一、晶圓代工產(chǎn)業(yè)地位及概述

1、晶圓加工分類

晶圓加工屬于晶圓制造領(lǐng)域，按照廠商類型可分為IDM和Foundry模式，IDM屬于重資產(chǎn)模式，為IC設(shè)計(jì)—IC制造—IC封測(cè)一體化垂直整合，主要企業(yè)為三星等，F(xiàn)oundry模式廠商相較IDM僅具備IC制造和封測(cè)能力，剝離了設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)。就作用而言，晶圓專業(yè)代工廠商降低了IC產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入門檻，激發(fā)了上游IC設(shè)計(jì)廠商的爆發(fā)，以及產(chǎn)品設(shè)計(jì)和應(yīng)用的創(chuàng)新，繼而加速了IC產(chǎn)品的開發(fā)應(yīng)用周期，拓展了下游IC產(chǎn)品應(yīng)用。

半導(dǎo)體IDM、Fabless、Foundry三種模式對(duì)比

資料來源：公開資料整理

2、晶圓加工流程

對(duì)單晶裸片進(jìn)行初步加工得到晶圓，接下來將光罩上的電路圖刻蝕到晶圓上，主要工序皆由晶圓代工廠完成。主要包括擴(kuò)散、薄膜生長(zhǎng)、光刻、刻蝕、離子注入、拋光等工序，對(duì)應(yīng)設(shè)備主要有擴(kuò)散爐、氧化爐、CVD/PVD設(shè)備、清洗設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕系統(tǒng)、離子注入機(jī)、拋光機(jī)等。作為半導(dǎo)體生產(chǎn)流程的直接生產(chǎn)，晶圓加工步驟眾多，設(shè)備要求極高，雖然國(guó)內(nèi)具備完整生產(chǎn)能力，受限于高端設(shè)備和技術(shù)封鎖，高端產(chǎn)品仍未突破，其中光刻、離子注入和拋光（拋光墊）等工藝設(shè)備國(guó)內(nèi)尚未突破。

晶圓廠半導(dǎo)體制造流程及相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備示意圖

資料來源：《半導(dǎo)體制造技術(shù)》，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

2020年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備與原材料國(guó)產(chǎn)化率

資料來源：公開資料整理

二、晶圓代工產(chǎn)業(yè)鏈

1、產(chǎn)業(yè)鏈

半導(dǎo)體行業(yè)的生產(chǎn)模式分為IDM和Fabless +Foundry，IDM集IC設(shè)計(jì)、制造與封裝測(cè)試為一體,屬于重資產(chǎn)模式，對(duì)于企業(yè)的資金要求極高，F(xiàn)abless +Foundry模式將晶圓制造生產(chǎn)部分委任給Foundry可降低Fabless設(shè)計(jì)的準(zhǔn)入門檻，降低資金投入，有助于企業(yè)技術(shù)快速突破。

晶圓代工產(chǎn)業(yè)鏈簡(jiǎn)圖

資料來源：公開資料整理

2、成本端

晶圓生產(chǎn)成本投資額中，晶圓設(shè)備通常占比總晶圓項(xiàng)目投資額8成左右，以國(guó)內(nèi)最大的代工廠中芯國(guó)際為例，其12英寸芯片SN1項(xiàng)目的總投資額中生產(chǎn)設(shè)備購(gòu)置及安裝費(fèi)占比80.9%。從臺(tái)積電單片晶圓成本來看，主要成本是折舊費(fèi)用，占比近5成，除此之外專利費(fèi)用也是較大成本占比。總體來看，晶圓生產(chǎn)中設(shè)備及技術(shù)專利等占據(jù)主要成本。

