低壓GaN器件，為什么還未被廣泛應用
更多熱點文章閱讀
狂砸900億美元！塔塔集團半導體投資超美歐補貼，印度半導體制造這就成了？ 全球首架C919正式交付，背后是中國制造業的崛起 包機出海拿下10億訂單！企業面對面溝通，或更利于電子產品出口！ 千億芯片出貨的Arm，能在PC市場稱王嗎？ 被裹挾的臺積電與昂貴的“美國制造”：投資400億美元補貼不足5%
原文標題：低壓GaN器件，為什么還未被廣泛應用
文章出處：【微信公眾號：電子發燒友網】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
電子發燒友網
+關注
關注
1011文章
544瀏覽量
165601
原文標題：低壓GaN器件，為什么還未被廣泛應用
文章出處：【微信號：elecfans，微信公眾號：電子發燒友網】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
新型功率器件的老化測試方法
隨著技術的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續使用后會出現老化現象，導致性能退化。如何在短時間內
GaN與SiC功率器件深度解析
本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異。基于對市售GaN與SiC功率晶體
CERNEX窄帶高功率放大器（GaN）
高功率放大器采用堅固的帶狀線電路架構，并精選GaN器件，確保了卓越的操作可靠性。憑借高功率、高效率、高頻率覆蓋及寬帶性能，CNP GaN系列窄帶高功率放大器已成為現代射頻系統的關鍵組件，廣泛應
發表于 02-21 10:39
目前GaN正逐漸廣泛應用的四個主要中電壓領域
這篇技術文章由德州儀器（TEXAS INSTRUMENTS）的 Srijan Ashok 撰寫，主要介紹了中電壓氮化鎵（GaN）在四種應用領域的優勢和應用情況，強調其對電子設計轉型的推動
垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術
。這項技術為橫向和垂直GaN(vGaN)器件的單片集成提供了一種簡單且可靠的潛在方法。垂直GaN器件橫向GaNHEMT器件已
遠山半導體1700V GaN器件的特性測試方案
遠山半導體在連續推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器
安森美GaN功率器件的功能和優點
GaN功率器件的應用在消費類產品電源近年相當普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優點和用量遞增，也逐漸延伸到服務器和工業電源領域。 安森美（onsemi）新推出的iGaN NCP5892x系列，集成eGaN與驅動電路一體化，讓電源工程師在
CoolGaN和增強型GaN區別是什么
： 定義 ：CoolGaN是英飛凌（Infineon）公司推出的一系列基于氮化鎵（GaN）技術的產品品牌或系列名稱。它代表了英飛凌在GaN功率器件領域的技術成果和產品線。 范疇 ：CoolGaN系列產品包括但不限于增強型HEM
芯干線科技GaN功率器件及應用
第一代半導體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們為半導體行業奠定了堅實的基礎。隨著技術的發展，第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb）為核心，這些材料的高頻和高速特性，為電子器件
GaN晶體管的應用場景有哪些
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩定性以及低導通電阻等特性，使得GaN晶體
GaN晶體管的基本結構和性能優勢
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細，融合了多種材料和工藝，以實現高效
GaN MOSFET 器件結構及原理
GaN MOSFET（氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新型的功率器件，具有高功率密度、高效率和快速開關速度等優點。與傳統的硅基MOSFET相比，GaN MOSFET具有更高的電子遷移率
工商網監
評論