一、功率MOSFET的正向導通等效電路

(1)：等效電路

(2)：說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大;它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。

二、功率MOSFET的反向導通等效電路(1)

(1)：等效電路(門極不加控制)

(2)：說明：即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。

三、功率MOSFET的反向導通等效電路(2)

(1)：等效電路(門極加控制)

(2)：說明：功率 MOSFET 在門級控制下的反向導通，也可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大;它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態稱為MOSFET 的同步整流工作，是低壓大電流輸出開關電源中非常重要的一種工作狀態。

四、功率MOSFET的正向截止等效電路

(1)：等效電路

(2)：說明：功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環境溫度等有關，大小可從制造商的手冊中獲得。

五、功率MOSFET的穩態特性總結

(1)：功率MOSFET 穩態時的電流/電壓曲線

(2)：說明：功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩態工作點：

當門極不加控制時，其反向導通的穩態工作點同二極管。

(3)：穩態特性總結：-- 門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態;當VgsVth時，器件處于導通狀態;器件的通態電阻與Vgs有關，Vgs大，通態電阻小;多數器件的Vgs為 12V-15V ，額定值為+-30V;

-- 器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來標稱的;只要實際的漏極電流有效值沒有超過其額定值，保證散熱沒問題，則器件就是安全的;

-- 器件的通態電阻呈正溫度系數，故原理上很容易并聯擴容，但實際并聯時，還要考慮驅動的對稱性和動態均流問題;

-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態電阻很小;

-- 器件的同步整流工作狀態已變得愈來愈廣泛，原因是它的通態電阻非常小(目前最小的為2-4 毫歐)，在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關鍵的器件;

六、包含寄生參數的功率MOSFET等效電路

(1)：等效電路

(2)：說明：實際的功率MOSFET 可用三個結電容，三個溝道電阻，和一個內部二極管及一個理想MOSFET 來等效。三個結電容均與結電壓的大小有關，而門極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態電阻。

七、功率MOSFET的開通和關斷過程原理

(1)：開通和關斷過程實驗電路

(2)：MOSFET 的電壓和電流波形：

(3)：開關過程原理：

開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態，t0 時，MOSFET 被驅動開通;

-- [t0-t1]區間，MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電;

-- [t1-t2]區間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電影響不大;

-- [t2-t3]區間，至t2 時刻，MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅動電壓對Millier 電容進行充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續減小;

-- [t3-t4]區間，至t3 時刻，MOSFET 的DS 電壓降至飽和導通時的電壓，Millier 電容變小并和GS 電容一起由外部驅動電壓充電，GS 電容的電壓上升，至t4 時刻為止。此時GS 電容電壓已達穩態，DS 電壓也達最小，即穩定的通態壓降。

關斷過程[ t5 ~t9 ]：-- 在 t5 前，MOSFET 工作于導通狀態， t5 時，MOSFET 被驅動關斷;

-- [t5-t6]區間，MOSFET 的Cgs 電壓經驅動電路電阻放電而下降，在t6 時刻，MOSFET 的通態電阻微微上升，DS 電壓梢稍增加，但DS 電流不變;

-- [t6-t7]區間，在t6 時刻，MOSFET 的Millier 電容又變得很大，故GS 電容的電壓不變，放電電流流過Millier 電容，使DS 電壓繼續增加;

-- [t7-t8]區間，至t7 時刻，MOSFET 的DS 電壓升至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容迅速減小，GS 電容開始繼續放電，此時DS 電容上的電壓迅速上升，DS 電流則迅速下降;

-- [t8-t9]區間，至t8 時刻，GS 電容已放電至Vth，MOSFET 完全關斷;該區間內GS 電容繼續放電直至零。

八、因二極管反向恢復引起的MOSFET開關波形

(1)：實驗電路

(2)：因二極管反向恢復引起的MOSFET 開關波形：

九、功率MOSFET的功率損耗公式

(1)：導通損耗：

該公式對控制整流和同步整流均適用

該公式在體二極管導通時適用

(2)：容性開通和感性關斷損耗：

為MOSFET 器件與二極管回路中的所有分布電感只和。一般也可將這個損耗看成器件的感性關斷損耗。

(3)：開關損耗：開通損耗：

考慮二極管反向恢復后：

關斷損耗：

驅動損耗：

十、功率MOSFET的選擇原則與步驟

(1)：選擇原則(A)：根據電源規格，合理選擇MOSFET 器件(見下表)：(B)：選擇時，如工作電流較大，則在相同的器件額定參數下，-- 應盡可能選擇正向導通電阻小的 MOSFET;-- 應盡可能選擇結電容小的 MOSFET。

