初始屏蔽檢查

對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能，對橫截面進行SEM檢查，以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側(cè)壁角度。對于大特征和非關鍵蝕刻，可能只需要測量掩模厚度。

檢查抗蝕劑掩模是否需要去渣。一般來說，通過去除顯影步驟留下的有機殘留物，去渣將使蝕刻步驟在每次運行之間更加一致。在某些情況下，不管曝光和顯影時間如何，這種殘留物都會殘留，并且去渣步驟是蝕刻工作所必需的步驟。二氧化硅上的AZ抗蝕劑的例子如下:

工具選擇

蝕刻工具是高度專業(yè)化的，每種工具都有自己的一套工藝氣體、材料和樣品尺寸限制。為您的工藝選擇合適的樣品并確保您的設備符合材料限制非常重要。在蝕刻過程中使用錯誤的材料會破壞你自己的工藝，也會污染以后的工具。將腔室恢復到初始狀態(tài)可以使整個蝕刻室停工一整天來清潔污染物。

使用下表作為工具選擇的指南。與員工一起檢查以確保您的樣品和過程是兼容的，這從來都不是一個壞主意。

準備試驗箱:清潔和調(diào)節(jié)

在多用戶設施中，當?shù)谝淮问褂霉ぞ邥r，人們永遠無法確定工具和蝕刻室的狀態(tài)。盡管大多數(shù)蝕刻工具都有使用后清潔處理室的規(guī)定，但最好檢查一下，確保之前的用戶已經(jīng)執(zhí)行了正確的清潔步驟。您也可以使用標準清潔方法，使用空室或提供的清潔載體運行您自己的清潔步驟。

下一步是調(diào)節(jié)試驗箱。這意味著用我們的實際配方運行虛擬樣品或載體一小段時間，通常不超過5分鐘。該步驟將準備質(zhì)量流量控制器，并確保氣缸打開。此外，這一步會用您的樣品在蝕刻過程中會看到的材料覆蓋反應室的側(cè)壁。在沒有調(diào)節(jié)的情況下，樣品在蝕刻開始時(清潔室)與蝕刻結(jié)束時(調(diào)節(jié)室)將經(jīng)歷不同的室條件。一個接一個地運行多個樣本具有相似的效果。理想情況下，您希望您的樣品在整個過程中看到相同的反應室條件，并且調(diào)節(jié)步驟為第一次蝕刻的第一部分準備反應室。調(diào)節(jié)是可選的，但強烈建議確保可重復的結(jié)果。

c.在所有的蝕刻之后，通常需要另一個清潔步驟，以便為下一個使用者留下清潔的、可預測的工具。下圖總結(jié)了所有步驟。

蝕刻后的計量

在執(zhí)行蝕刻工藝之后，需要進行幾個測量來適當?shù)乇碚髟摴に嚒Ｆ渲邪ㄎg刻速率、選擇性、均勻性和側(cè)壁角度。采用橫截面掃描電鏡將有助于您提取蝕刻材料厚度和掩模最終厚度的數(shù)據(jù)。這些蝕刻速率的比率決定了選擇性。你也可以測量側(cè)壁角度，如果這很重要的話，并且，如果圖案是為其設計的，提取蝕刻速率對特征類型和尺寸的依賴性的數(shù)據(jù)。小的隔離孔與大的開放區(qū)域蝕刻不同。這被稱為縱橫比依賴蝕刻(ARDE)。下面是深硅蝕刻的例子。

關于選擇性有一個重要注意事項，它主要與光致抗蝕劑和有機掩模相關。蝕刻配方有時在配方的第一部分包括去渣步驟。這可以去除大量的抗蝕劑，并且可以給出選擇性取決于蝕刻時間的概念，時間越長，選擇性越高。確保您了解去渣對掩模厚度的影響，并在適當?shù)臅r間進行掩模測量。在某些情況下，重要的是僅測量第一個去渣步驟的抗蝕劑去除速率，以了解在配方中實際蝕刻步驟開始時的起始抗蝕劑厚度。

后續(xù)步驟

根據(jù)結(jié)果，可以修改蝕刻配方以滿足您的需求。在某些情況下，可能需要改變掩模而不是蝕刻步驟本身。過程價值和最終結(jié)果之間有許多關系，但大多數(shù)相互作用不是線性的。員工在這里支持您的項目，幫助您取得成功。

審核編輯：符乾江