要想把GaN的特性完全發揮出來,需要優秀的電源管理芯片(PMIC)來支持。
在實現高頻率、高效率的同時,還要確保電源在各種極端應用場景下可靠、穩定且無噪音的工作。
芯茂微第二代內置GaN高頻QR驅動器
為提升工程師布板的便利性,簡化客戶的工作量,芯茂微推出合封Gan芯片LP88G24DCD
LP88G24DCD內置650V級聯型結構的GaN功率器件,采用QFN8*8封裝,進一步減小芯片占板面積,底部采用一體化銅基板設計,具有極佳的散熱性能。
芯片引腳間爬電距離2mm
為適應各種惡劣場景下使用,如:潮濕、極寒、極熱和高海拔地區;這些場合,需要充足的爬電距離,才能在極端情況下確保高低壓之間不發生擊穿;
LP88G24DCD HV引腳、Drain引腳,高壓引腳與低壓信號引腳之間的爬電距離拉遠到了2mm;因此,在各種電源應用場合中都具有極高的可靠性。
優異的EMC性能
由于LP88G24DCD 合封芯片將主控和GaN的驅動腳都外置,且相鄰布置,可以方便的通過串聯電阻來改善EMC性能。
豐富的保護功能,根據保護后動作的不同
分為:
在QR模式下,工作頻率25kHz~500kHz,并具有谷底鎖定開通模式
內置高壓啟動(HV)和X電容泄放功能
極輕載時“軟跳頻”工作模式可實現低功耗、無噪音
芯片內置輸出電流感應和計算單元,可以準確控制電源的輸出過流點
單&雙 繞組變壓器可選?靈活的方案設計
雙繞組:可以減少高壓輸出時的功耗
單繞組:利用VccH供電,無需外接LDO電路
35V的VccL腳被設定為優先供電腳,當VccL的電壓低于9V時才接通VccH供電;可以很方便的用這兩個管腳組成雙繞組供電方式,以節約高輸出電壓時的功率消耗;
亦可以只使用VccH管腳(耐壓200V),以節約外部LDO器件或Vcc繞組及整流濾波電路的成本。
65W PD Demo
具有精簡的設計線路,外圍簡單,進一步縮小產品體積
高壓轉換效率94%以上
低壓轉換效率92%以上
優異的待機功耗
優異的EMI特性
AC115V/50Hz-20V/3.25A CE-L AC115V/50Hz-20V/3.25A CE-N
AC230V/50Hz-20V/3.25A CE-L AC230V/50Hz-20V/3.25ACE-N
AC115V/50Hz-20V/3.25A 垂直 AC115V/50Hz-20V/3.25A 水平
AC230V/50Hz-20V/3.25A 垂直 AC230V/50Hz-20V/3.25A 水平
審核編輯:劉清
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原文標題:如何在快充產品上發揮出GaN的優良特性?——合封方案篇
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