IGBT因其優(yōu)異的電氣屬性和性價比在業(yè)界被廣泛應用，特別是在工業(yè)控制領域幾乎隨處可見IGBT的身影。作為功率半導體的家族分支，不僅融合了BJT和MOSFET的優(yōu)點，還進一步提升了控制速度和精度，同時具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。而今天要給大家介紹的是由東芝半導體新研發(fā)的具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件——GT30N135SRA，其有助于家電產品能耗進一步降低。

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基本電氣屬性綜述

首先GT30N135SRA擁有小而簡的T0-247封裝結構，是基于RC-IGBT功率半導體系列更新迭代的第6.5代產品，此款產品內置了一顆續(xù)流二極管芯片（FWD），進一步保證了IGBT對整個電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性。當TC＝100℃，Ta＝25℃時，其集電極電流額定值為30A，此時對應的低集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE為1.65V，低二極管正向電壓VF為1.75V，通過降低傳導損耗來降低設備的功耗，在有限電源供給的系統(tǒng)電路上能夠發(fā)揮出傳奇的特色。

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動態(tài)特性分析

IGBT的快速響應時間是衡量是否具備實時特性的一個重要的指標，為了更好的說明GT30N135SRA擁有高速的開關特性，設計了GT30N135SRA分別在阻性電路和容性電路、感性電路中的開關時間及其開關損耗來進一步分析說明。

測試結果表明當輸入VCE＝25V，VGE＝0V時，此時電路處于截止狀態(tài)，IC＝0A。當VCE＝25V，VGE＝15V時，此時電路處于導通狀態(tài)，IC從0A突變到飽和狀態(tài)效率為90%，其開關頻率達到了f＝100kHZ。

在容感性電路中可以看到，由于電容電感需要充放電的特性，因此電壓和電流在整個突變過程中并不是呈現出線性特性，其損耗計算公式為Eoff＝

。即總功耗＝通態(tài)損耗（與飽和電壓VCEsat有關）+開關損耗（EoffEon）。同一代技術中通態(tài)損耗與開關損耗兩者相互矛盾，互為消長。

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引領家電消費市場

隨著IGBT的聲名鵲起在整個功率半導體行業(yè)掀起了一波新浪潮。因其前身是MOS與BJT技術集成的產物，因此絕大多數應用在工業(yè)產品上，但隨著節(jié)能減排的指導方針興起，大多數家電產品也迎來了革新，新穎的低功耗功率半導體器件也會給整個家電市場帶來新的前景。所以GT30N135SRA在軟開關應用，電磁爐、微波爐（家電產品），電壓諧振變頻開關應用中能夠展現出奇的效果。

東芝半導體是全球領先的半導體生產設計制造公司，多年來持續(xù)耕耘在功率半導體研發(fā)上，經驗豐富的設計實驗室及優(yōu)異的研發(fā)團隊也一直致力于研發(fā)創(chuàng)新、提升芯片的功能屬性和穩(wěn)定特性。