鎧俠株式會(huì)社(Kioxia Corporation)和西部數(shù)據(jù)公司(Western Digital Corp., NASDAQ: WDC)今天公布了雙方合作開發(fā)的新3D閃存技術(shù)的細(xì)節(jié)，展示了兩家公司的持續(xù)性創(chuàng)新。通過應(yīng)用先進(jìn)的擴(kuò)展和晶圓鍵合技術(shù)，3D閃存以極具吸引力的成本提供了出色的容量、性能和可靠性，非常適合滿足廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中數(shù)據(jù)呈指數(shù)式增長(zhǎng)所帶來的需求。

西部數(shù)據(jù)技術(shù)與戰(zhàn)略高級(jí)副總裁Alper Ilkbahar表示：“新推出的3D閃存彰顯出我們與鎧俠強(qiáng)有力的合作關(guān)系，以及雙方聯(lián)合創(chuàng)新的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。通過制定單一的通用研發(fā)路線圖及持續(xù)的研發(fā)投資，我們能夠提前實(shí)現(xiàn)這項(xiàng)基本技術(shù)的產(chǎn)品化，并打造經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的高性能解決方案。”

鎧俠和西部數(shù)據(jù)引入多種獨(dú)特的工藝和架構(gòu)來降低成本，并實(shí)現(xiàn)了橫向擴(kuò)展方面的持續(xù)進(jìn)步。垂直和橫向擴(kuò)展之間的良好平衡能夠在更小的芯片中實(shí)現(xiàn)更大的容量，且層數(shù)更少，成本也得到了優(yōu)化。雙方還開發(fā)了開創(chuàng)性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)直接鍵合到陣列(CBA)技術(shù)，其中每個(gè)CMOS晶圓和單元陣列晶圓均在優(yōu)化狀態(tài)下單獨(dú)制造，隨后鍵合在一起，以提高位密度和NAND I/O接口速度。

鎧俠首席技術(shù)官M(fèi)asaki Momodomi表示：“通過雙方獨(dú)特的工程合作，我們成功推出了具有業(yè)界領(lǐng)先1位密度的第八代BiCS FLASHTM。很高興鎧俠已經(jīng)開始向部分客戶送樣。通過應(yīng)用CBA技術(shù)和擴(kuò)展相關(guān)創(chuàng)新，我們推進(jìn)了3D閃存技術(shù)組合的進(jìn)步，未來將用于智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等一系列以數(shù)據(jù)為中心的應(yīng)用。”

218層3D閃存利用了1Tb三層單元(TLC)和四層單元(QLC)的四個(gè)平面，通過創(chuàng)新的橫向收縮技術(shù)，將位密度提高了50%以上。其高速NAND I/O接口的速度超過3.2Gb/s，比上一代產(chǎn)品提高60%，再加上寫入性能和讀取延遲方面20%的提升幅度，將加速用戶設(shè)備的整體性能和可用性。

審核編輯黃宇