5納米芯片和7納米芯片的區(qū)別
5納米芯片相比7納米芯片的工藝技術(shù)要求更高、更好更低、性能更好。芯片工藝中5nm和7nm的兩個數(shù)值，代表的是芯片晶體管導(dǎo)電溝道的長度。
拿蘋果5nm工藝的蘋果A14和7nm工藝的蘋果A13為例，A14有118億個晶體管，A13有85億個晶體管，A14的CPU性能增幅約16%，GPU性能增幅大約為8.3.
從目前芯片制造工藝的技術(shù)角度來看，5nm制程工藝已經(jīng)很接近極限了。但納米級芯片制造工藝的數(shù)值，也不能真正的代表柵極寬度的數(shù)值。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
460文章
52616瀏覽量
442553 -
7納米
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
55瀏覽量
15053 -
5納米
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
27瀏覽量
5028
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
壓電納米定位系統(tǒng)如何重塑納米壓印精度邊界
的問題，還存在工藝復(fù)雜度大幅增加的瓶頸。而納米壓印技術(shù)憑借其在高分辨率加工、低成本生產(chǎn)以及高量產(chǎn)效率等方面的顯著優(yōu)勢，正逐步成為下一代微納制造領(lǐng)域的核心技術(shù)之一。 （注：圖片來源于網(wǎng)絡(luò)） 一、納米壓印：芯片制造領(lǐng)域的
超聲波指紋模組靈敏度飛升！低溫納米燒結(jié)銀漿立大功
工藝中。
低溫?zé)Y(jié)，開啟便捷高效大門
低溫?zé)Y(jié)是AS9120BL3納米銀漿的一大顯著優(yōu)勢，也是其區(qū)別于傳統(tǒng)銀漿的關(guān)鍵特性。與傳統(tǒng)銀漿通常需要在高溫下進(jìn)行燒結(jié)不同，低溫納米燒結(jié)銀漿的燒結(jié)溫度在120
發(fā)表于 05-22 10:26
全球芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入2納米競爭階段：臺積電率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!
隨著科技的不斷進(jìn)步，全球芯片產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入一個全新的競爭階段，2納米制程技術(shù)的研發(fā)和量產(chǎn)成為了各大芯片制造商的主要目標(biāo)。近期，臺積電、三星、英特爾以及日本的Rapidus等公司紛紛加快了在2納米
納米技術(shù)的發(fā)展歷程和制造方法
10納米甚至更小。這種技術(shù)進(jìn)步使得每個芯片可以容納更多的器件，從而實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的運(yùn)算能力、更高的存儲容量以及更快的運(yùn)行速度。
納米銅燒結(jié)為何完勝納米銀燒結(jié)？
在半導(dǎo)體功率模塊封裝領(lǐng)域，互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來，隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展，納米銀燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互連技術(shù)，備受業(yè)界關(guān)注。然而，在眾多應(yīng)用場景中
臺積電美國工廠生產(chǎn)4納米芯片
近日，據(jù)最新報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺積電已正式在美國亞利桑那州的工廠啟動了先進(jìn)的4納米芯片的生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著臺積電在美國市場的進(jìn)一步拓展，也預(yù)示著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的深刻變化。 1月11
納米晶體技術(shù)介紹
本文旨在介紹人類祖先曾經(jīng)使用過納米晶體的應(yīng)用領(lǐng)域。 ? 納米技術(shù)/材料在現(xiàn)代社會中的應(yīng)用與日俱增。納米晶體，這一類獨(dú)特的納米材料，預(yù)計(jì)將在液晶顯示器、發(fā)光二極管、激光器等新一代設(shè)備中發(fā)
Rapidus攜手博通推進(jìn)2納米芯片量產(chǎn)
近日，據(jù)日媒報(bào)道，日本半導(dǎo)體新興企業(yè)Rapidus正與全球知名芯片制造商博通(Broadcom)展開合作，共同致力于2納米尖端芯片的量產(chǎn)。Rapidus計(jì)劃在今年6月向博通提供試產(chǎn)芯片
OptiFDTD應(yīng)用：用于光纖入波導(dǎo)耦合的硅納米錐仿真
介紹
在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1]
耦合器由高折射率比材料組成，是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2]
錐形耦合器實(shí)際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式
發(fā)表于 01-08 08:51
7納米工藝面臨的各種挑戰(zhàn)與解決方案
本文介紹了7納米工藝面臨的各種挑戰(zhàn)與解決方案。 一、什么是7納米工藝？ 在談?wù)?b class='flag-5'>7納米工藝之前，我
碳納米管的結(jié)構(gòu)與特性解析 碳納米管在能源儲存中的應(yīng)用
碳納米管的結(jié)構(gòu)與特性解析 1. 結(jié)構(gòu)概述 碳納米管（Carbon Nanotubes，簡稱CNTs）是一種由碳原子組成的納米級管狀結(jié)構(gòu)材料，具有獨(dú)特的一維納米結(jié)構(gòu)。它們可以看作是石墨烯
碳納米管的導(dǎo)電性能介紹 碳納米管如何提高材料強(qiáng)度
碳納米管的導(dǎo)電性能介紹 1. 碳納米管的結(jié)構(gòu)特性 碳納米管的結(jié)構(gòu)可以看作是石墨烯（單層碳原子構(gòu)成的二維材料）卷曲而成的一維結(jié)構(gòu)。根據(jù)卷曲的方式不同，碳納米管可以分為扶手椅型、鋸齒型和手
OptiFDTD應(yīng)用：用于光纖入波導(dǎo)耦合的硅納米錐仿真
介紹
在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1]
耦合器由高折射率比材料組成，是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2]
錐形耦合器實(shí)際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式
發(fā)表于 12-11 11:27
勝科納米IPO提交注冊，芯片檢測“全科醫(yī)院”上市在即
近日，上交所官網(wǎng)披露了勝科納米（蘇州）股份有限公司（以下簡稱“勝科納米”）的招股說明書（注冊稿）等相關(guān)文件，標(biāo)志著勝科納米IPO進(jìn)程再次取得重要進(jìn)展。從11月22日過會到11月29日提交注冊，僅隔
新思科技發(fā)布1.6納米背面布線技術(shù)，助力萬億晶體管芯片發(fā)展
近日，新思科技（Synopsys）宣布了一項(xiàng)重大的技術(shù)突破，成功推出了1.6納米背面電源布線項(xiàng)目。這一技術(shù)將成為未來萬億晶體管芯片制造過程中的關(guān)鍵所在。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論