NP6P02DR 20V p通道增強模式MOSFET
描述
NP6P02DR采用了先進的溝槽技術
提供優良的RDS(ON)，低柵電荷和
工作電壓低至1.8V。這
該器件適用于作為負載開關或PWM
應用程序。
一般特征
?VDS = -20v, id = -6a
RDS(上)(Typ) = 39 mΩ@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 58米Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產品
?表面安裝包
應用程序
?PWM程序
?負荷開關
包
?DFN2 * 2-6L-B
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
熱阻評級
注:
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
審核編輯 黃昊宇
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