買電腦時誰不想要個大內存呢,其他電子產品的存儲器需求也是如此。大存儲器對于像自動駕駛和智能設備這類被AI和ML技術加持的高性能計算應用則更加重要,因為它們通常需要實時計算結果,這個數據量可想而知。隨著這類數據密集型應用日益普及,芯片開發(fā)者需要快速生成衍生設計和不同版本,才能更好地滿足終端用戶需求。 因此,存儲器件變得容量越來越大,設計越來越復雜。在開發(fā)存儲器件時,怎樣做才能既滿足嚴苛的性能、功耗、面積(PPA)目標,又能確保產品按時上市呢?
先進的存儲器設計需要
不一樣的開發(fā)流程
當今的存儲器會更多地采用2.5D/3D結構的multi-die設計,這類架構十分具有挑戰(zhàn)性。 以完整的存儲器陣列為例,在設計先進的高帶寬(HBM)DRAM或3D NAND閃存芯片時必須要考慮晶粒之間的互連以及電源分配網絡(PDN),以便針對PPA和硅可靠性進行優(yōu)化。 傳統(tǒng)的存儲器設計和驗證技術已經無法支持先進的存儲器件設計了。仿真大型陣列非常耗時,并且由于周轉時間過長,會導致產品上市延遲。另外,在流程后期發(fā)現設計問題時,解決問題需要使用手動迭代循環(huán),還會進一步導致延遲。 存儲器設計和驗證過程的“前移”是應對上述挑戰(zhàn)的唯一方法。存儲器設計前移讓開發(fā)者們可以更早地執(zhí)行更好的分析,避免流程后期出現意外,并最大限度地減少迭代。 通過前移還可以避免存儲器開發(fā)中影響整體周轉時間和上市時間的四個關鍵瓶頸:宏單元特征提取、模塊設計優(yōu)化、版圖前到版圖后的仿真差距,以及定制版圖設計。首先來逐一探討下這四個瓶頸。AI+ML,打破存儲器設計瓶頸
瓶頸1:宏單元特征提取 存儲器宏單元特征提取需要蒙特卡洛仿真,但在設計先進的存儲器時,執(zhí)行詳盡蒙特卡洛仿真所需的時間和資源會大大增加,這使得其成為一個難以實現的解決方案。為了實現高西格瑪特征提取并確保設計的穩(wěn)健性,需要運行數十億次的仿真。 機器學習技術恰好可以在這方面發(fā)揮作用。高精度的設計替代模型經過訓練,能夠預測高西格瑪電路行為。通過采用該模型,可以顯著減少仿真運行次數。 根據公開的案例分析,與傳統(tǒng)方法相比,這種方法可以實現100-1000倍的加速,同時能夠提供精度在1%以內的黃金SPICE結果。
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實現存儲器開發(fā)前移的最佳方法
新思科技定制設計系列中提供了上述所有相關技術,能夠幫助開發(fā)者克服這四個主要的存儲器設計和驗證瓶頸。 新思科技PrimeSim連續(xù)電路仿真技術提供了機器學習驅動的高西格瑪蒙特卡洛仿真和一致的工作流程,消除了點工具流程中固有的麻煩和不一致。 與新思科技PrimeWave設計環(huán)境相結合,PrimeSim解決方案還能提供早期寄生效應分析。此外,新思科技Custom Compiler設計和版圖解決方案全面支持基于模板的設計再利用。
芯片的每一次更新?lián)Q代,都意味著存儲器設計和驗證會變得愈加具有挑戰(zhàn)性。新思科技擁有所有相關技術,助力開發(fā)者們實現存儲器設計前移,縮短周轉和上市時間,并實現開發(fā)者們所期望的PPA。
原文標題:兼顧PPA和上市時間,機器學習讓存儲器設計提速N個數量級
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