今天和大家分享一下STM32F103C8T6讀寫內部flash，關于103系列的單片機大家可以參考選項手冊查看flash的容量。 一、芯片FLASH容量分類： ?可以看到我們今天介紹的這款芯片的flash大小是64K的，網上也有人說它可以支持到128K，但是官方給出的解釋是前64K是有保證的，后面的無法保證，所以想要使用的小伙伴需要慎重。 現在芯片的flash大小我們知道了，下面就可以看看這個flash是怎么劃分的了，通過芯片數據手冊，我們能看到今天說的STM32F103C8T6是屬于中等容量的設備。 ?既然是中等容量的設備了，那我們就來看看flash劃分吧，在STM32的閃存編程手冊中有這樣一段話：按照不同容量，存儲器組織成： 32個1K字節/頁(小容量)128個1K字節/頁(中容量)256個2K字節/頁(大容量) 這段話怎么理解呢，就是告訴我們小容量的設備（內存是6K和32K）的設備是由1K字節每頁組成的。 中容量的設備（內存是64K和128K）的設備是由1K字節每頁組成的。大容量的設備（內存是256K、384K和512K）的設備是由2K字節每頁組成的。 舉個例子吧： 一個芯片的存儲容量是64K，這64K是什么呢，就是64*1024個BYTE，一個BYTE是由8位0或1組成的，（比如0000 1111 這8個二進制數組成了一個字節，用十進制來說就是15） 小結一下：64K的flash可以存儲64*1024個字節的數據。 咱們繼續說，這64K的數據怎么劃分，存儲是按照頁為單位進行存儲的，一頁1K的容量，也就說一頁可以存儲1024個字節。 一共是多少頁？ 答案是：64頁，我們看一下官方是不是這么說的。 在閃存編程手冊里確實是這么說的，所以我們剛才說是64頁是正確的 二、 讀寫步驟： 上面我們知道了芯片是怎么分類的，下面我們就重點來講解一下芯片是怎么讀寫的。 內部flash我們參照HAL庫或者標準庫，直接調用ST公司給我們封裝好的庫進行編程就可以了，這里我用的是標準庫，有興趣的小伙伴可以去看看HAL庫。 是不是有小伙伴會疑問什么是標準庫，什么是HAL庫？ 在這里給大家解釋一下，這兩個庫都是ST公司，直接把寄存器封裝成函數，供大家直接調用某一個函數，就可以完成各種寄存器的配置，不容大家直面芯片的寄存器，方便閱讀和使用，因為每個函數的名稱功能都是不一樣的，在調用前可以參考函數的注釋，在F0和F4的標準庫里甚至有每個函數的用法，不知道為什么在F1的庫里把使用步驟去掉了。 咱們繼續，讀寫的話庫函數分為：

/*------------ Functions used for all STM32F10x devices -----*/void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency);void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess);void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer);void FLASH_Unlock(void);void FLASH_Lock(void);FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);
FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);/*------------ New function used for all STM32F10x devices -----*/void FLASH_UnlockBank1(void);void FLASH_LockBank1(void);FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Pages(void);FLASH_Status FLASH_GetBank1Status(void);FLASH_StatusFLASH_WaitForLastBank1Operation(uint32_tTimeout);

在這里就不一個一個的詳細說了，我們說一下常用的就行 1. 解鎖void FLASH_Unlock(void); 2. 上鎖void FLASH_Lock(void); 3. 頁擦除FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address); 4. 半字寫入FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data); 上面這4個函數就是我們最常用的。 下面說一下數據寫入的步驟： 第一步：解鎖。 第二步：判斷寫入的數據是否被擦除過，也就是判斷寫入的地址內存放的是不是0xFFFF 這里要重點說一下，為什么要判斷是不是0xFFFF而不是判斷是不是0xFF呢？因為我們每次寫入數據都要寫入半字，也就是兩個字節的數據才行，而且寫入的地址只能是2的整數倍，不能是奇數。這里大家注意一下。 第三步：寫入數據 STM32F103C8T6只能按照半字的方式進行數據寫入，寫入前的數據必須是0XFFFF，因為FLASH數據寫入，只能寫0，不能寫1，這也就是為什么我們要先確保寫入前的數據是被擦除了的原因。 第四步：上鎖。 第五步：驗證寫入是否正確。 其實第五步可以省略。 我們看看官方給的寫入過程： ?好了，其實是一樣的。下面我就和大家來分享一下（百分之九十九參考的正點原子的例程）。

//不檢查的寫入//WriteAddr:起始地址//pBuffer:數據指針//NumToWrite:半字(16位)數   void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   {                                                   u16 i;        for(i=0;i        {                FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer);            WriteAddr+=2;//地址增加2.        }  }