全球晶圓代工龍頭電單片晶圓成本結(jié)構(gòu)占比

資料來源：臺(tái)積電年報(bào)，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

根據(jù)摩爾定律，約18月集成電路晶體管數(shù)量將增加一倍，技術(shù)持續(xù)發(fā)展下集成電路線寬不斷縮小，集成電路的設(shè)備投資呈指數(shù)級(jí)上升趨勢(shì)。根據(jù)IBS統(tǒng)計(jì)，5nm產(chǎn)線的設(shè)備投資高達(dá)數(shù)百億美元，是16/14nm產(chǎn)線投資的兩倍以上，是28nm的四倍左右。目前三星已正式宣布3nm工藝量產(chǎn)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)2022年下半年呈現(xiàn)量產(chǎn)，隨著技術(shù)持續(xù)靠近硅基物理極限，未來技術(shù)方向或是“雙層堆疊”等。

全球不同制程晶圓每5萬片產(chǎn)能設(shè)備投資額走勢(shì)圖

資料來源：中芯國(guó)際招股書，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

作為晶圓生產(chǎn)中最核心也是技術(shù)壁壘最厚的光刻機(jī)，7nm制程及以下僅EUV光刻機(jī)具備生產(chǎn)能力，技術(shù)被阿斯麥壟斷，全球僅有的出貨量皆來自這家企業(yè)。數(shù)據(jù)顯示，隨著先進(jìn)制程需求持續(xù)增長(zhǎng)，EUV全球銷量持續(xù)增長(zhǎng)，2021年銷量達(dá)42臺(tái)，每臺(tái)均價(jià)達(dá)1.5億歐元左右，主要原因隨著阿斯麥EUV光刻機(jī)持續(xù)迭代（最新量產(chǎn)型號(hào)為 TWINSCANNXE :3400D），單機(jī)產(chǎn)能持續(xù)提高下產(chǎn)品均價(jià)持續(xù)走高。

2018-2021年全EUV光刻機(jī)銷量及均價(jià)走勢(shì)

資料來源：阿斯麥公告，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

除開高昂的設(shè)備成本外，晶圓材料作為晶圓代工生產(chǎn)基本組成，晶圓代工技術(shù)迭代離不開晶圓制造材料的發(fā)展與更新。目前晶圓制造材料眾多，包括硅片、光掩膜版、光刻膠及附屬產(chǎn)品、電子特種氣體、濕法電子化學(xué)品、CMP拋光材料等。硅片作為晶圓基本載體市場(chǎng)份額占比最高，達(dá)37%。

2020年全球晶圓制造材料市場(chǎng)份額占比情況

資料來源：SEMI，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

3、需求端

晶圓代工作為半導(dǎo)體中游制造領(lǐng)域，整體需求受半導(dǎo)體整體產(chǎn)業(yè)景氣度影響較大，隨著全球和中國(guó)消費(fèi)電子和汽車電子市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步擴(kuò)張，整體晶圓代工產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張。數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)5559億美元，同比2020年增長(zhǎng)26.2%。中國(guó)集成電路銷售額超萬億元，達(dá)10458.3億元，同比2020年增長(zhǎng)18.2%。晶圓代工短期波動(dòng)整體受電子信息產(chǎn)業(yè)需求相關(guān)性較高，2022年來看，PC、智能手機(jī)等電子產(chǎn)業(yè)需求增速放緩，預(yù)計(jì)整年產(chǎn)業(yè)小幅度增長(zhǎng)。

2017-2021年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)率

資料來源:WSTS，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

三、全球晶圓代工現(xiàn)狀

1、市場(chǎng)規(guī)模

隨著全球智能手機(jī)和PC需求回暖、汽車電子產(chǎn)業(yè)快速擴(kuò)張，全球芯片需求持續(xù)擴(kuò)張，尤其是2020-2021年新能源汽車快速發(fā)展背景下，汽車芯片需求爆發(fā)，供不應(yīng)求背景下帶動(dòng)晶圓開工率和產(chǎn)能大幅度提升，數(shù)據(jù)顯示，全球2021年晶圓代工銷售額增長(zhǎng)26%達(dá)1101億美元。2022年來看，早期預(yù)計(jì)2022年將保持20%以上幅度增長(zhǎng)，7月主要下游企業(yè)AMD、英偉達(dá)和蘋果下調(diào)訂單量，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)將下降，維持在10%左右。

