短路耐受能力與自啟動

ROHM在以業界最快的trr（反向恢復時間）著稱的PrestoMOS產品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產品。PrestMOS與標準的超級結MOSFET相比，trr減少約60%，從而大大降低了開關損耗，促進了白色家電和工業設備等電機驅動器和變頻器應用的低功耗化發展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進一步降低導通電阻和Qg（柵極總電荷量）并降低損耗”為目標開發而成的。一般而言，導通電阻和Qg存在權衡關系，但利用ROHM獨有的工藝技術和優化技術優勢，實現了兩者的高度平衡。

※PrestoMOS是ROHM的商標。

開關損耗和傳導損耗更低

短路耐受能力是指MOSFET在短路時達到損壞程度需要的時間。一般而言，當發生短路時，會流過超出設計值的大電流，并異常發熱引起熱失控，最后可能導致損壞。要提高短路耐受能力，就涉及到與包括導通電阻在內的性能之間的權衡。R60xxMNx系列通過優化寄生雙極晶體管（熱失控的原因），使同樣也是電機驅動應用中一個非常重要的課題–短路耐受能力得以提升。不僅trr速度更快，而且與競爭產品相比短路耐受能力大大提高。

抑制自啟動帶來的損耗

自啟動是指當關斷狀態的MOSFET的Vds急劇變化（從0V到施加電壓）時，MOSFET的寄生電容充電導致Vgs超出閾值，MOSFET短時間導通的現象。這種額外的導通時間當然就成為損耗。

其典型案例是在同步整流轉換器中在低邊開關處于關斷狀態下高邊開關導通的時間點發生這種自啟動。這就需要減緩高邊開關的導通時間以抑制dV/dt，或在低邊開關的柵極-源極間增加外置電容以提高余量等外置電路對策。

而R60xxMNx系列則通過降低并優化寄生電容，從而將自啟動帶來的損耗控制在最低程度。

R60xxMNx系列

封裝	用途	產品名稱	極性 (ch)	VDSS (V)	ID (A)	PD(W) (Tc＝25°C)	RDS(on)(Ω)	Qg Typ. (nC)	trr (Typ.) (ns)	驅動電壓 (V)
TO-252	開關	R6010MND3	N	600	10	143	0.28	0.38	20	80	10
☆R6008MND3	600	8	115	0.45	0.61	13.5	65
R6007MND3	600	7	95	0.54	0.73	10	60
TO-220FM	R6030MNX	600	30	90	0.11	0.15	45	90
☆R6020MNX	600	20	72	0.19	0.25	30	85
TO-3PF	R6047MNZ	600	47	102	0.06	0.081	70	105
TO-247	R6076MNZ1	600	76	740	0.04	0.055	115	135
R6047MNZ1	600	47	440	0.06	0.081	70	105
VGS＝10V
Typ.	Max	VGS＝10V