//從指定地址開始寫入指定長度的數據//WriteAddr:起始地址(此地址必須為2的倍數!!)//pBuffer:數據指針//NumToWrite:半字(16位)數(就是要寫入的16位數據的個數.)u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字節void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)        {        u32 secpos;           //扇區地址        u16 secoff;           //扇區內偏移地址(16位字計算)        u16 secremain; //扇區內剩余地址(16位字計算)                    u16 i;            u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址        if(WriteAddr=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址        FLASH_Unlock();                                                //解鎖        offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //實際偏移地址.        secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇區地址  0~127 for STM32F103RBT6        secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇區內的偏移(2個字節為基本單位.)        secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇區剩余空間大小           if(NumToWrite<=secremain)        {          secremain=NumToWrite;//不大于該扇區范圍        }        while(1)         {                        STMFLASH_Read(((secpos*STM_SECTOR_SIZE)+STM32_FLASH_BASE),STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//讀出整個扇區的內容                for(i=0;i//校驗數據//                for(i=0;i<(STM_SECTOR_SIZE/2);i++)//校驗數據                {                        if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除  //        if(STMFLASH_BUF!=0XFFFF)break;//需要擦除                                         }                FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);                if(i//需要擦除//                if(i<(STM_SECTOR_SIZE/2))//需要擦除                {                        FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);                        FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除這個扇區                        for(i=0;i//復制                        {                                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;                                  }                        STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//寫入整個扇區                  }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//寫已經擦除了的,直接寫入扇區剩余區間.                                                    if(NumToWrite==secremain)break;//寫入結束了                else//寫入未結束                {                                secpos++;                                //扇區地址增1                                secoff=0;                                //偏移位置為0                                            pBuffer+=secremain;          //指針偏移                                WriteAddr+=（secremain*2）;        //寫地址偏移                                            NumToWrite-=secremain;        //字節(16位)數遞減                                if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))                                {                                  secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一個扇區還是寫不完                                }                                else                                 {                                   secremain=NumToWrite;//下一個扇區可以寫完了                                }                }                 }                FLASH_Lock();//上鎖}

最終我們調用STMFLASH_Write（）函數進行數據的寫入，是不是有沒看懂的小伙伴，我給大家解釋一下寫入的過程吧。 這個STMFLASH_Write（）函數，是說給定一個寫入的地址、數據和寫入的個數，然后按照給定的地址開始寫數據，注意紅色字體。 寫數據是怎么做的呢？ 首先是整理一下寫入的頁地址和需要寫入多少頁，每一頁寫入的話起始地址是什么然后開始一頁一頁的寫，當遇到跨頁寫入的時候，把第二頁的地址寫進去，寫的個數繼續寫入就行。 還有一個地方很重要，就是我修改了庫函數：

/**  * [url=home.php?mod=space&uid=247401]@brief[/url]  Programs a half word at a specified address.  * [url=home.php?mod=space&uid=536309]@NOTE[/url]   This function can be used for all STM32F10x devices.  * @param  Address: specifies the address to be programmed.  * @param  Data: specifies the data to be programmed.  * @retval FLASH Status: The returned value can be: FLASH_ERROR_PG,  *         FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or FLASH_TIMEOUT.   */FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data){        FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;  /* Check the parameters */  assert_param(IS_FLASH_ADDRESS(Address));#ifdef STM32F10X_XL  /* Wait for last operation to be completed */  status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);  if(Address < FLASH_BANK1_END_ADDRESS)  {    if(status == FLASH_COMPLETE)    {      /* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */      FLASH->CR |= CR_PG_Set;      *(__IO uint16_t*)Address = Data;      /* Wait for last operation to be completed */      status = FLASH_WaitForLastBank1Operation(ProgramTimeout);      /* Disable the PG Bit */      FLASH->CR &= CR_PG_Reset;    }  }  else  {    if(status == FLASH_COMPLETE)    {      /* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */      FLASH->CR2 |= CR_PG_Set;      *(__IO uint16_t*)Address = Data;      /* Wait for last operation to be completed */      status = FLASH_WaitForLastBank2Operation(ProgramTimeout);      /* Disable the PG Bit */      FLASH->CR2 &= CR_PG_Reset;    }  }#else  /* Wait for last operation to be completed */  status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);  if(status == FLASH_COMPLETE)  {    /* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */    FLASH->CR |= CR_PG_Set;    *(__IO uint16_t*)Address = Data;    /* Wait for last operation to be completed */    status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);    /* Disable the PG Bit */    FLASH->CR &= CR_PG_Reset;  } #endif  /* STM32F10X_XL */  /* Return the Program Status */  return status;}

大家能看出來嗎?就是紅色字體部分，增加了一個每次寫入前清除所有異常狀態。為什么添加這個呢？ 因為，如果你寫入的數據的地址沒有擦除，你就寫入的話會導致異常狀態的發生，而這個異常狀態時要手動清除的，如果你沒有清除這個異常狀態，而繼續寫入數據的話，那么你后面寫入任何數據都會報錯，均寫不進去，所以我在這里增加了一個異常狀態清除，如果前面寫入的數據報錯了，不會影響我接下來的數據寫入。 這里大家就清除為什么了吧。 寫數據會了，那么再說一下讀數據，其實這里讀數據要比外部flash讀取容易的多，我們直接讀取地址，返回的就是地址存放的數據，是不是很簡單。 看下面的函數：

//讀取指定地址的半字(16位數據)//faddr:讀地址(此地址必須為2的倍數!!)//返回值:對應數據.u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr){        return *(vu16*)faddr; }//從指定地址開始讀出指定長度的數據//ReadAddr:起始地址//pBuffer:數據指針//NumToWrite:半字(16位)數void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)           {        u16 i;        for(i=0;i        {                pBuffer=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//讀取2個字節.                ReadAddr+=2;//偏移2個字節.                }}

有沒有很開心，讀寫數據就是這么簡單就完成了。 以后如果我們想開發BootLoader、把剩余的flash利用起來，就都很簡單了。我會把用到的數據手冊當成附件掛到下面，大家可以自行下載。（點擊“閱讀原文”下載） 以后我們再一起學習其他的功能，最后打個廣告，ST的芯片很給力，大家應該多支持，如果你覺得學到了知識的話，那么請留意評論謝謝。 審核編輯 ：李倩