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QUANTUMESPRESSO在Device Studio中的應(yīng)用

鴻之微 ? 來(lái)源:鴻之微 ? 作者:鴻之微 ? 2022-07-21 14:54 ? 次閱讀

Device Studio(簡(jiǎn)稱:DS)作為鴻之微的材料設(shè)計(jì)與仿真軟件,能夠進(jìn)行電子器件的結(jié)構(gòu)搭建與仿真;能夠進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)和納米器件的建模;能夠生成科研計(jì)算軟件 Nanodcal、Nanoskim、MOMAP、RESCU、DS-PAW、BDF、STEMS、TOPS、PODS、VASP、LAMMPS、QUANTUM ESPRESSO、Gaussian的輸入文件并進(jìn)行存儲(chǔ)和管理;可以根據(jù)用戶需求,將輸入文件傳遞給遠(yuǎn)程或本地的計(jì)算機(jī)進(jìn)行計(jì)算,并控制計(jì)算流程;可以將計(jì)算結(jié)果進(jìn)行可視化顯示和分析。

上一期的教程給大家介紹了Device Studio應(yīng)用實(shí)例之LAMMPS應(yīng)用實(shí)例的內(nèi)容,本期將介紹Device Studio應(yīng)用實(shí)例之QUANTUMESPRESSO應(yīng)用實(shí)例的內(nèi)容。

8.3.QUANTUMESPRESSO實(shí)例

QUANTUM ESPRESSO 是一款功能很強(qiáng)大的第一性原理計(jì)算開(kāi)源軟件,ESPRESSO是opEn-Source Package的首字母縮寫,基于密度泛函理論、平面波及贗勢(shì),可用于納米尺度下電子結(jié)構(gòu)計(jì)算。QUANTUM ESPRESSO 的核心平面波DFT模塊為PWscf(平面波自洽場(chǎng)),PWscf(平面波自洽場(chǎng))使用平面波基集和偽勢(shì)能在密度泛函理論和密度泛函微擾理論范圍內(nèi)進(jìn)行電子結(jié)構(gòu)計(jì)算的程序。目前,PWscf(平面波自洽場(chǎng))模塊已經(jīng)集成在Device Studio中。

目前用戶可通過(guò)Device Studio進(jìn)行 QUANTUM ESPRESSO 以下性質(zhì)的計(jì)算:結(jié)構(gòu)馳豫、自洽、能帶、態(tài)密度、DFT+U、共線自旋、非共線自旋、自旋軌道耦合

以Si晶體結(jié)構(gòu)的自洽、能帶及態(tài)密度計(jì)算為例來(lái)詳細(xì)描述 QUANTUMESPRESSO 在Device Studio中的應(yīng)用。

8.3.1.QUANTUM ESPRESSO計(jì)算流程

QUANTUM ESPRESSO在Device Studio中的計(jì)算流程如圖8.3-1所示。

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圖8.3-1: QUANTUM ESPRESSO計(jì)算流程

8.3.2.QUANTUM ESPRESSO創(chuàng)建項(xiàng)目

雙擊Device Studio圖標(biāo)快捷方式,登錄并啟動(dòng)Device Studio,在創(chuàng)建或打開(kāi)項(xiàng)目界面中(圖5.1-1: 啟動(dòng)軟件后選擇創(chuàng)建或打開(kāi)項(xiàng)目的圖形界面),根據(jù)界面提示選擇創(chuàng)建一個(gè)新的項(xiàng)目(Create a new Project)或打開(kāi)一個(gè)已經(jīng)存在的項(xiàng)目(Open an existing Project)的按鈕,選中之后點(diǎn)擊界面中的OK按鈕即可。若選擇創(chuàng)建一個(gè)新的項(xiàng)目,用戶可根據(jù)需要給該項(xiàng)目命名,如本項(xiàng)目命名為QUANTUMESPRESSO,或采用軟件默認(rèn)項(xiàng)目名。

8.3.3.QUANTUM ESPRESSO導(dǎo)入結(jié)構(gòu)

在Device Studio中導(dǎo)入Si晶體結(jié)構(gòu)后的圖形界面如圖8.3-2。在Device Studio中導(dǎo)入Si晶體結(jié)構(gòu)的具體操作這里不做詳細(xì)說(shuō)明,用戶可參照導(dǎo)入結(jié)構(gòu)節(jié)內(nèi)容。

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圖8.3-2: 導(dǎo)入Si晶體結(jié)構(gòu)后的Device Studio圖形界面

8.3.4.QUANTUM ESPRESSO參數(shù)設(shè)置

在如圖8.3-2所示界面中選中Simulator→QUANTUM ESPRESSO→QUANTUM ESPRESSO,彈出界面如圖8.3-3(a)所示,用戶可根據(jù)所計(jì)算的結(jié)構(gòu)及計(jì)算需要在該界面中點(diǎn)擊不同的按鈕合理設(shè)置參數(shù),之后點(diǎn)擊Generate files即可生成對(duì)應(yīng)計(jì)算的輸入文件。

