硅片氫氟酸處理后的漂洗干燥方法
本文對晶片采用HF溶液洗凈的晶片氫氟酸處理后的護發素及干燥方法，使用異丙基去除上述晶片表面殘存的HF的步驟，關于晶片氫氟酸處理后的護發素和干燥方法，其特點是在對上述晶片施加82-84℃溫度的同時通過吹氮氣去除晶片表面IPA的步驟，通過使用IPA護發素代替純護發素，不僅可以去除雜質，而且在經過氫氟酸處理后暴露在晶片表面的疏水區域也可以充分涂布IPA。通過采用本發明的烤箱干燥方式，可以抑制干燥時局部干燥時間差所產生的水跡，比傳統的IPA氣相干燥方式簡單，具有突破性地降低成本的效果。
審核編輯：符乾江
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