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采用NMOS+驅動IC做防反電路設計的優點

MPS芯源系統 ? 來源:MPS芯源系統 ? 作者:MPS芯源系統 ? 2022-05-26 15:05 ? 次閱讀

在上期視頻和文章中,我們介紹了汽車電子產品中和防反相關的各種復雜的脈沖測試,常見防反電路的類型,以及采用 PMOS 做防反電路設計時的缺點。

今天我們書接上回,繼續防反電路 PMOS 的話題。本期為下篇。

在這一期中,我們將介紹采用 “NMOS + 驅動 IC” 的方案做防反電路的設計及其優點。

所謂 “NMOS + 驅動 IC” 做防反設計,指的是將 NMOS 置于高邊,驅動 IC 也從高邊取電,內部產生一個高于 Vin 的電壓,給 NMOS 提供 Vgs 驅動供電。

根據此驅動電源的產生原理,驅動 IC 可分為 Charge Pump(電荷泵)型和 Buck-Boost(升降壓)型;

如下圖所示,即為這兩種方案的特點:

a841e298-dcac-11ec-ba43-dac502259ad0.png

采用 Charge Pump 型的防反方案,整體 BOM 少,成本較低,適用于電流不大,追求高性價比的場合,比如汽車 USB-PD 大功率充電模塊等。

采用 Buck-Boost 型的防反方案,IC 的驅動能力強,EMC 性能好,適用于大電流,追求高性能的場合,比如汽車各類域控制器,汽車音響系統等;

下面我們詳細介紹一下這兩種驅動 IC 的工作原理

如下圖所示,這是一個采用電荷泵做 NMOS 驅動的簡單工作原理。

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在 CLK 周期內,先令 S1/S2 導通,將內部相對于地的電壓源電壓給 C0 充電,然后令 S3/S4 導通,將電容 C0 上的電壓給電容 C1 充電。C0 是小電容,充放電速度快,C1 是大電容,負載能力強,因此通過頻繁地開關 S1/2 和 S3/4,就能不斷地將 C0 上的電荷搬運到 C1 上,而 C1 的負端連接電池電壓,因此我們就得到高于電池的電壓,用來給 NMOS 的門極做驅動。

如下圖所示,這是一個采用 Buck-Boost 拓撲的 NMOS 驅動的簡單工作原理。

a8d48670-dcac-11ec-ba43-dac502259ad0.png

這種 Buck-Boost 拓撲是將功率 MOS 置于 Low Side 的 Buck-Boost 拓撲。

當 Buck-Boost 的 MOS 管 S_bst 導通時,輸入電壓通過電感儲能,電感電壓上正下負;

當 Buck-Boost 的 MOS 管 S_bst 關斷時,電感通過二極管釋放能量,電感電壓上負下正,給電容 C1 充電;

這樣我們就能在 C1 上獲得高于電池的電壓,用來給 NMOS 的門極做驅動了。

之前有提到,采用Buck-Boost型防反驅動IC具有更好的性能優勢,這又是為何呢?

這種優勢主要體現在如下兩點:

優勢一

Buck-Boost 型防反驅動 IC 具有更大的驅動電流能力,能更快的響應輸入各種擾動。

我們用輸入疊加高頻交流紋波脈沖舉例說明。

a908e064-dcac-11ec-ba43-dac502259ad0.png

上圖是輸入疊加100kHz,峰峰值2V條件下的實測波形;紫紅色是輸入防反 MOSFET 的 SOURCE 極電壓,淺藍色是經過防反 MOSFET 的 DRAIN 極電壓,紅色是 MOSFET 驅動 Vgs 電壓,綠色是負載電流。

可以看到,驅動 IC 實時監測 NMOS 的漏極和源極。輸入電壓和源極電壓一致,系統電壓和漏極電壓一致。當源極電壓低于漏極電壓,即輸入電壓低于系統電壓時,關閉 MOSFET 驅動,體二極管實現防反功能,防止電容電流反灌;當源極電壓高于漏極電壓,即輸入電壓高于系統電壓時,導通 MOSFET 驅動,避免體二極管導通,影響效率。

如果采用電荷泵型防反驅動,由于其驅動電流能力不強,在輸入電壓快速波動時,容易產生門極驅動脈沖丟失或者常開的異常現象。

下圖是實測采用電荷泵型防反驅動的波形,黃色是防反 MOSFET 的輸入SOURCE 極電壓,紅色是 MOSFET 的輸出 DRAIN 極電壓,綠色是 MOSFET 的驅動 Vgs,藍色是負載電流。

a94a1656-dcac-11ec-ba43-dac502259ad0.png

在門極驅動脈沖丟失的時間內,MOS 無驅動,體二極管導通,存在巨大熱損耗,同時在下一次開通瞬間,存在較大的充電電流尖峰;

在門極驅動脈沖常開的時間內,MOS 常通,電解電容反復充放電,導致發熱嚴重。

優勢二

Buck-Boost 型防反驅動 IC 具有更好的 EMC 性能。

可能有工程師會質疑,采用 Buck-Boost 這種開關電源拓撲,是否會有 EMC 的問題呢?

其實恰恰相反,電荷泵雖然沒有電感,但它是電容式開關電源,電荷泵由于效率低,所以需要很高的工作頻率。一般而言,芯片內部集成的電容容值不大,是 pF 級,而芯片外用于給 NMOS 做驅動的電容,需要容值較大,是 uF 級。這樣我們的 Charge Pump 開關頻率不可避免在10M以上,而這樣的高頻,就有可能帶來 EMI 的潛在威脅。

采用 Buck-Boost 拓撲的防反驅動,其效率遠高于電荷泵拓撲。且這類驅動 IC 內部一般采用定峰值電流控制模式,這種模式在負載越輕的時候,開關頻率越低。因此,Buck-Boost 拓撲的防反驅動具有更好的 EMC 性能。

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如下圖所示,右邊是 MPS 最新推出的采用 Buck-Boost 型拓撲的防反驅動 IC,MPQ5850,其 EMC 測試結果能完美通過國標等級5的測試。

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關于汽車電子產品中防反電路的設計,現在你應該了解了吧。

原文標題:MPS 電源小課堂第三季第二話:防反電路一定要用 PMOS 嗎?(下)

文章出處:【微信公眾號:MPS芯源系統】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

審核編輯:湯梓紅
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原文標題:MPS 電源小課堂第三季第二話:防反電路一定要用 PMOS 嗎?(下)

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