在過去的博客中，我們介紹了瑞薩功率器件系列。上一次是推出響應節能和高性能 xEV 的 IGBT 產品。如果您錯過了我們之前關于 IGBT 的博客，您可以在這里查看。這一次，讓我介紹汽車功率MOSFET產品。

從全世界應對全球暖化的角度出發，許多國家都提到了汽車電氣化。 日本政府設定了目標：所有新車到2035年都將實現電氣化。日本政府提到的“電氣化汽車”不僅指電池EV和燃料電池車，還指混合動力和插電式混合動力汽車。另一方面，歐盟對電氣化車輛表現出強硬立場。歐盟提議在2035年有效禁止銷售新的汽油和柴油汽車。該提案包括到2035年將車輛的二氧化碳排放量減少100%。

混合動力和電池電動汽車的活動在世界上加速，但你知道輕度混合動力車嗎？混合動力和電池電動汽車的電池電壓系統采用數百伏特以上的高壓。對于超過60V的電池系統，需要符合嚴格的安全標準，并增加了安全成本。因此，開發48V電池系統的輕度混合動力車可以降低成本和二氧化碳排放。電氣化車輛具有政治層面，一些一級和原始設備制造商認為，它需要很多時間來完成電氣化，未來輕度混合動力汽車仍將有一些份額。我想在這個博客中介紹我們用在輕度混合動力車中的功率MOSFET。

瑞薩為輕度混合動力車的48V電池系統提供ANM2系列產品。瑞薩發布了最新的ANM2產品; RBA250N10CHPF。RBA250N10CHPF採用TO-263 7pin SHL 封裝，不僅可實現低導通電阻，還可實現低熱阻。世界上許多客戶使用我們的ANM2 產品用于電機控制應用。現在，作為ANM2下一代的 ANM3 產品正在開發中。

瑞薩專注于低導通電阻的MOSFET。對于下一代ANM3，通過我們自己的晶圓工藝技術來降低導通電阻，Ron指數可以低于ANM2。*Ron 指數表示 Ron 為晶圓工藝; 1.0 （ANM2）→ 0.8 （ANM3 100V）， 0.58 （ANM3 80V）。瑞薩ANM3將應用 TO-LL （無引腳） 封裝，可以從傳統的 TO-263 7pin SHL （扁平引腳）減少封裝電阻。同時，新的晶圓工藝和新的封裝可以使導通電阻從 ANM2 產品中的 1.9mΩ 大幅降低，使ANM3 產品達到一流的低導通電阻性能。

我們即將提供ANM3樣品; Proto sample – 11月/2021，WS - Q4/2022，CS - Q4/2023。

審核編輯：郭婷