您是否希望提高功率轉(zhuǎn)換器設計的效率？或許，您可以考慮使用 SiC FET。了解 SiC FET 如何成為提高所有常見轉(zhuǎn)換拓撲結構效率的安全方法，以及所有隨之而來的好處。

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 10 月加入Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源等快速增長的市場。

在撰寫博文時，很多人喜歡用 “母親和蘋果派”（美國俚語，表示大家都認同的說法）這樣的內(nèi)容作為開頭，例如提高功率轉(zhuǎn)換效率會帶來種種好處，諸如此類。當然，更高的效率無疑是一種優(yōu)勢，但有時 “凈增益” 的描述會有失妥當：相比于效率低下的鍋爐，家用電器產(chǎn)生少量熱量便可使中央供暖系統(tǒng)在寒冷條件下輕松運行，也許還可以提升能源使用的整體效率，降低其整體成本。白熾燈亦是如此，當您需要取暖時，白熾燈隨時能成為非常有效的加熱器。

其他用戶也確實看到了一個主要優(yōu)勢：在溫暖的地方，空調(diào)系統(tǒng)所產(chǎn)生的熱量會增加其功耗，從而導致成本成倍攀升。但在工業(yè)領域，比如說服務器機群，其能源需求如今超過了全球能源需求的 1%，所以其效率每提高一個小零頭，都代表著可以節(jié)省大量成本并大幅降低環(huán)境影響。有時候，效率提升會達到一個 “臨界點”，此后的優(yōu)勢將會成倍飆升。就拿電動汽車來說，若能在其改進過程中創(chuàng)造出更小巧、更輕便的功率轉(zhuǎn)換器，那必能降低能源需求、延長行駛里程。

因此，哪怕只能提高一個小數(shù)，眾多工程師仍會不遺余力地提升效率。在使用不熟悉但具有部分改進的新型拓撲結構進行設計時，他們會評估該設計是否會在某個時間范圍內(nèi)產(chǎn)生較低的總擁有成本。毋庸置疑，隨著效率的不斷提高，任何改進都會變得更加困難，當效率已經(jīng)達到 99.5% 左右時，僅 ±0.1% 的輸入和輸出功率測量誤差都可能導致計算損耗比實際值高或低 40%。當電源輸入為存在失真且功率因數(shù)欠佳的交流電源，直流電源輸出有殘留噪聲分量，給 DVM 造成混淆時，情況會變得更糟。現(xiàn)在，我們經(jīng)常使用量熱法來測量熱量輸出，而不是通過電氣測量來推斷熱量輸出。

圖 1. 在效率水平較高的情況下，即使測試設備的精確度僅為 ±0.1%，也會導致效率測量精確度產(chǎn)生較大波動

通過僅改進設計好的半導體來提高功率轉(zhuǎn)換器效率是一種風險相對較低的辦法。我們可以適當考慮 EMI 輻射的變化，將基于 MOSFET 的轉(zhuǎn)換器升級為具有較低導通電阻和可能更低開關能量要求的較新器件。但是，要想利用較新的寬帶隙器件（如 SiC MOSFET 或 GaN HEMT 單元），就必須對電路（尤其是柵極驅(qū)動）進行較大的改變。如果現(xiàn)有電路是基于 IGBT 而搭建，則需要考慮徹底地進行重新設計，以便使用寬帶隙器件。

柵極驅(qū)動問題與電壓電平有關。所以，要實現(xiàn)全面提升，SiC MOSFET 需要使用電壓電平明顯高于 Si-MOSFET 的導通驅(qū)動，這個電壓電平應非常接近器件的絕對最大額定值，且應進行嚴格限制。導通和關斷狀態(tài)之間存在的較大電壓波動也意味著需要一定的驅(qū)動功率，因為每個導通和斷開周期都會對柵極電容進行充放電。此外，電壓閾值也不是固定值，且存在遲滯，因此實現(xiàn)最佳驅(qū)動比較困難。在某種程度上，GaN HEMT 單元則與前述情況相反，其柵極閾值電壓和絕對最大值都非常低，不過也必須要嚴格控制其驅(qū)動電路，以免出現(xiàn)過應力和故障。

如果功率轉(zhuǎn)換器電路需要實現(xiàn)反向或第三象限傳導，則 SiC MOSFET 中的體二極管性能至關重要，否則可能會由于其較高的回收能量和正向電壓降而導致過度損耗。GaN 器件中沒有體二極管，通過信道進行反向傳導，但在信道通過柵極驅(qū)動實現(xiàn)主動增強之前，會在死區(qū)時間出現(xiàn)較高的壓降。如果柵極在關斷狀態(tài)下為負柵極，則 “換向” 期間的電壓降會更高。

使用多個 SiC FET（即 Si-MOSFET 和 SiC JFET 的共源共柵組合）是更有益的解決方案。此類器件采用了 Si-MOSFET 的簡單、非臨界柵極驅(qū)動，但其性能品質(zhì)因數(shù) “導通電阻 x 面積” 以及 “導通電阻 x EOSS” 優(yōu)于 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 單元的相關品質(zhì)因數(shù)。此外，此類器件本身具有出色的雪崩耐量和自限短路電流性能，且其體二極管效應與具有較低正向壓降和快速恢復性能的低壓 Si-MOSFET 類似。換句話說，通常只需將 SiC FET 插入 Si-MOSFET 或 IGBT 插槽中,即可實現(xiàn)效率提升。與其他技術不同，我們無法只通過調(diào)整柵極驅(qū)動電阻來控制 SiC FET 的速度，以限制 EMI 和應力，但使用這些超快器件，我們可以通過小型RC 緩沖電路來有效地限制過沖和振鈴。此外，該電路還可用于簡化器件的并聯(lián)操作。用此類器件取代 IGBT，可以提高開關頻率且不會帶來過大的動態(tài)損耗，從而實現(xiàn)更小巧輕便、成本更低的磁性元件。

SiC FET 是提高所有常見轉(zhuǎn)換拓撲結構效率的安全方法，同時還能帶來眾多優(yōu)勢。有人說，怕燙的話，不烤蘋果派（美國的一種美食，此處表示一種所有人都無法拒絕的美好事物）不就行了。這顯然不行，不過在轉(zhuǎn)換器設計中，您卻可以改用 SiC FET。

多個 SiC FET

https://unitedsic.com/group/sic-fets/