2016-2021年全球晶圓代工銷售額及變動(dòng)情況

注：純晶圓代工和IDM

資料來源：IC Insights，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

2、產(chǎn)能、產(chǎn)量和產(chǎn)能利用率

下游需求持續(xù)擴(kuò)張背景下，全球晶圓產(chǎn)能穩(wěn)步擴(kuò)張，受產(chǎn)業(yè)周期波動(dòng)影響，2019-2020年年整體產(chǎn)能利用率出現(xiàn)較大幅度下降，主要原因是2019年下游存儲(chǔ)器和智能手機(jī)需求市場(chǎng)疲軟等因素，疊加英特爾價(jià)格下降，整體市場(chǎng)景氣度下降。2020年全球疫情同時(shí)產(chǎn)能出現(xiàn)較大增長(zhǎng)，部分企業(yè)停工導(dǎo)致整體產(chǎn)能利用率下降，實(shí)際產(chǎn)量存在明顯增長(zhǎng)，2021年晶圓需求爆發(fā)，下游汽車和消費(fèi)電子企業(yè)需求持續(xù)增長(zhǎng)，產(chǎn)能和產(chǎn)能利用率達(dá)到近年來新高，產(chǎn)能增長(zhǎng)8.5%至2.425億片（全球折合8英寸晶圓），產(chǎn)能利用率達(dá)93.8%。2022年來看，產(chǎn)能有望超過2.6億片，七月份各大下游企訂單量砍單背景下，疊加通脹和供應(yīng)鏈緊張等因素整體產(chǎn)能利用率將維持90%左右。

2016-2021年全球晶圓產(chǎn)能、產(chǎn)量及產(chǎn)能利用率

注：折合8英寸

資料來源：IC Insights，Knometa Research，WSTS，SIA，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

3、制程結(jié)構(gòu)

就晶圓制程結(jié)構(gòu)而言，目前成熟制程（28nm及以上）占比約76%左右，2020年以來，隨著智能手機(jī)、TWS耳機(jī)等需求增長(zhǎng)帶動(dòng)OLED面板、電源管理芯片、射頻芯片和傳感器等需求持續(xù)增長(zhǎng)，成熟制程產(chǎn)能出現(xiàn)嚴(yán)重短缺，從預(yù)計(jì)新建產(chǎn)能來看， 2022年各晶圓代工廠多半將擴(kuò)產(chǎn)重心放置于12英寸（28nm及以上）晶圓產(chǎn)能，而主要擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)能來自于臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際（0981.HK）、華虹等。短期來看，先進(jìn)制程受限于成本和技術(shù)普及率較低，成熟制程仍將保持高景氣度，占比將維持在7成以上。

2021-2024年全球晶圓代工成熟及先進(jìn)制程占比

資料來源：TrendForce，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

四、晶圓代工國(guó)內(nèi)現(xiàn)狀

1、全球地位及規(guī)模

早期我國(guó)純晶圓代工占比全球市場(chǎng)份額達(dá)10%以上，隨著國(guó)內(nèi)技術(shù)停滯疊加全球晶圓制程技術(shù)難度持續(xù)加深，2007-2014年我國(guó)純晶圓代工市場(chǎng)份額持續(xù)下降，隨著國(guó)內(nèi)中芯國(guó)際和聯(lián)電企業(yè)技術(shù)相繼突破28制程，整體市場(chǎng)份額趨向穩(wěn)定，近年來下游需求推動(dòng)國(guó)內(nèi)純晶圓代工產(chǎn)能穩(wěn)步上升，但受限于尖端代工技術(shù)差距，同時(shí)中芯國(guó)際被美國(guó)列入實(shí)體名單，國(guó)內(nèi)尖端晶圓代工差距中短期內(nèi)增長(zhǎng)有限。