(2)：選擇步驟(A)：根據電源規格，計算所選變換器中MOSFET 的穩態參數：-- 正向阻斷電壓最大值;-- 最大的正向電流有效值;(B)：從器件商的DATASHEET 中選擇合適的MOSFET，可多選一些以便實驗時比較;(C)：從所選的MOSFET 的其它參數，如正向通態電阻，結電容等等，估算其工作時的最大損耗，與其它元器件的損耗一起，估算變換器的效率;(D)：由實驗選擇最終的MOSFET 器件。

十一、理想開關的基本要求

(1)：符號

(2)：要求(A)：穩態要求：合上 K 后-- 開關兩端的電壓為零;-- 開關中的電流有外部電路決定;-- 開關電流的方向可正可負;-- 開關電流的容量無限。斷開 K 后-- 開關兩端承受的電壓可正可負;-- 開關中的電流為零;-- 開關兩端的電壓有外部電路決定;-- 開關兩端承受的電壓容量無限。(B)：動態要求：K 的開通-- 控制開通的信號功率為零;-- 開通過程的時間為零。K 的關斷-- 控制關斷的信號功率為零;-- 關斷過程的時間為零。(3)：波形

其中：H：控制高電平;L：控制低電平-- Ion 可正可負，其值有外部電路定;-- Voff 可正可負，其值有外部電路定。

十二、用電子開關實現理想開關的限制

(1)：電子開關的電壓和電流方向有限制：(2)：電子開關的穩態開關特性有限制：-- 導通時有電壓降;(正向壓降，通態電阻等)-- 截止時有漏電流;-- 最大的通態電流有限制;-- 最大的阻斷電壓有限制;-- 控制信號有功率要求，等等。(3)：電子開關的動態開關特性有限制：-- 開通有一個過程，其長短與控制信號及器件內部結構有關;-- 關斷有一個過程，其長短與控制信號及器件內部結構有關;-- 最高開關頻率有限制。目前作為開關的電子器件非常多。在開關電源中，用得最多的是二極管、MOSFET、IGBT 等，以及它們的組合。

十三、電子開關的四種結構

(1)：單象限開關

(2)：電流雙向(雙象限)開關

(3)：電壓雙向(雙象限)開關

(4)：四單象限開關

十四、開關器件的分類

(1)：按制作材料分類：-- (Si)功率器件;-- (Ga)功率器件;-- (GaAs)功率器件;-- (SiC)功率器件;-- (GaN)功率器件;--- 下一代-- (Diamond)功率器件;--- 再下一代(2)：按是否可控分類：-- 完全不控器件：如二極管器件;-- 可控制開通，但不能控制關斷：如普通可控硅器件;-- 全控開關器件-- 電壓型控制器件：如MOSFET，IGBT，IGT/COMFET ，SIT 等;-- 電流型控制期間：如GTR，GTO 等(3)：按工作頻率分類：-- 低頻功率器件：如可控硅，普通二極管等;-- 中頻功率器件：如GTR，IGBT，IGT/COMFET;-- 高頻功率器件：如MOSFET，快恢復二極管，蕭特基二極管，SIT 等(4)：按額定可實現的最大容量分類：-- 小功率器件：如MOSFET-- 中功率器件：如IGBT-- 大功率器件：如GTO(5)：按導電載波的粒子分類：-- 多子器件：如MOSFET，蕭特基，SIT,JFET 等-- 少子器件：如IGBT，GTR，GTO，快恢復，等

十五、不同開關器件的比較

(1)：幾種可關斷器件的功率處理能力比較

(2)：幾種可關斷器件的工作特性比較

上面的數據會隨器件的發展而不斷變化，僅供參考。

審核編輯：湯梓紅