兆易創(chuàng)新今日宣布，在2023年度中國IC設計成就獎頒獎典禮暨中國IC領袖峰會上，憑借著出色的技術突破能力和產(chǎn)品創(chuàng)新能力榮獲“十大中國IC設計公司”獎項。與此同時，旗下GD5F1GM7存儲器和GD32F470微控制器分別獲得了“年度最佳存儲器”和“年度最佳MCU”兩大熱門IC產(chǎn)品類獎項。

中國IC設計成就獎是中國半導體領域的頂級盛典之一，至今已連續(xù)舉辦了二十一年，能獲得IC設計成就獎的表彰，充分體現(xiàn)了獲獎企業(yè)的行業(yè)領先地位和卓越的產(chǎn)品研發(fā)及服務支持能力。

匠心鑄就品質(zhì)，實力成就榮耀

GD5F1GM7是兆易創(chuàng)新推出的新一代24nm工藝制程的NAND Flash存儲器產(chǎn)品，提供3V和1.8V兩種電壓版本。該系列優(yōu)化了產(chǎn)品設計，內(nèi)置8bit ECC模塊，可達到10年數(shù)據(jù)保持，8萬次擦寫壽命。頻率最高可達133MHz，支持DTR功能，極大提高了產(chǎn)品的傳輸速度。1.8V產(chǎn)品支持Deep power down模式，待機功耗可低至1uA，對于低功耗需求有巨大優(yōu)勢。在封裝設計上，該系列提供了更小的WSON8 6mmx5mm封裝，進一步減小了存儲芯片在PCB上的芯片面積，能夠為IoT、穿戴類等新興消費類市場應用提供高性價比，大容量的代碼儲存方案。

GD32F470系列高性能MCU基于Arm Cortex-M4內(nèi)核，主頻高達240MHz，可支持算法復雜度更高的嵌入式應用，并具備更快速的實時處理能力。GD32F470配備了512KB到3072KB片上Flash，256KB到768KB的SRAM，具備業(yè)界領先的大容量存儲優(yōu)勢。在制造工藝方面，此MCU采用40nm工藝制程，可以降低動態(tài)和靜態(tài)功耗，從而有效延長電池供電系統(tǒng)的使用時間。另外，GD32F470系列繼承了GD32F4系列豐富的通信接口和增強型安全功能，與現(xiàn)有GD32F4系列產(chǎn)品完全兼容，支持開發(fā)者在現(xiàn)有設計上實現(xiàn)無縫切換，能夠輕松推動高端應用轉換和研發(fā)升級。

十數(shù)年砥礪前行，榮譽與市場雙贏

兆易創(chuàng)新自2005年成立便持續(xù)深耕IC設計產(chǎn)業(yè)，致力于構建以存儲器、微控制器、傳感器及模擬產(chǎn)品業(yè)務為核心驅(qū)動力的完整生態(tài)，公司產(chǎn)品被廣泛應用于計算、網(wǎng)絡、消費電子、手機、車載、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)等市場，并且憑借嚴格的質(zhì)量標準和要求，產(chǎn)品性能和品質(zhì)始終保持行業(yè)領先水準，備受國內(nèi)外客戶認可。

兆易創(chuàng)新NOR Flash在中國市場占有率為第一，全球市場排名前三，累計出貨量超190億顆，年出貨量超28億顆；而GD32MCU作為中國32位通用MCU領域的主流產(chǎn)品，以38個系列450余款產(chǎn)品選擇，覆蓋率穩(wěn)居市場前列，并且累計出貨量已超過10億顆。

連續(xù)多年被授予“十大中國IC設計公司”稱號是一項崇高的榮譽，它既代表了兆易創(chuàng)新十余年砥礪前行不改初心的努力成果，同時也激勵著公司向著更高、更遠、更大的舞臺奮力前行。作為一路見證并推動中國半導體行業(yè)發(fā)展壯大的企業(yè)，兆易創(chuàng)新將秉承 “開放創(chuàng)新、使命必達”的核心價值觀，致力于用優(yōu)秀的產(chǎn)品與完善的服務助力行業(yè)伙伴闊步前行。

審核編輯：湯梓紅