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思瑞浦2通道數(shù)字隔離器獲客戶認(rèn)可

科技綠洲 ? 來源:思瑞浦 ? 作者:思瑞浦 ? 2022-04-11 11:09 ? 次閱讀

思瑞浦秉承獨(dú)立開發(fā)、自主創(chuàng)新的理念,自2019年深耕隔離技術(shù)以來,積累了豐富的發(fā)明專利,其中基礎(chǔ)隔離、傳輸電路、工藝優(yōu)化、新型封裝等技術(shù)專利共計(jì)9項(xiàng)。

截至目前,已推出2通道數(shù)字隔離器TPT7720/7721系列,獲得客戶認(rèn)可與好評。最新推出系列隔離產(chǎn)品:TPT7740/7741/7742四通道數(shù)字隔離器、TPT7487/7488隔離RS485、TPT71050/71044隔離CAN。

針對工廠自動化、電力自動化、電機(jī)驅(qū)動、電源控制、醫(yī)療等應(yīng)用場景,思瑞浦隔離產(chǎn)品的隔離耐壓等級在5kVrms以上,ESD靜電保護(hù)達(dá)到±8kV, 防閂鎖Latch up能力800mA(高溫125℃),性能與可靠性均處于國內(nèi)領(lǐng)先。共模瞬態(tài)抑制CMTI達(dá)到200kV/μs,在所有國內(nèi)外同類型隔離產(chǎn)品中,思瑞浦隔離器的CMTI能力處于國際領(lǐng)先地位。

ISOLATOR

隔離產(chǎn)品特性

思瑞浦隔離系列產(chǎn)品,均采用自主專利的隔離IP技術(shù),隔離產(chǎn)品:TPT7740/7741/7742四通道數(shù)字隔離器、TPT7487/7488隔離RS485、TPT71050/71044隔離CAN,所采用的隔離IP技術(shù)具備如下特性:

工作電壓范圍:2.25V – 5.5V

通訊速率:100Mbps Data Rate

低延時:12ns

1A滿載條件下,輸入輸出壓差最大值僅為500mV

耐壓能力:5kV RMS (WSOP16)

浪涌能力:10kV peak (WSOP16)

共模瞬態(tài)抑制能力:±200kV/μs CMTI

寬溫度范圍:?40°C to +125°C

封裝支持:SOP16、WSOP16

可靠性防護(hù)能力:

±8kV IEC ESD

±800mA Latch up

安規(guī)認(rèn)證:VDE、UL1577、TUV、CSA、CQC

ISOLATOR

隔離產(chǎn)品優(yōu)勢

隔離器的核心指標(biāo):Breakdown Voltage

擊穿電壓Breakdown Voltage(BV)是隔離器的核心指標(biāo), 思瑞浦的隔離產(chǎn)品BV達(dá)到10kV,與國內(nèi)同類產(chǎn)品相比,處于國內(nèi)領(lǐng)先水平,與國際友商產(chǎn)品的指標(biāo)12kV最為接近。

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表1:Breakdown Voltage 對比

抗沖擊保護(hù)能力

隔離產(chǎn)品的使用場景比較惡劣,經(jīng)常有靜電和浪涌沖擊,對隔離產(chǎn)品的防護(hù)能力要求很高,思瑞浦隔離產(chǎn)品具備±8kV IEC ESD和±6kV防浪涌能力(對應(yīng)±10kV peak),領(lǐng)先國內(nèi)同類產(chǎn)品,與國際友商產(chǎn)品性能一致,處于國際先進(jìn)水平。

poYBAGJTm52AfdcyAABWLJ1JHCU757.png

表2:抗沖擊保護(hù)能力對比

共模瞬態(tài)抑制CMTI能力

CMTI即Common Mode Transient Immunity。CMT共模瞬變干擾,是指共模電壓在快速上升時(或下降)引起的干擾,上升斜率越快引起的干擾沖擊就越大,用dV/dt來標(biāo)識。CMTI,共模瞬變抗擾度,衡量器件在共模瞬變時依然能夠正常傳輸信號的能力,參數(shù)值是共模瞬變的最大Slew Rate,反映出隔離產(chǎn)品對共模瞬變干擾的抑制能力。如圖1所示,為數(shù)字隔離器CMTI測試模型框圖。

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圖1: CMTI測試模型

在電機(jī)驅(qū)動等典型應(yīng)用中,使用PWM脈寬控制柵極驅(qū)動或MOS FET,后者用來驅(qū)動電機(jī)。MOS FET等功率器件往往工作在硬開關(guān)狀態(tài)下,若使用普通的硅MOS FET,產(chǎn)生的電壓跳變(dV/dt)干擾通常在40kV/μs以內(nèi),大多數(shù)的隔離產(chǎn)品CMTI都可以滿足該需求。而同樣參數(shù)的碳化硅/氮化鎵器件,開關(guān)速度更快,特別是下降沿時會更加惡劣,如圖2模擬CMTI下降沿測試電路,表格3的數(shù)據(jù)也是基于此條件而得出。

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圖2:CMTI下降沿測試電路

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表3:抗沖擊保護(hù)能力對比

下圖3,在使用碳化硅MOS FET時,所產(chǎn)生共模干擾的最大下降斜率會達(dá)到200kV/μs,因此要求隔離產(chǎn)品具備200kV/μs以上CMTI能力。

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圖3:CMTI下降沿測試波形

如果隔離產(chǎn)品的CMTI能力不夠,dV/dt干擾會對低壓側(cè)控制信號造成很大的影響。一旦產(chǎn)生誤脈沖,嚴(yán)重情況下會導(dǎo)致橋臂直通,引發(fā)短路,造成嚴(yán)重的產(chǎn)品失效事故。隨著新能源的普及,越來越多的場景使用碳化硅/氮化鎵器件,提高隔離產(chǎn)品的CMTI能力迫在眉睫。思瑞浦隔離產(chǎn)品具備 ±200kV/μs的靜態(tài)CMTI, 動態(tài)CMTI也高達(dá)±150kV/μs,優(yōu)于國內(nèi)外同類產(chǎn)品,處于國際領(lǐng)先水平。

思瑞浦隔離產(chǎn)品具備高隔離電壓,高抗沖擊能力,相關(guān)技術(shù)指標(biāo)處于國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平,可以滿足大多數(shù)工業(yè)應(yīng)用場景的可靠性需求。同時具備行業(yè)領(lǐng)先的CMTI能力,特別適合碳化硅/氮化鎵的新能源等應(yīng)用場景。數(shù)字隔離器產(chǎn)品已獲得相關(guān)安規(guī)認(rèn)證,包括:VDE、UL1577、TUV、CSA、CQC。

ISOLATOR

結(jié)語

隔離電壓等級高、靜電保護(hù)與浪涌防護(hù)能力強(qiáng)、±200kV/μs國際領(lǐng)先的CMTI能力,特別適合碳化硅/氮化鎵的新能源等應(yīng)用場景。應(yīng)用在工廠自動化、電力自動化、電機(jī)驅(qū)動、電源控制、醫(yī)療等場景,能保留足夠的設(shè)計(jì)余量,提高系統(tǒng)的魯棒性,推薦使用思瑞浦領(lǐng)先的隔離系列產(chǎn)品:TPT7720/7721兩通道數(shù)字隔離器、TPT7740/7741/7742四通道數(shù)字隔離器、TPT7487/7488隔離RS485、TPT71050/71044隔離CAN。

審核編輯:彭菁
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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