電子發燒友網綜合報道,日前鎧俠Kioxia 在其企業戰略會議上宣布了其在人工智能時代的中長期增長戰略。鎧俠通過提供存儲技術和支持數據創新的解決方案,繼續在信息基礎設施中發揮關鍵作用。
預計到2029年,近一半的NAND需求將與人工智能相關。Kioxia旨在通過先進的SSD產品和技術,以支持人工智能系統不斷變化的需求。鎧俠正在開發鎧俠CM9系列、鎧俠LC9系列和其他系列,作為其使用第8代BiCS FLASH的最新SSD產品線。KIOXIA CM9系列是用于AI系統的高性能SSD,旨在最大限度地提高需要高性能和高可靠性的GPU能力。KIOXIA LC9系列是一款大容量SSD,容量達到122TB,適用于推理中使用的大型數據庫等用例。Kioxia利用閃存技術和SSD技術的融合,包括內部SSD控制器和SSD固件,并利用其在企業應用方面的知識和經驗,繼續推進SSD發展,致力于擴大其市場份額。
NAND芯片的成本競爭力水平取決于單個芯片可以容納多少位。一般來說提高位密度的方法包括以下幾種:“垂直擴展”,即增加層數。“橫向縮小”技術,這是鎧俠的關鍵優勢,涉及減少芯片的二維面積。引入新的架構,如CBA(直接連接到陣列的CMOS)。通過QLC等方法提高邏輯比特密度。
橫向縮小,鎧俠(Kioxia)與合作伙伴合作開發了一種名為“On Pitch Select Gate Drain”(OPS)的突破性技術。該技術減少了存儲單元的字線(水平)層中的面積開銷。在BiCSFLASH的第6代之前,在傳統布局中,一些存儲孔被犧牲并變為非活動狀態,以提供物理隔離,從而允許物理頁的單獨選擇。在BiCSFLASH的第8代中,鎧俠成為業內首家采用OPS技術的廠商,該技術能夠在活動存儲孔之間形成隔離,顯著減少面積開銷。
過去,架構從CNA(CMOSNexttoArray)發展到CUA(CMOS UnderArray),這減少了CMOS的面積開銷,但仍然需要路由開銷將CMOS連接到存儲單元。在BiCSFLASH的第8代中引入的CBA技術通過分別制造CMOS和單元陣列并將它們粘合在一起進一步減少了這種開銷。此外,由于CBA技術允許CMOS芯片和存儲單元芯片在其最佳的熱條件下單獨處理,兩者都可以達到其最高的性能水平。
BiCS FLASH技術戰略正在沿著兩個軸推進開發:一個軸是增加傳統方式下的層數,提供大容量和高性能的產品線,另一個軸是通過將現有單元技術與最新的CMOS技術相結合,充分利用CBA技術,以實現高性能并降低投資成本。我們稱之為雙軸戰略。
首先,對于大容量、高性能的產品線,我們將結合進一步的堆疊與橫向收縮開發具有高位密度和大容量的產品,如BiCSFLASH第10代及更高版本,以滿足企業和數據中心SSD市場的需求。其次,對于以性能為核心的產品線,我們將開發BiCSFLASH第九代,利用CBA技術,將現有的一代存儲單元與高速CMOS技術相結合,從而滿足各種尖端應用的要求。由于我們利用了現有的內存單元世代,可以抑制與堆疊層相關的資本投資,同時滿足人工智能驅動的邊緣應用的需求。通過這一雙軸戰略,鎧俠的目標是保持最佳的投資效率,同時開發滿足下一代應用先進需求的有競爭力的產品。
目前,除了大部分業務在TLC和QLCNAND上之外,也在開發諸如OCTRAM(氧化物半導體通道晶體管DRAM),這是一種使用氧化物半導體通道的新型DRAM,目標市場將是需要低功耗主存儲的未來市場。
此外,鎧俠開發了一種具有極低延遲、高性能的閃存XL-FLASH。XL-FLASH設計用于填補易失性存儲器(如DRAM)和當前閃存之間存在的性能缺口。XL-FLASH與所有閃存一樣,能夠在斷開電源時保留數據。支持MLC功能的第二代XL-FLASH正在批量生產。
采用鎧俠BiCS FLASH 3D閃存技術制造的XL-FLASH旨在幫助數據中心、云提供商以及企業滿足日益嚴苛的應用需求。XL-FLASH的特點是易于管理和擴展,具有128 Gb芯片(SLC)/256 Gb芯片(MLC)(采用2芯片、4芯片、8芯片封裝)、4kB頁面大小(可實現更高效的操作系統讀寫性能)、快速頁面讀取和寫入時間以及小于5微秒的讀取延遲。
鎧俠計劃在兩種解決方案中部署這項技術。
首先,超高IOPS SSD針對AI服務器。AI訓練和推理的主要挑戰是缺乏HBM/DRAM容量和數據讀取錯誤導致的重新計算需求。SSD在提供大容量和避免數據讀取錯誤方面表現出色,通過利用高速、低延遲的XL-FLASH,我們可以實現能夠承受GPU高速計算的SSD。
超高IOPS SSD,通過將XL-FLASH(大規模生產)與新的SSD控制器相結合,提供超過1000萬IOPS。Kioxia計劃在2026年下半年送樣。
其次是CXL-XL(基于Compute Express Link的XL-FLASH內存),這是一種利用CXL接口技術的內存解決方案,允許CPU之間共享內存空間。
隨著計算規模的擴大和分布的增多以支持高級工作負載,僅通過DRAM擴展內存容量在成本和功耗方面都帶來了挑戰。
此外,鎧俠表示,將資本支出控制在收入的20%以下,并根據市場趨勢進行適當的投資。Kioxia的四日市和北上工廠生產具有成本競爭力的產品。鎧俠將把研發支出保持在收入的8-9%,專注于SSD業務和下一代設備開發。
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