Vishay展示最新MOSFET、IC、無源元件和二極管技術(shù)

Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??宣布在APEC 2022上展出廣泛的電源管理解決方案，包括其最新的行業(yè)領先的電源IC、無源元件、二極管和MOSFET技術(shù)，這些解決方案正在為當今增長最快的市場（包括電子產(chǎn)品）的創(chuàng)新鋪平道路。

Vishay 將重點介紹可為數(shù)據(jù)中心服務器和 5G 電信應用中的 DC/DC 轉(zhuǎn)換提供最大集成度和效率的電源 IC。亮點將包括符合 PMBus 1.3 標準的 microBUCK? DC /DC 穩(wěn)壓器；用于大電流多相轉(zhuǎn)換器的智能功率級；和用于 12 V 應用的熱插拔 eFuse IC。

為提高汽車應用的功率密度和效率，Vishay 將展示eSMP ?封裝系列中的二極管，包括符合 AEC-Q101 標準的 TMBS ?整流器；用于充電應用的600 V FRED Pt ? Gen 5 Ultrafast 和 Hyperfast 整流器；和 650 V 碳化硅 （SiC） 肖特基二極管，采用合并 PIN 肖特基 （MPS） 設計。此外，符合 AEC-Q101 標準的業(yè)界首款表面貼裝 XClampR TM瞬態(tài)電壓抑制器 （TVS） 將以極低的鉗位電壓展出。展出的無源元件將包括種類繁多的 Vishay 電容器、電阻器和電感器。精選的 Vishay 電容器將包括用于能量收集和電力線備用應用的加固型雙電層儲能器件；符合 AEC-Q200 標準的薄膜電容器，以應對不斷增長的電動汽車市場；和電力電容器，為牽引和工業(yè)驅(qū)動、太陽能和風能系統(tǒng)等的發(fā)電應用提供高可靠性。

驍龍8移動平臺支持三星最新旗艦產(chǎn)品組合Galaxy S22和Galaxy Tab S8系列

高通技術(shù)公司宣布其全新一代驍龍?8旗艦移動平臺正為三星電子最先進的全新智能手機Galaxy S22系列的部分地區(qū)版本和Galaxy Tab S8系列提供支持。憑借先進的5G、AI、游戲、影像和Wi-Fi與藍牙技術(shù)，全新一代驍龍8移動平臺正引領行業(yè)邁入頂級移動技術(shù)新時代。

Galaxy S22系列采用了第2代高通3D Sonic屏下傳感器技術(shù)。該傳感器尺寸為8x8mm，旨在支持終端采集比前代方案更大面積的指紋圖像，從而提升用戶體驗。與其他身份認證解決方案不同，高通3D Sonic傳感器采用基于聲學的技術(shù)，可以獲取每位用戶獨特的指紋特征。

高通技術(shù)公司高級副總裁兼手機業(yè)務總經(jīng)理Christopher Patrick表示：“我們非常高興能夠延續(xù)與三星的長期合作，打造消費者期待的突破性移動體驗。作為我們的最新旗艦平臺，全新一代驍龍8移動平臺讓這一切成為可能。該平臺也正在為開啟頂級移動技術(shù)新時代鋪平道路，Galaxy S22系列和Galaxy Tab S8系列等終端就是絕佳的例證?！?/p>

綜合Vishay和高通官網(wǎng)整合

審核編輯：郭婷