IBM宣布制造出全球首款以2nm工藝打造的半導體芯片。該芯片與目前主流的7nm工藝相比,在同等電力消耗下,性能提升45%、能耗降低75%。
據悉,本次IBM所采用的使GAA技術,也就是環繞柵極晶體管技術。根據IBM介紹,這是首次采用底介電隔離通道,可以使實現12nm的柵長,可以減少電流泄漏,有助于減少芯片上的功耗,其內部間隔是第二代干法設計,有助于納米片的開發。IBM芯片采用了三層GAA納米片,每片納米片寬40nm,高5nm,間距44nm,柵極長度12nm。
量產時間方面,根據臺積電的規劃,N2制程將于2025年量產。按照這個進度,英特爾或將在2nm工藝上實現對于臺積電的趕超。此前,英特爾已宣布將會在2024年量產Intel 20A工藝,隨后,英特爾又宣布其Intel 18A工藝也將提前到2024年量產。另外,根據臺積電最新展示技術路線圖顯示,在今年下半年臺積電第一代3nm(N3)工藝量產之后,除了將推出低成本、低能耗的N3E之外,還將會推出高性能版本的N3P,以及性能和功耗均更具優勢的N3X。
根據提供的數據來看,臺積電的5nm芯片每平方毫米約有1.73億個晶體管,三星的5nm芯片每平方毫米約有1.27億個晶體管,IBM 2nm晶體管密度達到了臺積電5nm的2倍,預計比臺積電3nm工藝的晶體管密度還要多。
其實,IBM在7nm和5nm領域都具備相當優勢的主導權,并均實現量產。不過IBM目前并沒有自主的晶圓廠,如果此款2nm工藝的芯片想要順利落地,也需要三星、Intel等代工廠的幫助。
本文整合自:OFweek、芯智訊
責任編輯:符乾江
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