技術提問

Q1：
雖說Si24R2E布局走線非常簡單，是否有提供建議參考，可以避免一些誤區？

A1：

有的。芯片數據手冊上有標準的參考原理圖，同時我們會提供一份《Si24R2E硬件設計指南》，避免客戶在設計過程中的一些問題，減少后期調試改板等工作。

Q2：
我看到大多數Si24R2E的板子上都會加一顆100uf的鉭電容，具體作用是什么？

A2：

因為Si24R2E主要針對是低功耗有源標簽應用，一般是紐扣電池供電，加100uf鉭電容可以有效穩定供電，同時保護電池延長電池壽命。

Q3：
Si24R2E SPI 輸入口必須強制10K電阻上拉，否則靜態電流異常。如果這個10K上拉電阻沒有加，會有什么影響？

A3：

靜態電流會大一些。對于芯片的燒錄以及芯片的燒錄均沒有影響，但是我們強烈建議加上這幾個10K上拉電阻，主要還是穩定性更好。

Q4：
Si24R2E是如何進行芯片燒錄的？是否可以外掛MCU控制？

A4：

正常是通過我司提供的PC端芯片燒錄上位機編程器進行程序的下載，測試與量產都非常的方便。同時也支持外接MCU控制。

Q5：
Si24R2E/Si24R2F/Si24R2H,三款產品有什么區別？

A5：

三款芯片均是脫胎于Si24R1，主要的區別是針對應用領域不同，所以功能有所差異。

Si24R2F兼容Si24R2E情況下新增了部分功能：

1.自動發射模式下，最多支持4個不同信道輪詢發射；

2.集成溫度監測和報警功能（開啟溫度監測，每次發射數據都會包含芯片工作環境溫度數據）；

3.支持按鍵發射功能；

4.支持發射數據加密。

Si24R2H相比Si24R2E有幾個較大的區別：

1.R2H功率要高于R2E。分別是12dBm和7dBm；

2.封裝不一樣，分別是R2H QFN32和R2E QFN20；

3.R2H內置125K，R2E則沒有；

4.跳頻通道不一樣，R2H只支持4通道跳頻，R2E只支持3通道跳頻；

5.內置NVM寄存器燒寫次數不一樣，R2H可燒寫次數較少為32次，R2E為128次；

6.R2H支持數據加密功能，R2E則不支持；

7.R2H支持內部測溫，NTC測溫，外掛溫濕度傳感器。R2E則不支持。

如果您還有其他技術問題未得到解決，可以在評論區留言一起交流，我們有專業的技術團隊給您提供強大的技術支持！

ENDING

深圳市動能世紀科技有限公司，是一家物聯網核心射頻芯片供應商，作為IOT行業最靠近應用層的一環，一直致力于將更好的產品推向RFID的市場和各種射頻的應用領域，產品覆蓋于125K, 13.56M, Sub-1G, 2.4G, BLE, LoRa, ZigBee, Wi-Fi以及低功耗MCU，在校訊通、物流管理、電動車防盜、人員定位等RFID領域已經占據主要地位，得到了物聯網客戶群的廣泛認可，真正做到IoT領域一站式服務。


審核編輯 黃昊宇