詳解GaN和SiC器件測試的理想探頭
DL-ISO高壓光隔離探頭
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
GaN 和 SiC 測試的理想探頭
1GHz帶寬的DL-ISO高壓光學隔離探頭是表征氮化鎵（GaN）FET/MOSFET和碳化硅（SiC）IGBT以及其他寬禁帶（WBG）功率半導體器件的理想選擇。
它具有高共模抑制比，這使得它非常適合于上管的浮地柵極驅(qū)動測量，包括觀察米勒效應。
靈活的探頭前端
Teledyne LeCroy DL-ISO探頭前端非常靈活，可以彎曲到狹窄的空間，連接簡單。
在確定是要測量開關(guān)損耗、傳導損耗，還是只想利用高共模抑制比進行上管柵極驅(qū)動或柵極源極測量時，選擇正確的探針前端非常重要。
審核編輯：劉清
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原文標題：探頭選擇 | 視頻詳解DL-ISO高壓光隔離探頭
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