在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

張玉珍 ? 來(lái)源:紅粉小Q豬 ? 作者:紅粉小Q豬 ? 2022-08-09 10:13 ? 次閱讀

碳化硅 (SiC) 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn),包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較小的管芯尺寸相關(guān)的散熱問(wèn)題、管芯上與封裝相關(guān)的應(yīng)變以及襯底可用性。但針對(duì)這些挑戰(zhàn)的解決方案正在評(píng)估并投入生產(chǎn),通過(guò)正確實(shí)施,可以使用 SiC 滿足客戶需求并滿足現(xiàn)場(chǎng)期望。

作為領(lǐng)先的半導(dǎo)體和功率器件制造商,安森美半導(dǎo)體從 2015 年開始在 SiC 器件中占據(jù)重要地位。從小規(guī)模生產(chǎn)開始,安森美半導(dǎo)體在 2016 年和 2017 年實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng),去年,SiC 產(chǎn)量比去年翻了一倍多。由于對(duì) 2019 年和 2020 年的產(chǎn)量增長(zhǎng)預(yù)測(cè)類似,公司正在詢問(wèn) SiC 需求的爆炸性增長(zhǎng)是否會(huì)超過(guò)可用的襯底供應(yīng)。通過(guò)制定適當(dāng)?shù)牟呗詠?lái)確保底物的替代來(lái)源,可以避免這個(gè)潛在的問(wèn)題。

關(guān)于 SEMI 的 SiC 產(chǎn)品組合

ON Semi 今天提供范圍廣泛的基于 SiC 的器件,例如二極管(均作為分立元件和模塊提供),范圍從 4 到 50 A/650 V 到 6 到 50 A/1,200 V。MOSFET 的生產(chǎn)始于2018 年第一季度推出采用 TO-247 封裝的 80mΩ、1,200V 器件。從今年第二季度開始,ON Semi 將發(fā)布多達(dá) 12 款新器件,包括采用 TO-247-3L、D2PAK-7L 和 TO247-4L 封裝的 20-、40- 和 160-mΩ MOSFET。ON Semi 基礎(chǔ)設(shè)施依賴于巨大的晶圓廠產(chǎn)能,每周能夠發(fā)布超過(guò) 10,000 個(gè)晶圓。同時(shí),在所有時(shí)區(qū)(亞洲、歐洲和美國(guó))都有一個(gè)開發(fā)團(tuán)隊(duì),以支持 24 小時(shí)全球開發(fā)。

當(dāng)前的第一代器件產(chǎn)品組合將通過(guò) 900V MOSFET 進(jìn)行擴(kuò)展,該 MOSFET 具有 15V 的柵極至源極電壓 (VGS),旨在滿足汽車牽引力控制應(yīng)用的需求。該器件路線圖還包括一個(gè) 1,700-V 肖特基勢(shì)壘二極管 (SBD),適用于大功率和工業(yè)應(yīng)用,以及一個(gè) 650-V 第二代 SBD,能夠滿足競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)的需求。

盡管如今二極管仍占主導(dǎo)地位,但預(yù)計(jì)未來(lái)一到兩年內(nèi) MOSFET 和模塊應(yīng)用將大幅增長(zhǎng)。因此,ON Semi 專注于實(shí)現(xiàn)更高功率的模塊、不同的占位面積和廣泛的 MOSFET 電壓等級(jí)。

應(yīng)用實(shí)例

SiC MOSFET 的一個(gè)示例應(yīng)用是用于電動(dòng)巴士車隊(duì)的 40 kW 車載快速充電器。每個(gè)系統(tǒng)包括 36 個(gè) SiC MOSFET,可實(shí)現(xiàn)出色的電流共享、出色的 dV/dt 控制(高于 25 V/納秒)、有源整流和零場(chǎng)故障。電動(dòng)方程式市場(chǎng)代表了另一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用。E 級(jí)方程式賽車需要高系統(tǒng)性能,從而推動(dòng)了設(shè)備規(guī)格的極限。ON Semi 提供 50-A 二極管和 1,200-V、160-A MOSFET(16 個(gè)并聯(lián)器件)以實(shí)現(xiàn)高性能牽引系統(tǒng)。

pYYBAGHFdU2AccKxAAFQb4uVv_g231.jpg

圖 1:SiC 二極管和 IGBT 性能比較

電動(dòng)方程式賽車牽引力控制是一種極端應(yīng)用,其中 SiC 設(shè)備通常會(huì)在超速檔增壓區(qū)工作,以在汽車在惡劣條件下運(yùn)行時(shí)提供有關(guān)預(yù)期壽命和最大功率的寶貴信息。SiC MOSFET 正在取代目前在牽引系統(tǒng)中使用的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT),從而使解決方案的芯片尺寸大幅減小(從 50 mm 2到大約 10 mm 2)。

審核編輯:彭靜
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    42

    文章

    1925

    瀏覽量

    92346
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3044

    瀏覽量

    50168
  • sic器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    59

    瀏覽量

    15746
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?455次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢(shì)

    在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?566次閱讀

    SiC碳化硅二極管公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

    結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?357次閱讀

    國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

    碳化硅行業(yè)觀察:國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來(lái),碳化硅(SiC)功率
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?489次閱讀
    國(guó)內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

    碳化硅功率器件的散熱方法

    碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:22 ?520次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?540次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的重要代表,以其優(yōu)越的性能和廣闊的應(yīng)用前景,成為能源革命中的重要推動(dòng)力。本文將從市場(chǎng)資訊的角度,深入探討碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 10-24 15:46 ?1051次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件碳化
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?1171次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),使得
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?1363次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件的原理簡(jiǎn)述

    隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子領(lǐng)域也迎來(lái)了前所未有的變革。在這場(chǎng)變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì),逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:47 ?1214次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的原理簡(jiǎn)述

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?1044次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    優(yōu)勢(shì),成為了電力電子領(lǐng)域的一顆璀璨新星。本文將深入探討碳化硅功率器件的物性特征、技術(shù)優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用前景以及面臨挑戰(zhàn)
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:43 ?622次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

    碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來(lái)在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:25 ?1105次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>有哪些優(yōu)勢(shì)

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:22 ?1208次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢(shì)和分類
    主站蜘蛛池模板: 黄色片 720p| 国产精品黄网站免费观看 | 国产亚洲人成a在线v网站 | 男啪女色黄无遮挡免费视频 | www我要色综合com | 久久久午夜毛片免费 | 亚洲小视频 | 久久夜视频 | 国产又粗又大又爽又免费 | 欧美黑人巨大日本人又爽又色 | 伊人狠狠丁香婷婷综合色 | 成人特黄午夜性a一级毛片 成人网18免费下 | 日本免费www| 久久精品国产亚洲5555 | 美女被免费网站视频在线 | 手机看片欧美日韩 | 国模小丫大尺度啪啪人体 | 69成人免费视频 | 偷窥自拍亚洲色图 | 人色网| 欧美一二区视频 | 国产精品久久久久久久久 | 欧美一级欧美三级在线 | 欧美成人精品一级高清片 | 成年人看的黄色 | 亚洲成人综合网站 | 欧美在线高清视频 | 97综合 | 毛片黄| 在线视频永久在线视频 | 色综合久久中文综合网 | 97色综合| 老司机亚洲精品影院在线观看 | 天天插伊人 | 综合五月天堂 | 奇米影视一区 | 午夜精品视频在线观看 | www激情五月 | 天天做天天爱天天影视综合 | 免费在线你懂的 | 在线观看国产精美视频 |