2002-2021年中國(guó)純晶圓代工市場(chǎng)份額占比走勢(shì)圖

資料來源：IC Insights，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

就規(guī)模而言，目前國(guó)內(nèi)整體純晶圓代工規(guī)模表現(xiàn)為穩(wěn)步增長(zhǎng)趨勢(shì)，2021年國(guó)內(nèi)新能源汽車銷量爆發(fā)疊加智能手機(jī)需求回暖，國(guó)內(nèi)晶圓需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，產(chǎn)能持續(xù)偏緊，價(jià)格高漲下銷售額增長(zhǎng)40.9%，以國(guó)內(nèi)純晶圓加工占比8成計(jì)算，規(guī)模約在75億美元左右。就趨勢(shì)而言，受限于先進(jìn)制程技術(shù)先進(jìn)，尖端產(chǎn)品整體價(jià)格和利潤(rùn)更高，但隨著傳感器、電源管理芯片等成熟制程整體需求在短期仍將保持高位，國(guó)產(chǎn)企業(yè)仍存在較大擴(kuò)張空間，長(zhǎng)期來看，中美關(guān)系持續(xù)偏緊背景下，突破技術(shù)封鎖同時(shí)提升全球晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)力仍是國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)升級(jí)關(guān)鍵因素。

2016-2021年中國(guó)純晶圓代工銷售額及增長(zhǎng)率

資料來源：IC Insights，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

2、技術(shù)及制程差距

技術(shù)持續(xù)發(fā)展背景下，晶圓制程持續(xù)發(fā)展，截止2022年7月底三星已宣布量產(chǎn)3nm工藝，國(guó)內(nèi)晶圓產(chǎn)業(yè)起步較晚，受限于設(shè)備及材料等相關(guān)因素影響疊加技術(shù)封鎖，我國(guó)晶圓代工目前仍僅可量產(chǎn)14nm制程晶圓，相較國(guó)際先進(jìn)水平相差較大。

2015-2022年全球主要晶圓代工企業(yè)制程量產(chǎn)進(jìn)度

資料來源：公開資料整理

五、晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)現(xiàn)狀

1、市場(chǎng)集中度及營(yíng)收

臺(tái)積電作為全球最大晶圓代工廠，占據(jù)全球8成以上先進(jìn)制程市場(chǎng)份額，特色工藝由于同等節(jié)點(diǎn)開發(fā)時(shí)間較早，技術(shù)領(lǐng)先疊加工藝庫(kù)全，配合開發(fā)周期短，工藝穩(wěn)定性相對(duì)更高，2021年占據(jù)全球50%以上市場(chǎng)份額，三星雖然同樣具備生產(chǎn)尖端制程的能力，且整體芯片產(chǎn)量超過臺(tái)積電，但受限于技術(shù)成熟度和良率等整體先進(jìn)制程產(chǎn)量較少，占據(jù)全球第二市場(chǎng)份額。國(guó)內(nèi)龍頭中芯國(guó)際技術(shù)水平僅達(dá)到14nm制程，技術(shù)仍有較大追趕空間。

就利潤(rùn)對(duì)比而言，臺(tái)積電利潤(rùn)遠(yuǎn)高于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，2021年毛利率51.6%，凈利率37.4%；相比之下，聯(lián)電毛利率33.8%，凈利率26.5%，中芯國(guó)際毛利率30.79%，凈利率32.61%。

2021年全球前十大晶圓代工廠市場(chǎng)份額占比

資料來源：IC Insights，企業(yè)公報(bào)，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

2021年全球前十大晶圓代工廠營(yíng)收分布

資料來源：公開資料整理

2、尖端進(jìn)程格局或變動(dòng)

