功率器件在功率轉換中發揮作用。在功率器件中，尤其是IGBT在大功率應用中發揮著重要作用。它的性能與節能直接相關，節能是我們社會的一個主要問題。瑞薩電子擴大了其 IGBT 產品線，增加了第 8 代 （G8H），這是我們目前的主要產品第 7 代 （G7H） 的進一步發展。在G8H系列中，“薄晶圓”和“小型化”的最新技術改善了傳導損耗和開關損耗之間的權衡，實現了前所未有的超低損耗。在不滿足的情況下，我們還在開發一種新工藝 G9H，它可以進一步降低損耗。

以下是瑞薩特別關注的應用。

我們的目標是為能源管理領域做出貢獻，例如可再生能源（風力發電和太陽能發電）、電網、電力存儲和充電設備（UPS 和 EV 充電器），以便在未來產生大量需求實現生態社會。

產品形式有晶圓和封裝兩種。阻斷電壓有600V～1250V的產品陣容。另外，針對大功率風力發電和電網的硅片產品也正在開發1800V（預計即將投產）。我們有可以根據客戶的發展進行最佳選擇的產品。

除此之外，我們在評估板上的效率評估結果，它被模擬為每個應用程序的電路，以便讓您知道我們的設備在應用電路中也有良好的性能。例如，下圖顯示了逆變電路中的部分評估結果。您可以看到瑞薩 IGBT 的良好性能，包括電路效率、作為產品的功率損耗和工作波形。

瑞薩的 IGBT 以行業最高水平提供滿足客戶的低損耗和高效率性能！

未來，我們的功率分立產品團隊將推出 MOSFET、可控硅、晶閘管和熱 FET 等產品系列，作為瑞薩功率器件的介紹系列。超低損耗功率器件。