如生成Si晶體結(jié)構(gòu)的自洽、能帶及態(tài)密度計(jì)算的輸入文件,根據(jù)計(jì)算需要設(shè)置參數(shù),分別選中Basic settings、Bandstructure、DensityOfStates,設(shè)置參數(shù)分別如圖8.3-3(b)、8.3-3(c)、8.3-3(d)所示,設(shè)置好參數(shù)后點(diǎn)擊Generate files即可生成Si晶體結(jié)構(gòu)自洽、能帶及態(tài)密度計(jì)算的輸入文件scf.in、band.in、nscf.in、dos.in。

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8.3.5.QUANTUM ESPRESSO輸入文件的生成

生成Si晶體結(jié)構(gòu)的自洽、能帶和態(tài)密度計(jì)算的輸入文件scf.in、band.in、nscf.in、dos.in的Device Studio界面如圖8.3-4所示。其中,scf.in為自洽計(jì)算輸入文件;band.in為能帶計(jì)算輸入文件;由于態(tài)密度計(jì)算之前需要先進(jìn)行一個(gè)非自洽計(jì)算,因此nscf.in和dos.in是態(tài)密度計(jì)算所需的輸入文件,計(jì)算順序?yàn)橄萵scf.in后dos.in。

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圖8.3-4: 生成Si晶體結(jié)構(gòu)自洽、能帶、態(tài)密度計(jì)算輸入文件的Device Studio圖形界面

在如圖8.3-4所示界面中,選中scf.in→ 右擊 →Open with即可查看到Si晶體結(jié)構(gòu)自洽計(jì)算輸入文件如下所示。對(duì)于其他輸入文件,用戶可根據(jù)計(jì)算需要選擇是否打開(kāi)查看,這里不做詳細(xì)說(shuō)明。

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8.3.6.QUANTUM ESPRESSO計(jì)算

在如圖8.3-4所示界面中,在Device Studio的Project Explorer區(qū)域選中scf.in→ 右擊 →Run,彈出Run界面如圖8.3-5所示,點(diǎn)擊界面中的Run按鈕則可進(jìn)行Si晶體結(jié)構(gòu)的自洽計(jì)算。以此類推,分別選中band.in、nscf.in、dos.in文件重復(fù)上述步驟進(jìn)行Si的能帶和態(tài)密度計(jì)算。

在計(jì)算過(guò)程中,用戶可在Job Manager區(qū)域觀察自洽、能帶和態(tài)密度計(jì)算的計(jì)算狀態(tài),當(dāng)計(jì)算任務(wù)處于排隊(duì)中、計(jì)算中和計(jì)算完成時(shí),Status分別為Queued、Running、Finished,計(jì)算完成后Device Studio圖形界面如圖8.3-6所示。其中,scf.out、bs.out和nscf.out分別為Si晶體結(jié)構(gòu)自洽、能帶和非自洽計(jì)算的日志文件;dos.out和Si.dos分別為Si態(tài)密度計(jì)算的日志文件和數(shù)據(jù)文件。

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圖8.3-5: Run界面

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圖8.3-6: Si晶體結(jié)構(gòu)自洽、能帶和態(tài)密度計(jì)算完成的Device Studio圖形界面

8.3.7.QUANTUM ESPRESSO計(jì)算結(jié)果的可視化分析

對(duì)于Si的能帶和態(tài)密度計(jì)算結(jié)果bs.out和Si.dos,Device Studio可將其進(jìn)行顯示供用戶進(jìn)行相關(guān)分析,即計(jì)算結(jié)果的可視化分析。如bs.out,在如圖8.3-6所示界面的Project Explorer區(qū)域選中bs.out→ 右擊 →Show View,則彈出Si的能帶可視化分析界面如圖8.3-7所示,用戶可通過(guò)滾動(dòng)鼠標(biāo)中鍵將可視化分析結(jié)果放大或縮小。選中如圖8.3-7所示界面中Export快捷圖標(biāo),彈出導(dǎo)出可視化分析結(jié)果的圖形界面,用戶可根據(jù)需要選擇圖片的保存路徑和保存格式,并給所保存的圖片命名。

在Device Studio的Project Explorer區(qū)域選中Si.dos→ 右擊 →Show View,則彈出Si的態(tài)密度可視化分析界面如圖8.3-8所示。

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圖8.3-7: Si晶體能帶(bs.out)的可視化分析界面

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圖8.3-8: Si晶體態(tài)密度(Si.dos)的可視化分析界面

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:產(chǎn)品教程|Device Studio應(yīng)用實(shí)例04

文章出處:【微信號(hào):hzwtech,微信公眾號(hào):鴻之微】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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