在尖端制程領(lǐng)域，技術(shù)持續(xù)迭代后，逐步形成臺(tái)積電(Foundory模式)和三星（IDM模式）壟斷技術(shù)情況，根據(jù)2021年臺(tái)積電數(shù)據(jù)顯示，其5nm制程占比整體19%市場(chǎng)份額，5nm制程工藝已經(jīng)逐步從N5過渡到N4，而三星作為IDM模式的晶圓龍頭產(chǎn)品一直受到詬病，產(chǎn)品良品率等較臺(tái)積電有所差距，2022年英特爾（IDM模式）多年來首次計(jì)劃200億美元建造兩座先進(jìn)制程，或?qū)摹皟杉腋?jìng)爭(zhēng)”轉(zhuǎn)變?yōu)槿愣αⅲ瑥氖袌?chǎng)份額第三第四來看，2018年，格芯停止與臺(tái)積電、三星在先進(jìn)制程芯片的競(jìng)爭(zhēng)，專注相對(duì)不那么先進(jìn)的制程芯片，同年聯(lián)電也宣布不再投資12nm以下先進(jìn)制程。國(guó)內(nèi)而言，中美貿(mào)易持續(xù)緊張下國(guó)產(chǎn)企業(yè)中芯國(guó)際雖有競(jìng)爭(zhēng)先進(jìn)制程的需求，但受限于美國(guó)實(shí)體名單，無法獲取EUV光刻機(jī)，先進(jìn)制程無法突破，雖然目前憑借成熟制程需求持續(xù)擴(kuò)張占比全球第五，但先進(jìn)制程仍是中國(guó)芯片崛起的關(guān)鍵。

2020-2021年臺(tái)積電晶圓產(chǎn)品線寬結(jié)構(gòu)占比

資料來源：公開資料整理

六、國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程

1、經(jīng)營(yíng)現(xiàn)狀：持續(xù)擴(kuò)張

就中國(guó)晶圓代工主要經(jīng)營(yíng)現(xiàn)狀而言，中芯國(guó)際作為國(guó)內(nèi)龍頭企業(yè)營(yíng)收受半導(dǎo)體整體景氣度影響較大，2019年?duì)I收出現(xiàn)小幅度下降。2021年以來，半導(dǎo)體下游整體高景氣度帶動(dòng)中芯國(guó)際和華虹營(yíng)收和凈利潤(rùn)出現(xiàn)雙增長(zhǎng)，凈利潤(rùn)分別達(dá)112.03億元和15.47億元，其中中芯國(guó)際毛利率30.79%，凈利率32.61%。

2017-2021年中芯國(guó)際和華虹營(yíng)收及利潤(rùn)率

注：中美匯率以1美元=6.7元計(jì)算

資料來源：企業(yè)公報(bào)，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

2、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)：與國(guó)際水平差距較大

目前中國(guó)大陸上集成電路晶圓代工企業(yè)中，中芯國(guó)際和華虹半導(dǎo)體產(chǎn)品最為目前中芯國(guó)際技術(shù)產(chǎn)品包括0.35微米到14納米不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓代工產(chǎn)品，實(shí)際生產(chǎn)應(yīng)用上受限于良品等多因素，14nm和28nm制程占比15.1%左右，同時(shí)雖然中芯國(guó)際具備14nm量產(chǎn)水平，但高端材料及設(shè)備嚴(yán)重依賴進(jìn)口，如光刻機(jī)等嚴(yán)重依賴阿斯麥DUV,完全國(guó)產(chǎn)化任重道遠(yuǎn)；華虹半導(dǎo)體整體發(fā)展較晚，目前產(chǎn)品中最先進(jìn)制程55/65nm占比9.7%，差距較大。

2021年中芯國(guó)際和華虹晶圓制程結(jié)構(gòu)占比

資料來源：企業(yè)公報(bào)，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

就研發(fā)投入情況而言，雖然2021年整體營(yíng)收和利潤(rùn)水平持續(xù)向好，但令人不得不擔(dān)心是其研發(fā)投入占比在2020-2021年持續(xù)下降的現(xiàn)狀，數(shù)據(jù)顯示，2020-2021年中芯國(guó)際研發(fā)投入出現(xiàn)兩連降，分別為46.72億元和41.21億元，占比總營(yíng)收分別下降至17%和11.6%，同時(shí)中芯國(guó)際研發(fā)人員的數(shù)量近年來也呈持續(xù)下滑態(tài)勢(shì)，過去三年占全體員工的比重分別為16.0％、13.5％和9.9％。2022年一季度來看，上海疫情背景下，中心國(guó)際研發(fā)投入占比再次向下降，僅為8.9%。

2017-2021年中芯國(guó)際研發(fā)投入及營(yíng)收占比

資料來源：企業(yè)公報(bào)，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院整理

審核編輯 ：李倩