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可編程邏輯電路設(shè)計之寄生參數(shù)提取工具

倩倩 ? 來源:Semi Connect ? 作者:Semi Connect ? 2022-08-30 10:15 ? 次閱讀

寄生參數(shù)提取工具的作用是根據(jù)工藝參數(shù)對版圖互連線及器件的寄生參數(shù)進(jìn)行提取,從而得到含有寄生參數(shù)的電路網(wǎng)表,以用于電路的各項性能分析和后仿真

寄生參數(shù)通常包含寄生電阻、寄生電容和寄生電感。寄生參數(shù)對時延、功耗及電路信號完整性等有顯著影響。由于工藝的不斷發(fā)展,寄生參數(shù)已成為影響電路性能乃至決定電路能否正常工作的關(guān)鍵因素。在集成電路設(shè)計流程中,寄生參數(shù)提取已成為必不可少的一個環(huán)節(jié)。

寄生參數(shù)的提取通常有兩類方法:精確計算方法和快速模型方法。精確計算方法精度高,但其速度較慢,所以常用于規(guī)模較小但對精度要求較高的應(yīng)用,例如工藝分析、標(biāo)準(zhǔn)單元建庫,射頻電路分析等。快速模型方法相比精確計算方法精度較差,但由于其速度快上千倍,因此被廣泛應(yīng)用于全芯片級的寄生參數(shù)提取。

1.精確計算方法

精確計算方法,也稱為場求解器(Field Solver)法,通過求解電磁場方程得到精確的場分布,從而得到寄生參數(shù)。

寄生電容、寄生電阻和寄生電感的精確計算方法類似,這里以寄生電容計算方法為例說明。

寄生電容的精確計算方法基于數(shù)值計算方法,求解如下帶偏置電壓的拉普拉斯場方程。

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常用的數(shù)值計算方法包括邊界元素法(Boundary Element Method,BEM)和有限元法(Finite Element Method,F(xiàn)EM)等。

邊界元素法對三維區(qū)域的二維邊界進(jìn)行離散,通過加權(quán)余量法并應(yīng)用格林公式將三維區(qū)域的拉普拉斯方程轉(zhuǎn)換為二維邊界上的離散積分方程,同時應(yīng)用邊界條件將離散積分方程轉(zhuǎn)換成線性代數(shù)方程組進(jìn)行求解。

有限元法直接對三維區(qū)域進(jìn)行離散,利用變分原理將拉普拉斯方程化為求解泛函的極值問題,使得每個子區(qū)域的誤差函數(shù)達(dá)到最小值,將積分方程轉(zhuǎn)換成線性方程組進(jìn)行求解。

2.快速模型方法

快速模型方法通過建立寄生參數(shù)模型,快速分析版圖的幾何圖形,利用參數(shù)模型匹配方式得到寄生參數(shù)。常用的快速模塊有二維模型和準(zhǔn)三維模型。由于準(zhǔn)三維模型法考慮了三維結(jié)構(gòu)的特點,其計算結(jié)果較二維模型法準(zhǔn)確,所以廣泛應(yīng)用于大規(guī)模版圖寄生參數(shù)提取工具中。

仍以寄生電容計算為例,準(zhǔn)三維模型法將三維結(jié)構(gòu)上的電容分解為重疊(Overlap)電容、橫向(Lateral)電容及邊緣(Fringe)電容等,分別考慮它們對總電容的影響,如圖5-116所示。每項電容通過建立查表模型或者解析公式模型進(jìn)行計算。

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快速模型方法需預(yù)先通過精確計算方法對典型圖形形狀進(jìn)行計算建立模型數(shù)據(jù)庫,根據(jù)版圖模式匹配(Pattern Match)方法對所計算版圖圖形產(chǎn)生模型參數(shù),通過查找模型庫得到結(jié)果。

隨著工藝技術(shù)的發(fā)展,影響寄生參數(shù)的工藝條件日益增多,三維結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜,對寄生參數(shù)提取提出了更高的要求。同時,電路規(guī)模日益龐大對于寄生參數(shù)提取工具的速度和精度要求更高。寄生參數(shù)模型已經(jīng)相當(dāng)復(fù)雜,必須考慮多種因素組合才能得到較好的計算精度。特別在FinFET工藝下,由于器件結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)工藝相比存在很大差異,對寄生參數(shù)提取工具也提出了新的挑戰(zhàn)。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:可編程邏輯電路設(shè)計—寄生參數(shù)提取工具

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