一段時間以來，高壓應(yīng)用的要求迫使設(shè)計師不得不依賴傳統(tǒng)功率封裝，例如TO-220 / TO-247和D2PAK-7。然而，隨著開關(guān)頻率越來越高，這些傳統(tǒng)封裝的限制逐漸凸顯。Nexperia憑借20多年使用久經(jīng)考驗的銅夾片技術(shù)的經(jīng)驗，開發(fā)出創(chuàng)新的CCPAK。將銅夾片封裝技術(shù)的所有公認優(yōu)點應(yīng)用于650 V及更高電壓應(yīng)用。

從汽車電氣化到數(shù)據(jù)中心和5G通信高效電源，我們正在進入快速開關(guān)、高壓功率器件的新時代。為了滿足這一需求，大量硅器件逐漸被淘汰，新的寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體成為650 V及更高電壓應(yīng)用領(lǐng)域的新標準。不過，雖然半導(dǎo)體器件的技術(shù)不斷取得重大進步，這些器件仍使用傳統(tǒng)功率封裝，這些封裝已不適應(yīng)當(dāng)今應(yīng)用。

傳統(tǒng)封裝的限制

作為久經(jīng)考驗的可靠功率封裝，TO-220和TO-247封裝仍是電力電子的主流。這些傳統(tǒng)通孔封裝能處理大多數(shù)高功率應(yīng)用的電壓、電流和散熱。當(dāng)然，它們可輕松貼到散熱器，確保出色的散熱效果。它作為中等開關(guān)頻率的可靠選擇，但其長引腳會產(chǎn)生寄生電感，這將成為高頻開關(guān)的限制因素。

當(dāng)然，D2PAK-7是高壓功率場效應(yīng)晶體管的一種表面貼裝方案。就像TO-220一樣，它已經(jīng)成為業(yè)界公認的主流封裝。雖然來自長管腳引線的寄生電感不再是個問題，但是D2PAK-7確實存在內(nèi)部引線連接。隨著在電路板空間和高度不斷增加的壓力，不僅僅要考慮從功率器件散熱，也需要考慮從電路板散熱，D2PAK-7和TO-220封裝都面臨巨大的挑戰(zhàn)。

封裝創(chuàng)新配合技術(shù)進步

Nexperia深知，對于一些應(yīng)用，傳統(tǒng)封裝方案綽綽有余。但為了充分利用新的高壓寬帶隙半導(dǎo)體的優(yōu)勢，我們?nèi)孕栝_發(fā)新的封裝方案。為了優(yōu)化電氣和熱性能，銅夾片技術(shù)是理想選擇，尤其為已采用LFPAK和CFP封裝方案的雙極性晶體管、MOSFET和整流二極管提供了出色的性能。

顯而易見，LFPAK88是開發(fā)新的高壓封裝方案的理想起點。除了銅夾片技術(shù)的電氣和熱性能優(yōu)勢，相比傳統(tǒng)通孔和QFN式封裝，它還能提供高電路板級可靠性和焊點的高級光學(xué)檢測(AOI)。但為了適應(yīng)Nexperia級聯(lián)結(jié)構(gòu)的GaN FET，提供未來可可擴展的管腳尺寸，新封裝需要引入幾種特性。

例如，憑借Nexperia第二代H2 氮化鎵技術(shù)，我們現(xiàn)在可以在芯片底部放置高HEMT柵極。從器件角度看，這可以改善動態(tài)RDS(on)，消除浮動的襯底，在同樣的芯片尺寸下提供更多芯片單元。由于我們的器件基于級聯(lián)結(jié)構(gòu)的架構(gòu)，所以需要在HEMT柵極和硅FET源極之間建立連接。這可以通過外部連接實現(xiàn)，但需要設(shè)計師更改電路板布局。因此，我們引入了多個內(nèi)部支柱--這有一個額外的好處，既保證了一定程度的冗余設(shè)計，又提高了散熱性能。

面對內(nèi)部和外部源極-柵極連接，Nexperia選擇內(nèi)部連接方案。

CCPAK1212：秉承優(yōu)點的新功率封裝

新封裝的顯著特點之一是12 x 12mm外形尺寸。這樣的管腳尺寸面積仍比D2PAK-7緊湊（減少10%），而且僅有2.5 mm的高度，幾乎僅為D2PAK-7的一半。這意味著它在相同的尺寸可以容納更大的芯片，隨著Nexperia不斷擴充高壓產(chǎn)品組合，客戶可從相同管腳尺寸的設(shè)計中獲益。

除了為高壓功率晶體管帶來銅夾片技術(shù)的優(yōu)點，CCPAK1212i還能讓封裝有效翻轉(zhuǎn)。這樣可實現(xiàn)頂部散熱，并為客戶在開關(guān)拓撲困難或環(huán)境溫度成為問題時，提供進一步提高芯片和電路板散熱性能的選擇。

CCPAK1212i為設(shè)計師提供頂部散熱方案

審核編輯：郭婷