一、開通延時。

t1時刻Vge上升到10%，t2時刻Ic上升到10%，開通延時td(on)=t2-t1。

二、關斷延時。

t1時刻Vge下降到90%，t2時刻Ic下降到90%，關斷延時td(off)=t2-t1。

三、上升時間。

t1時刻Ic上升到10%，t2時刻Ic上升到90%（不算過沖部分），上升時間tr=t2-t1。

四、下降時間。

t1時刻Ic下降到90%，t2時刻Ic下降到10%，下降時間tr=t2-t1。

五、Vce飽和電壓。

IGBT導通時，CE兩端呈現低阻抗，所以壓降也很小。

六、Vces。

IGBT截止時，CE兩端的最大擊穿電壓。

七、開通耗損和關斷耗損。

IGBT開通時Vce減少，Ic增大，虛線之間，Eon=Vce、Ic、t所圍成的面積；

IGBT關斷時Vce增大，Ic減少，虛線之間，Eoff=Vce、Ic、t所圍成的面積。

八、輸入電容。

輸出短路（CE短接），輸入電容Cies=CGC+CGE。

九、輸出電容。

輸入短路（GE短接），輸出電容Coes=CGC+CEC。

十、米勒電容。

跨接在G、C之間的電容，叫米勒電容Cres，也叫反向傳輸電容。

十一、門極電荷。

也稱柵極電荷，用于衡量驅動門極，所需要能量。

十二、SOA。

安全工作區。分為FBSOA（正偏安全工作區）、RBSOA（反偏安全工作區）、SCSOA（短路安全工作區）。

FBSOA，與工藝相關，得到電壓-電流密度曲線，如下圖所示。

RBSOA，與Vce電壓、Ic電流相關，得到電壓-電流曲線，曲線所包圍的面積為安全工作區，如下圖所示。

SCSOA，與門極開通時間、Ic電流相關。逐步增大門極開通時間，再測Ic電流，得到時間-電流曲線，如下圖所示。

十三、結溫。

IGBT內部的溫度。

十四、殼溫。

IGBT外殼的溫度。

十五、短路電流。

10us內瞬時流過IGBT，CE兩端的最大電流。

十六、集電極重復峰值電流。

可以重復地讓IGBT，CE兩端在短時間內導通，所能承受的最大電流。

審核編輯：湯梓紅