duv和euv光刻機區(qū)別
目前的光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用極紫外光刻技術(shù)，后者采用深紫外光刻技術(shù)。EUV已被確定為先進工藝芯片光刻機的發(fā)展方向。
DUV已經(jīng)能滿足絕大多數(shù)需求：覆蓋7nm及以上制程需求。DUV和EUV最大的區(qū)別在光源方案。duv的光源為準(zhǔn)分子激光，光源的波長能達到193納米。然而，euv激光激發(fā)等離子來發(fā)射EUV光子，光源的波長則為13.5納米。
從制程范圍方面來談duv基本上只能做到25nm，Intel憑借雙工作臺的模式做到了10nm，卻無法達到10nm以下。euv能滿足10nm以下的晶圓權(quán)制造，并且還可以向5nm、3nm繼續(xù)延伸。
duv和euv光刻機區(qū)別還有光路系統(tǒng)不同。
duv：主要利用光的折射原理。其中，浸沒式光刻機會在投影透鏡與晶圓之間，填入去離子水，使得193nm的光波等效至134nm。
euv：利用的光的反射原理，內(nèi)部必須為真空操作。
文章綜合php中文網(wǎng)、科創(chuàng)板日報、浩晨生活館
編輯：黃飛
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發(fā)表于 10-31 10:56
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