1、MOS名稱

MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field EffectTransistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。

所以全稱縮寫(xiě)為：MOSFET,在正式的場(chǎng)合均用MOSFET(設(shè)計(jì)文稿、專業(yè)論壇、文章)而不用MOS。

2、MOS特點(diǎn)

由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10的8次方Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為三極管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路(柵極控制)電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路(IDS)電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名.

3、MOSFET金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)

4、MOSFET工作原理

N MOS工作原理：當(dāng)VDS加正向電壓，VGS未加電壓時(shí)，兩個(gè)N型半導(dǎo)體材料中間有P型半導(dǎo)體，有一個(gè)PN結(jié)始終處于反偏狀態(tài)，所以MOS不導(dǎo)能。如下圖，在VGS加正向電壓時(shí)，金屬與半導(dǎo)體中間有絕緣層不導(dǎo)通，但形成的電場(chǎng)將P型半導(dǎo)體的多子(空穴)向下推開(kāi)，吸引兩個(gè)N型半導(dǎo)體的多子(電子)在絕緣層下形成通道，兩個(gè)N型半導(dǎo)體導(dǎo)通。控制VGS大小(即形成的電場(chǎng))即可控制溝道的寬度，從而控制IDS電流的大小。

P MOS工作原理：當(dāng)VDS加反向電壓，VGS未加電壓時(shí)，兩個(gè)P型半導(dǎo)體材料中間有N型半導(dǎo)體，有一個(gè)PN結(jié)始終處于反偏狀態(tài)，所以MOS不導(dǎo)能。如下圖，在VGS加反向電壓時(shí)，金屬與半導(dǎo)體中間有絕緣層不導(dǎo)通，但形成的電場(chǎng)將N型半導(dǎo)體的多子(電子)向下推開(kāi)，吸引兩個(gè)P型半導(dǎo)體的多子(空穴)在絕緣層下形成通道，兩個(gè)P型半導(dǎo)體導(dǎo)通?？刂芕GS大小(即形成的電場(chǎng))即可控制溝道的寬度，從而控制IDS電流的大小。

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審核編輯：湯梓紅