品牌榜單中,榮登供應(yīng)商前三,彰顯其在智能車身領(lǐng)域的顯著競(jìng)爭(zhēng)力。聲明
發(fā)表于 10-11 08:00
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時(shí)序邏輯電路確實(shí)具有記憶功能 。這一特性是時(shí)序邏輯電路與組合邏輯電路的本質(zhì)區(qū)別之一。
發(fā)表于 08-29 10:31
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雙穩(wěn)態(tài)電路的記憶功能是其最為核心和獨(dú)特的特性之一,這種功能使得電路能夠在沒有外部輸入信號(hào)的情況下保持其當(dāng)前狀態(tài)不變,直到接收到新的觸發(fā)信號(hào)為止。以下將詳細(xì)闡述雙穩(wěn)態(tài)電路的記憶功能,包括其原理、實(shí)現(xiàn)方式、應(yīng)用場(chǎng)景以及在現(xiàn)代電子技術(shù)中的重要性。
發(fā)表于 08-29 09:28
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應(yīng)力記憶技術(shù)(Stress Memorization Technique, SMT),是一種利用覆蓋層Si3N4單軸張應(yīng)力提高90nm 及以下工藝制程中 NMOS速度的應(yīng)變硅技術(shù)。淀積覆蓋層
發(fā)表于 07-29 10:44
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MMC SD卡記憶棒(TM)電壓轉(zhuǎn)換收發(fā)器TXS0206-29數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 05-29 10:15
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發(fā)表于 05-29 10:13
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評(píng)論